苏州市古代天文计时仪器研究所 苏州市华夏科技展示品制作公司创建于1993年，是苏州市科协下属机构，和苏州市古代天文计时仪器研究所是二个独立法人集体企业，由高级工程师、研究员和高级技工组成，陈凯歌高级工程师出任经理、所长，下属有木工、雕刻工场、铜铸工场、精密加工作坊及定点石雕厂等。设计与制造能力，从中国第一台能按天文数据设计的太阳系九大行星运行演示仪的成功研制，足以证明我公司的设计与制作能力。现在该天文仪器展示于黑龙江科技馆。 　　十几年来，我们已开发了： 　　1、中国古代科技成果，如指南车、记里鼓车、针灸铜人、火龙出水、龙骨水车等83种复原模型，每件制作精细，保持原有功能。 　　2、中国古代天文仪器也是88种。如北宋苏颂水运仪象台、浑仪、简仪、浑象、元齐政楼铜壶滴漏、龙舟香漏、赤道经纬仪、黄道经纬仪等。 　　3、明清时期古董钟表40多种，如郭守敬大明殿灯漏、铜人敲钟机械钟、插屏钟等。 　　4、我们研制了很多现代天文仪器与科技模型，如太阳系九大行星演示仪、大型精密三球仪、九星秤、大型彩色立体景泰蓝会发光会讲话的铜质地球仪等。 　　5、我们为大、中、小学制作了几百件教具，为上海、苏州、昆山等地学校，建立了十座校办天文馆、科技馆。我们还为上海教育系统编制的新教具制作了16.8万件。 　　十几年来我们已为很多科技馆、博物馆、天文馆制作了各种科技展品： 　　1、紫金山天文历史博物馆　　　2、河南博物院 　　3、上海天文台　　　　　　　　4、陕西天文台　　5、北京天文馆　　　　　　　　6、内蒙古师范大学　　7、中国科技馆　　　　　　　　8、江苏科学宫　　9、黑龙江科技馆　　　　　　　10、山东省科技馆　　11、香港科学馆　　　　　　　　12、烟台德胜科技馆　　13、台湾高雄天文教育馆　　　　14、南京博物院　　15、福州科技馆　　　　　　　　16、四川科技馆　　17、南京市青少年科技活动中心　18、北京钟鼓楼文物保管所　　…… 　　苏州市华夏科技展示品制作公司、苏州市古代天文计时仪器研究所，自己在金庭镇缥缈峰旅游区创办了中国民间规模最大的“华夏天文博物馆”，中科院国家天文台名誉台长王绶绾院士亲自提写馆名并赠送一副精美对联。其古代天文仪器展品品种之多，目前可称中国第一。 　　自公司成立之日开始，我们决心为海内外科技馆、博物馆、科技公园、学校、旅游景区乃至大型主题公园提供良好服务，我们出售的展品长期负责保修与服务。 　　为适应形势发展需要，我们把中华古代科技展品用现代的设计理念和现代化的技术手段融合起来，集展品、场景灯光、当地历史文化、特技于一体的展示方法，并组成一个一个专题，使每件古展品能演示、可参与，使展品更具有人性化、人情化、更能达到激发兴趣、开阔眼界、思维，培育爱国精神，提高素质的目的。

YK101危化品智能安全柜整柜采用为双层1.2mm优质冷轧钢板，增加强度，防火性能更好。内层隔板为钢化玻璃材质，防腐蚀性更强，具有防爆性能。柜体结合了RFID技术以及称重技术，便捷、高效、操作简单，采用刷卡、人脸识别、双锁控制等方式打开柜门，实现特殊试剂的出入和使用详情自动记录，支持电子台账生成导出。  智能柜符合ISO18000-6C协议，外型简洁美观，质量稳定、性能可靠，支持多标签读取，采用网口等多种接口进行数据传输，是一款高性能、操作方便的专用危化品智能柜。

YK102危化品智能安全柜小巧简洁，适合小剂量存储需求用户。整柜采用为双层1.2mm优质冷轧钢板，增加强度，防火性能更好。内层隔板为钢化玻璃材质，防腐蚀性更强，具有防爆性能。柜体结合了RFID技术及条码技术，便捷、高效、操作简单，采用刷卡、人脸识别等方式打开柜门，实现特殊试剂的出入和使用详情自动记录，支持电子台账生成导出。  

