北京工业大学在国家 973、863 计划等支持下，发现添加铒元素（Er）可增加铝合金的强韧性和耐热性，提高耐腐蚀性能和焊接性能；含铒铝合金应用意义：良好的耐蚀性、可焊性、成型性等工艺  应用性能，在此基础上发展静载荷强度（拉伸性能）、抗冲击、抗疲劳及高损伤容限等综合力学性能； 满足轻质高效、安全性、长寿命和低成本等应用需求。

成果简介：GTG起爆药是一种配合物类高能钝感起爆药。GTG起爆药技术是北京理工大学在引进俄罗斯CCP起爆药技术的基础上，通过多年的研究和工艺改进、实施国产化形成的专利技术。大量的研究结果和工业生产使用证明，GTG起爆药可以满足军用、民用雷管的使用要求、从本质上解决了起爆药生产过程安全性和使用过程可靠性的技术难题、极大地减少起爆药生产废水、消除了对环境的污染。 项目来源：自行开发 技术领域：新材料 应用范围：民用爆破 现状特点： 

一种综合回收含烃石化尾气中氢气、轻烃以及其他高附加值物质的集中回收方法。该方法充分考虑物料压力和组成的特点，将变压吸附、气体膜分离等新型分离技术与精馏、吸收和压缩冷凝等传统分离技术有机结合，按照分离要求将各分离工艺梯级布局。通过各分离技术的相互促进作用，改善了各分离工艺的操作条件，从而提高了能源的利用效率和物质的回收率；具有多目标同时回收、目标回收率高、能源利用率高，能从低目标浓度的炼厂气中回收目标产品的优点；适用于石油炼制与加工领域。

本成果开发形成了基于粉煤灰活化及添加剂调控的高含氯脱硫石膏氯离子稳定化控制技术，通过多种稳定化控制方法，实现了氯离子物理吸附、化学固化，突破了因脱硫废水零排放导致的脱硫石膏氯离子超标、难以资源化利用技术瓶颈，通过耦合粉煤灰活化，集成物理吸附、化学固化、迁移通道阻断，对氯离子进行稳定化控制，既实现了含氯脱硫石膏建材资源化利用，又实现了粉煤灰、脱硫石膏等燃煤电厂固体废弃物协同处置，具有极大发展潜力。 技术成果适用于燃煤电厂脱硫石膏资源化利用、脱硫石膏－粉煤灰协同资源化处置等领域。

本发明提供了一种含湿污泥增氧燃烧方法，具体为：向燃烧器内通入直流的一次风以及从旋流的二次风，喷油点火燃烧；待燃烧稳定后通入富氧空气形成富氧气氛继续燃烧；将含湿污泥雾化后通入燃烧器，通入污泥的同时逐渐增加富氧空气流量，完成污泥燃烧。本发明提供了实现所述方法的装置，包括污泥燃烧器、污泥雾化器和点火油枪，污泥燃烧器的端部中心处设有污泥喷嘴，以污泥喷嘴为中心由内向外依次设有富氧空气喷嘴、一次风喷嘴、二次风喷嘴；污泥雾化器安装于污泥喷嘴的出口处；点火油枪安装于污泥燃烧器内壁。本发明通过富氧气氛下的含湿污泥直接燃烧，着火稳定，燃烧高效，克服了现有常规污泥焚烧方法中污泥干燥过程中能耗大、工艺复杂的缺点，具有良好的节能环保效应。

