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针对下一代功率半导体GaN器件的高频栅驱动电路设计技术
上限低,可反向导通,dv/dt扰动和di/dt扰动等。该项成果设计出适用于N型常关GaN器件的半桥栅驱动电路,通过分离充放电路径避免栅驱动电压振铃现象的发生和dV/dt现象对栅驱动电路的干扰;同时利用高端栅极钳位技术,在自举充电路径中对BOOT电容进行钳位,防止对上开关管的损坏。 半桥GaN栅驱动电路主要指标为: ? 独立的高侧和低侧TTL逻辑输入 ? 1.2A/5A 峰值上拉和下拉电流 ? 高端浮动电压轨到100V ? 0.6Ω/2.1Ω 下拉和上拉电阻 ? 快速的延迟时间 (28ns typ) ? 非常优越的延时匹配(1.5ns typ)
电子科技大学 2021-04-10
一种用于降解苯氧羧酸类除草剂残留的菌剂及制备方法
项目成果/简介:本发明涉及一种用于降解苯氧羧酸类除草剂残留的菌剂.该菌剂由吉氏贪铜菌制成,为球形固体颗粒,表面光滑,富有弹性,机械强度好,吉氏贪铜菌保藏在中国普通微生物菌种保藏管理中心,保藏日期:2015年8月7日,保藏号CGMCC?No:11179.该菌剂的制备操作步骤如下:1.在LB固体培养基中活化吉氏贪铜菌,得到活化菌种;2.将活化菌种接种于LB液体培养基中,摇床培养,得到菌悬液;3.将菌悬液离心分离得到湿菌体;将湿菌体和海藻酸钠水溶液混合得到混合液;将混合液加入到等体积的氯化钙溶液中,静置,过滤,收集沉淀的固体物质,即得到球形固体颗粒状的用于降解苯氧羧酸类除草剂残留的菌剂.通过降解实验发现,该菌剂对2,4-D的降解效果良好.
安徽农业大学 2021-04-10
针对下一代功率半导体GaN器件的高频栅驱动电路设计技术
该项成果设计出适用于N型常关GaN器件的半桥栅驱动电路,通过分离充放电路径避免栅驱动电压振铃现象的发生和dV/dt现象对栅驱动电路的干扰;同时利用高端栅极钳位技术,在自举充电路径中对BOOT电容进行钳位,防止对上开关管的损坏。
电子科技大学 2021-04-10
一种用于降解苯氧羧酸类除草剂残留的菌剂及制备方法
本发明涉及一种用于降解苯氧羧酸类除草剂残留的菌剂.该菌剂由吉氏贪铜菌制成,为球形固体颗粒,表面光滑,富有弹性,机械强度好,吉氏贪铜菌保藏在中国普通微生物菌种保藏管理中心,保藏日期:2015年8月7日,保藏号CGMCC?No:11179.该菌剂的制备操作步骤如下:1.在LB固体培养基中活化吉氏贪铜菌,得到活化菌种;2.将活化菌种接种于LB液体培养基中,摇床培养,得到菌悬液;3.将菌悬液离心分离得到湿菌体;将湿菌体和海藻酸钠水溶液混合得到混合液;将混合液加入到等体积的氯化钙溶液中,静置,过滤,收集沉淀的固体物质,即得到球形固体颗粒状的用于降解苯氧羧酸类除草剂残留的菌剂.通过降解实验发现,该菌剂对2,4-D的降解效果良好.
安徽农业大学 2021-04-29
基于TD-LTE的新一代4G专网无线技术解决方案
提供基于TD-LTE的新一代4G专网无线技术解决方案。施用频段为1.4G/1.8G。信道带宽20MHz,上/下行峰值速率:50Mbps/100Mbps。单基站半径覆盖达5~10公里范围。可在300公里/小时高速行驶中保持正常通行。可以提供语音、视频通话以及语音和视频的多媒体调度;关键设备、场景的视频监控;应急通讯;环境监控和报警;工业控制节点的数据采集及控制等各类行业物联网应用等定制化的业务。目前系统已实施的成功案例包括:南京青奥会老山赛场视频监控、克拉玛依智慧油田建设、无锡市智慧城市建设。某型号产品已被国家安全局列装。
东南大学 2021-04-13
用于氯代挥发性有机物低温催化燃烧的催化剂及制备方法
本发明涉及化学催化剂制备技术,旨在提供一种用于氯代挥发性有机物低温催化燃烧的催化剂及制备方法。该催化剂是以γ‑Al2O3颗粒为载体,以NM‑RMO‑Co3O4为活性组分;其中,RMO‑Co3O4占催化剂重量的5~15%,NM占催化剂重量的0.01%~0.2%,余量为γ‑Al2O3颗粒;所述RMO为稀土金属氧化物CeO2、ZrO2、La2O3、Nd2O3、Y2O3中的一种或几种,NM为贵金属Pd、Pt、Ru、Rh中的一种或几种。本发明提供的催化剂具有制备工艺简单、价格低廉、催化活性高、抗氯中毒能力强、寿命长等优点。采用该催化剂,可以在低温空气环境中,长时间稳定地将含氯挥发性有机物转化为CO2和HCl,且技术路线方便实用,可广泛应用于工业含氯有机废气的治理。
浙江大学 2021-04-13
热压合成新一代镁阿隆-氮化硼(MgAlON-BN )复合耐火材料