研究背景 芯片是人类最伟大的发明之一，也是现代电子信息产业的基础和核心。小到手机、电脑、数码相机，大到6G、物联网、云计算均基于芯片技术的不断突破。半导体光刻工艺水平的发展是以芯片为核心的电子信息产业的基石，目前半导体光刻的制造工艺几乎是摩尔定律的物理极限。随着制造工艺的越来越小，芯片内晶体管单元已经接近分子尺度，半导体制作工艺的“瓶颈效应”越来越明显。随着全球化以及科技的高速发展，急剧增长的庞大数据量要求数据处理模型和算法结构不断优化升级，带来的结果就是对计算能力和系统功耗的要求不断提高。而目前智能电子设备大多存在传输瓶颈、功耗增加以及计算力瓶颈等现象，已越来越难以满足大数据时代对计算力与功耗的需求，因此提高运算速度同时降低运算功耗是目前信息工业界面临的紧要问题。 如当年集成电路开创信息时代一样，当下已经普及的光通信正在成为新革命力量的开路先锋。与此同时，光子芯片正在从分立式器件向集成光路演进，光子芯片向小型化、集成化的发展趋势已是必然。相对于电子驱动的集成电路，光子芯片有超高速率，超低功耗等特点，利用光信号进行数据获取、传输、计算、存储和显示的光子芯片，具有非常广阔的发展空间和巨大的潜能。 项目功能 本项目瞄准光通信关键技术及核心芯片，基于量子阱二极管发光探测共存现象，探索关键微纳制造技术，研制出可以同时实现通信、感知功能的一体化光电子芯片。 技术路线 一、技术原理及可行性 本项目主要负责人王永进教授发现如图1所示的量子阱二极管发光探测共存现象，首次研制出同质集成发射、传输、调制和接收器件的光电子芯片，这些原创工作引起了业界相关科研小组地广泛关注，化合物半导体同质集成光电子芯片成为研究热点。香港大学的蔡凯威小组和申请人合作提出湿法刻蚀和激光选择性剥离技术，在蓝宝石氮化物晶圆上实现LED基同质集成光电子芯片(Optica 5, 564-569 (2018))。沙特阿卜杜拉国王科技大学Ooi教授和美国加州大学圣巴巴拉分校Nakamura教授小组在蓝宝石氮化物晶圆上，研制出基于氮化物激光器的同质集成光电子芯片(Opt. Express 26, A219(2018))。中科院苏州纳米所孙钱小组在硅衬底氮化物晶圆上，研制出基于氮化物激光器的同质集成光电子芯片(IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 24, 8200305 (2018))。在NRZ-OOK调制方式下，InGaN/GaN量子阱二极管可实现Gbps的光发射、调制和探测速率(Appl. Phys. Express 13, 014001 (2020))。这些工作表明研发基于光子传输的化合物半导体同质集成光电子芯片以实现片上光子通信是可行的。   二、总体结构设计及工艺流程 本项目提出的同时通信/感知一体化光电子芯片基于常规的蓝宝石衬底氮化镓基多量子阱LED外延片进行设计，无需特殊定制的外延结构。以典型的2寸氮化镓基蓝光LED外延片为例，其外延片结构如图2所示，从下至上依次为蓝宝石衬底、AlGaN缓冲层、未掺杂GaN层、N型GaN层、InGaN/GaN多量子阱层和P型GaN层，通过调节InGaN/GaN多量子阱层的参数（层厚度与In的比例等等）可制备具有不同中心波长的光源器件。   图3为本项目所提出的同时通信/感知一体化光电子芯片结构。在蓝宝石衬底的氮化物晶圆上通过刻蚀和沉积等一系列晶圆级微纳加工技术，制备出单片集成的InGaN/GaN多量子阱LED和PD。光子芯片的P、N电极可以采用倒装技术直接与基板相连，光线从透明的蓝宝石衬底发出，这样不仅使得器件具有优良的电性能和热特性而且简化了其后期的封装工艺。 三、技术创新优势 1、同一块晶圆上集成LED和PD使得两者间距离大大缩短，不仅有助于增强PD对蓝宝石表面反射光线的耦合，提升感知系统性能，而且缩小了器件整体外形，符合集成电子器件小型化、便携化的发展趋势； 2、单片集成的LED和PD器件相比于传统异质的、分立的LED和PD简化了封装形式和工艺，不再需要对LED和PD进行单独的封装，而且同质集成器件的基板也较异质结构的简单统一，极大地缩短了集成系统的制作周期； 3、同时通信/感知一体化光电子芯片采用相同的工艺就可以制作出LED和PD，简化了生长异质材料的复杂性，缩短了器件流片的周期，使用同一工艺就可将LED和PD进行批量生产，有效地降低了生产成本。 四、实验验证 本项目团队所在的Peter Grünberg研究中心拥有完整的LED器件制备、光电性能测试与电学性能测试平台，并且项目成员积累了丰富的测试技术与经验，能够满足本项目的同时通信/感知一体化光电子芯片测试同时表征光电参数与电学参数的需求。下图4所示为器件形貌表征图，从左边依次是扫描电镜图、光镜图、原子力显微镜图。   基于通信感知一体化芯片，本项目利用单个多功能集成器件成功实现了对人体脉搏的监测功能，如图5所示。   另外基于通信感知一体化氮化镓光电子芯片，我们还实现了照明、成像和探测功能为一体的LED阵列系统，如图6所示。该系统可以在点亮照明的同时，实现对外界光信号的探测与感知，通过后端系统处理后，再将信息通过阵列显示出来，实现多种功能的集成。 项目负责人王永进教授是国家自然基金委优秀青年项目、国家973项目获得者，他以第一或通讯作者身份在Light-Sci Appl.等主流学术期刊发表一系列高质量研究论文，获授权中国发明专利23项，美国发明专利2项，被National Science Review、Semiconductor Today等做9次专题报道，荣获2019年中国电子学会科学技术奖（自然科学）、2019年南京市十大重大原创成果奖等。