产品详细介绍   CS120电化学CS120  CS150电化学CS150  CS300电化学CS300  CS310电化学CS310  CS330电化学CS330  CS350电化学CS350 CS350电化学工作站/电化学测试系统 1、CS350电化学CS350硬件参数指标： 恒电位仪电位控制范围：±10V 电流控制范围：±2.0A 电位控制精度：0.1%×满量程读数±1mV 电流控制精度：0.1%×满量程读数 电位分辨率：10uV(>100Hz), 2uV(<10Hz) 电流分辨率：<10pA 电位上升时间：﹤1uS(<10mA), <10uS(<2A) 辅助数据采集24位@10KHz ,20bit@1KHz 参比电极输入阻抗：1012 欧姆||20pF 电流量程 2A～200nA, 共8档 槽压：21V CV 和LSV扫描速度：0.01～20000mV/s CA和CC脉冲宽度：0.0001～1000s 电位扫描时电位增量：0.1mV@1V/mS SWV频率：0.001～100KHz DPV和NPV脉冲宽度：0.0001～1000s AD数据采集：16位@1MHz，24bit @100Hz CV的最小电位增量：0.075mV 电位和电流测量低通滤波器 电流与电位量程：自动设置 2、CS350电化学CS350阻抗测量指标： 信号发生器 频率响应：10Hz~115KHz 交流信号幅值：0mV~2500mV 直流偏压：-10~+10V DDS输出阻抗：50欧姆 波形：正弦波，三角波，方波 正弦波失真：<1% 扫描方式：对数/线性，增加/下降 最大负载电容：1nF；最大负载电感：10uH 信号分析器 积分时间：最小值：10mS 或者一个循环的最长时间 最大值：106个循环或者105S 测量时间延迟：0~105秒 直流偏置补偿 电位自动补偿范围：-10V~+10V 电流补偿范围：-1A~+1A 带宽调整(Bandwidth)：自动或手动设置，共8级可调 CS350电化学CS350测量与控制软件主要功能 开路电位-时间曲线（OCPT） 恒电位法（计时电流法, CA） 恒电流法（计时电位法, CP） 多电位阶跃（VSTEP） 多电流阶跃（ISTEP） 动电位扫描（极化曲线） 线性极化（LPR） 钝化回扫曲线（按击穿电流回扫） 动电流扫描 任意恒电位方波 任意恒电流方波 恒电流仪 循环伏安法（CV） 阶梯伏安法（SCV） 差分脉冲伏安法（DPV） 常规脉冲伏安法（NPV） 方波伏安法（SWV） 交流伏安法（ACV） 溶出伏安法 常规差分脉冲伏安法（DNPV） 电化学阻抗 电化学噪声测量 电偶腐蚀测量 氢渗透监测 腐蚀速率计算 CS350电化学CS350主要特点 1）输出电流大，槽压高，可用于高阻（涂料）体系的电化学测量； 2）具有较强的腐蚀电化学测量分析能力； 3）交流阻抗测量具有频率扫描和时间扫描两种模式。 CS350电化学CS350仪器介绍 CS350电化学CS350（电化学测试系统）是集电化学分析方法和电化学测试方法于一体的电化学通用仪器，能完成循环伏安、阶梯伏安、脉冲伏安、溶出伏安等电化学分析方法；还可以完成恒电流（位）极化、动电位（流）扫描、任意恒电流（位）方波，多恒电流（位）阶跃、电化学噪声（电偶电流）、电化学阻抗（EIS）等电化学测试等功能，还可以进行线性扫描循环伏安（CV）、阶梯波循环伏安（SCV）、方波循环伏安（SWV）、 差分脉冲伏安（DPV）和常规脉冲伏安（NPV）以及差分常规脉冲伏安（DNPV）等电分析方法。测试系统控制与数据处理软件是基于Windows98/2000/XP操作系统的，用户界面遵守Windows软件的设计规则，容易安装和使用。系统软件为方便使用者提供了强大的功能，包括文件管理、全面的实验控制、灵活的图形显示、方便的图形放大和还原、多种数据处理功能、数据的存贮与打印等。系统软件具有良好的用户界面，命令行参数所用的电化学理论和方法都尽可能采用最为通用的电化学方面的术语，全中文菜单和界面，更方便地为教学和科研服务。 CorrTestTM电化学工作站拥有CS系列产品（CS120，CS150，CS300，CS330，CS350，CS360），可用于较大电流和较高槽压的电化学测量和应用，例如电池、电分析、腐蚀、电解、电镀等。仪器由数字信号发生器（DDS）和直接数据存储器（DMA）和恒电位仪/恒电流仪组成，电流/电位同步数据采集。仪器的电流输出范围为±2A，槽压为±21V。电压控制范围：±10V；电流控制范围：±2.0A；电流测量下限低于10pA。 CorrTestTM电化学工作站采用恒电流阶跃直接测量高阻体系介质电阻（如混凝土或涂层等介质电阻），可对溶液电阻进行实时或软件补偿；可对测试曲线进行数字平滑，能对极化曲线进行电化学参数解析，可计算极化电阻Rp值，Tafel斜率ba，bc值，交换电流密度icorr，腐蚀速率,还可计算统计噪声电阻Rn，并可将图形以矢量方式拷贝到Microsoft Word 97/2000文档中。CorrTestTM电化学工作站采用USB或RS232串行口与计算机通讯，设备安装简单，即插即用。 外形尺寸：36.5cm(宽)x30.5cm(深)x16cm(高) 仪器重量：6.5Kg CS350电化学CS350应用领域 1）研究电化学机理；物质的定性定量分析； 2）常规电化学测试，包括电合成、电镀和电池性能评价; 3）功能和能源材料的机理和制备研究； 4）缓蚀剂、水质稳定剂、涂层以及阴极保护效率快速评价以及氢渗测试等； 5）金属材料在导电性介质（包括水/混凝土等环境）中的腐蚀电化学测试。 CS350电化学CS350系统配置 每套工作站包括： 1) 仪器主机一台； 2) 白金电极、参比电极、工作电极及专用电解池各一支（套）； 3) 模拟电解池一个； 4) USB数据线一条； 5) 噪声测量专用电缆线一条； 6) CorrTestTM 测试与分析软件CD一张。   