MgAlON 便是氧氮化物中的一种。因其具有优异的物理化学性能,因而具有良好的应用前景。但是仍然有很多性能尚未研究。类石墨结构的六方 BN 具有优异的抗熔渣和金属的侵蚀性能以及具有优良的抗热震性能,从而在高金属陶瓷及耐火材料中得以广泛应用。利用热压工艺合成的新一代 MgAlON-BN 复合耐火材料,综合了 MgAlON 和 BN 的优点,材料的抗折强度、断裂韧性、密度及硬度等力学性能,特别是高温抗折强度得到提高,抗铁液侵蚀性能好。MgAlON-BN 复合材料还可以作为高级陶瓷、功能陶瓷应用。该课题在国家自然科学重点基金的资助下,对 MgAlON 及 MgAlON-BN 复合材料的热学性能,包括热膨胀系数、热扩散系数、热导率等,MgAlON 及 MgAlON-BN 复合材料与金属和渣的润湿性能等进行了系统的研究。取得了一系列具有自主知识产权的新配方、新工艺,拥有 3 项国家发明专利,2006 年获得教育部二等奖,2005 年获北京市科学技术二等奖。MgAlON-BN 复合材料不但可在冶金工业连铸生产过程中的侵入式水口、连铸水平分离环上使用,同时有望作为其他高性能陶瓷如高级陶瓷、功能陶瓷来使用。
北京科技大学 2021-04-13
热压合成新一代镁阿隆-氮化硼(MgAlON-BN)复合耐火材料
MgAlON便是氧氮化物中的一种。因其具有优异的物理化学性能,因而具有良好的应用前景。但是仍然有很多性能尚未研究。类石墨结构的六方BN具有优异的抗熔渣和金属的侵蚀性能以及具有优良的抗热震性能,从而在高金属陶瓷及耐火材料中得以广泛应用。利用热压工艺合成的新一代MgAlON-BN复合耐火材料,综合了MgAlON和BN的优点,材料的抗折强度、断裂韧性、密度及硬度等力学性能,特别是高温抗折强度得到提高,抗铁液侵蚀性能好。MgAlON-BN复合材料还可以作为高级陶瓷、功能陶瓷应用。该课题在国家自然科学重点基金的资助下,对MgAlON及MgAlON-BN复合材料的热学性能,包括热膨胀系数、热扩散系数、热导率等,MgAlON及MgAlON-BN复合材料与金属和渣的润湿性能等进行了系统的研究。取得了一系列具有自主知识产权的新配方、新工艺,拥有3项国家发明专利,2006年获得教育部二等奖,2005年获北京市科学技术二等奖。 MgAlON-BN复合材料不但可在冶金工业连铸生产过程中的侵入式水口、连铸水平分离环上使用,同时有望作为其他高性能陶瓷如高级陶瓷、功能陶瓷来使用。
北京科技大学 2021-04-13
有机磷多面体低聚硅倍半氧烷(P-POSS)阻燃剂
本成果首次成功合成了有机磷多面体低聚硅倍半氧烷(P-POSS)阻燃剂。P-POSS以硅、磷为主要阻燃元素,以笼型无机Si-O结构为内核、含磷有机基团为外壳的独特结构,具有常温下为固体、聚合物材料加工温度下出现玻璃化转变的良好加工性能,同时具有热稳定性高和与聚合物相容性好的特点,指向一类新型高效阻燃剂分子的未来特征。前期研究结果表明,P-POSS在环氧树脂和聚碳酸酯中均表现出优异的阻燃性能,同时,使聚合物材料保持良好的综合性能,具有广阔的市场应用前景。 在阻燃环氧树脂应用中,低含量的P-POSS(硅、磷元素含量为0.1——0.5wt%)即可使阻燃环氧树脂的氧指数达到30%以上,获得UL-94 V0级别。而且P-POSS 阻燃的环氧树脂表现出独特的“吹熄”现象,即样条点燃后,点燃端明显有气流从炭层燃烧点喷射而出,将火焰吹离聚合物表面并迅速熄灭,正是这种“吹熄”现象实现P-POSS的高效阻燃环氧树脂。P-POSS不但能够提高环氧树脂阻燃性能和热稳定性,还能保持环氧树脂本身的透明性、机械性能和电性能。 在阻燃聚碳酸酯应用中,P-POSS不但能够保持POSS结构热稳定性高的特点,而且还可以有效回避原料磷系阻燃剂的增塑作用。常温下这种P-POSS的固体状态使其更容易储存和添加,而它们在PC加工温度范围内存在的玻璃化转变现象更是使其分散状态较一般固体阻燃剂有着显著的改善,甚至达到纳米级分散。P-POSS在2wt%的添加量下就可以使聚碳酸酯达到UL-94 V0级别,同时热变形温度保持在140℃。
北京理工大学 2023-05-09
中国科大在高效光催化甲烷无氧偶联制乙烷/氢气研究中取得新进展
熊宇杰教授和龙冉教授研究团队与中国科学技术大学杨金龙院士团队付岑峰副研究员、南京大学邹志刚院士团队姚颖方教授合作,发展了光催化甲烷无氧偶联(NOCM)方法,实现了高选择性制备乙烷和氢气,效率达到中温热催化NOCM水平
中国科学技术大学 2022-06-02
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