在大尺寸宽禁带/半导体单晶衬底外延设备、材料生长等方面做出了突出的工作。2001年始，研制出国内第一台用于氮化镓（GaN）衬底的卤化物气相外延（HVPE）系统，研究发展了获得高质量GaN衬底所需的所有关键技术并拥有自主知识产权，在氮化镓单晶衬底设备和材料技术领域已获授权国家发明专利30余项、申请国家发明专利30余项。在国内最早研制出2英寸毫米级GaN单晶衬底，建成6英寸HVPE系统并实现7片2吋及4-6吋GaN均匀生长；研究出创新性的GaN衬底批量制备技术，即将进行高质量、低成本GaN衬底的产业化应用，为第三代半导体应用奠定了材料基础。

本发明公开了一种激光辅助低温生长氮化物材料的方法及装备， 该方法将非氮元素的前驱体蒸汽和活性氮源前驱体气体分别输送到反 应腔室内温度为 250 至 800℃的衬底材料处，利用波长与活性氮源分 子键共振波长相等的激光束作用于活性氮源气体，使激光能量直接耦 合至活性氮源气体分子，加速 NH 键的断裂，提供充足的活性氮源， 使非氮元素与活性氮源发生化学反应，沉积第 III 族氮化物膜层材料， 持续作用直到沉积物覆盖整个衬底

团队与合作者首次报道了米级单晶Cu(111)衬底的制备方法，并在此基础上实现了米级单晶石墨烯的外延生长（Science. Bulletin 2017, 62, 1074）。与石墨烯不同，六方氮化硼等其它绝大多数二维材料不具有中心反演对称性，其外延生长普遍存在孪晶晶界问题：旋转180°时晶格方向发生改变，外延生长时不可避免地出现反向晶畴，而在拼接时形成缺陷晶界。 开发合适对称性的外延单晶衬底是解决这一科学难题的关键。研究团队探索出利用对称性破缺的衬底外延非中心反演对称二维单晶薄膜的新方

本发明提供了一种碳酸盐岩含硫气藏开采方法，涉及含硫气藏开采技术领域，该开采方法是先预测出含硫气藏硫沉积饱和度动态分布曲线，然后再根据所得硫沉积饱和度动态分布曲线对含硫气藏进行开采。利用该开采方法对含硫气藏进行开采能够缓解硫溶解度不易计算且无法真实反应出开采过程的硫沉积进而导致含硫气藏在实际的开采过程中经常出现停工的技术问题，达到有效保证含硫气藏的开采能够顺利进行

本项目以高温含尘废气治理为目标，开展以高性能大规格壁流式蜂窝陶瓷为核心过滤元件的高温除尘装置的研究开发，得到了“十二五”国家科技支撑计划的支持。课题研究开发出室温至800℃平均热膨胀系数为≤1.6×10-6℃-1的超低热膨胀系数堇青石及堇青石基复合陶瓷材料；研究开发了具有自主知识产权的大规格高性能壁流式蜂窝陶瓷及其制备技术，形成了产业化中试技术，建立了中试生产线；计研发制造出以大规格壁流式蜂窝陶瓷为核心过滤元件的高温含尘烟气净化装备，烟气处理量为≥10000 m3/h，过滤后烟气粉尘浓度为≤15 mg/m3；申请发明专利7项、实用新型专利2项，发表学术论文5篇；制定大规格壁流式蜂窝陶瓷企业标准1项。课题研究成果能够很好的解决当前高温含尘废气排放超标与高温废气余热利用的关键技术难题。该课题已于2014年4月29日通过了中国轻工业联合会组织的验收，相关技术与性能指标达到国际同类产品先进水平。