研究背景 芯片是人类最伟大的发明之一，也是现代电子信息产业的基础和核心。小到手机、电脑、数码相机，大到6G、物联网、云计算均基于芯片技术的不断突破。半导体光刻工艺水平的发展是以芯片为核心的电子信息产业的基石，目前半导体光刻的制造工艺几乎是摩尔定律的物理极限。随着制造工艺的越来越小，芯片内晶体管单元已经接近分子尺度，半导体制作工艺的“瓶颈效应”越来越明显。随着全球化以及科技的高速发展，急剧增长的庞大数据量要求数据处理模型和算法结构不断优化升级，带来的结果就是对计算能力和系统功耗的要求不断提高。而目前智能电子设备大多存在传输瓶颈、功耗增加以及计算力瓶颈等现象，已越来越难以满足大数据时代对计算力与功耗的需求，因此提高运算速度同时降低运算功耗是目前信息工业界面临的紧要问题。 如当年集成电路开创信息时代一样，当下已经普及的光通信正在成为新革命力量的开路先锋。与此同时，光子芯片正在从分立式器件向集成光路演进，光子芯片向小型化、集成化的发展趋势已是必然。相对于电子驱动的集成电路，光子芯片有超高速率，超低功耗等特点，利用光信号进行数据获取、传输、计算、存储和显示的光子芯片，具有非常广阔的发展空间和巨大的潜能。 项目功能 本项目瞄准光通信关键技术及核心芯片，基于量子阱二极管发光探测共存现象，探索关键微纳制造技术，研制出可以同时实现通信、感知功能的一体化光电子芯片。 技术路线 一、技术原理及可行性 本项目主要负责人王永进教授发现如图1所示的量子阱二极管发光探测共存现象，首次研制出同质集成发射、传输、调制和接收器件的光电子芯片，这些原创工作引起了业界相关科研小组地广泛关注，化合物半导体同质集成光电子芯片成为研究热点。香港大学的蔡凯威小组和申请人合作提出湿法刻蚀和激光选择性剥离技术，在蓝宝石氮化物晶圆上实现LED基同质集成光电子芯片(Optica 5, 564-569 (2018))。沙特阿卜杜拉国王科技大学Ooi教授和美国加州大学圣巴巴拉分校Nakamura教授小组在蓝宝石氮化物晶圆上，研制出基于氮化物激光器的同质集成光电子芯片(Opt. Express 26, A219(2018))。中科院苏州纳米所孙钱小组在硅衬底氮化物晶圆上，研制出基于氮化物激光器的同质集成光电子芯片(IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 24, 8200305 (2018))。在NRZ-OOK调制方式下，InGaN/GaN量子阱二极管可实现Gbps的光发射、调制和探测速率(Appl. Phys. Express 13, 014001 (2020))。这些工作表明研发基于光子传输的化合物半导体同质集成光电子芯片以实现片上光子通信是可行的。   二、总体结构设计及工艺流程 本项目提出的同时通信/感知一体化光电子芯片基于常规的蓝宝石衬底氮化镓基多量子阱LED外延片进行设计，无需特殊定制的外延结构。以典型的2寸氮化镓基蓝光LED外延片为例，其外延片结构如图2所示，从下至上依次为蓝宝石衬底、AlGaN缓冲层、未掺杂GaN层、N型GaN层、InGaN/GaN多量子阱层和P型GaN层，通过调节InGaN/GaN多量子阱层的参数（层厚度与In的比例等等）可制备具有不同中心波长的光源器件。   图3为本项目所提出的同时通信/感知一体化光电子芯片结构。在蓝宝石衬底的氮化物晶圆上通过刻蚀和沉积等一系列晶圆级微纳加工技术，制备出单片集成的InGaN/GaN多量子阱LED和PD。光子芯片的P、N电极可以采用倒装技术直接与基板相连，光线从透明的蓝宝石衬底发出，这样不仅使得器件具有优良的电性能和热特性而且简化了其后期的封装工艺。 三、技术创新优势 1、同一块晶圆上集成LED和PD使得两者间距离大大缩短，不仅有助于增强PD对蓝宝石表面反射光线的耦合，提升感知系统性能，而且缩小了器件整体外形，符合集成电子器件小型化、便携化的发展趋势； 2、单片集成的LED和PD器件相比于传统异质的、分立的LED和PD简化了封装形式和工艺，不再需要对LED和PD进行单独的封装，而且同质集成器件的基板也较异质结构的简单统一，极大地缩短了集成系统的制作周期； 3、同时通信/感知一体化光电子芯片采用相同的工艺就可以制作出LED和PD，简化了生长异质材料的复杂性，缩短了器件流片的周期，使用同一工艺就可将LED和PD进行批量生产，有效地降低了生产成本。 四、实验验证 本项目团队所在的Peter Grünberg研究中心拥有完整的LED器件制备、光电性能测试与电学性能测试平台，并且项目成员积累了丰富的测试技术与经验，能够满足本项目的同时通信/感知一体化光电子芯片测试同时表征光电参数与电学参数的需求。下图4所示为器件形貌表征图，从左边依次是扫描电镜图、光镜图、原子力显微镜图。   基于通信感知一体化芯片，本项目利用单个多功能集成器件成功实现了对人体脉搏的监测功能，如图5所示。   另外基于通信感知一体化氮化镓光电子芯片，我们还实现了照明、成像和探测功能为一体的LED阵列系统，如图6所示。该系统可以在点亮照明的同时，实现对外界光信号的探测与感知，通过后端系统处理后，再将信息通过阵列显示出来，实现多种功能的集成。 项目负责人王永进教授是国家自然基金委优秀青年项目、国家973项目获得者，他以第一或通讯作者身份在Light-Sci Appl.等主流学术期刊发表一系列高质量研究论文，获授权中国发明专利23项，美国发明专利2项，被National Science Review、Semiconductor Today等做9次专题报道，荣获2019年中国电子学会科学技术奖（自然科学）、2019年南京市十大重大原创成果奖等。

在大尺寸宽禁带/半导体单晶衬底外延设备、材料生长等方面做出了突出的工作。2001年始，研制出国内第一台用于氮化镓（GaN）衬底的卤化物气相外延（HVPE）系统，研究发展了获得高质量GaN衬底所需的所有关键技术并拥有自主知识产权，在氮化镓单晶衬底设备和材料技术领域已获授权国家发明专利30余项、申请国家发明专利30余项。在国内最早研制出2英寸毫米级GaN单晶衬底，建成6英寸HVPE系统并实现7片2吋及4-6吋GaN均匀生长；研究出创新性的GaN衬底批量制备技术，即将进行高质量、低成本GaN衬底的产业化应用，为第三代半导体应用奠定了材料基础。