本发明公开了一种可见光通信中信道冲激响应抽头个数的估计方法，属于可见光通信技术领域。该估计方法基于马氏距离来进行判别的，该距离计算的是协方差距离，考虑了数据之间的相关性。将冲激响应循环前缀之后的所有点作为噪声类，而循环前缀中选取前面一部分点作为冲激响应类，剩余点为待判断点，根据马氏距离来判断待判断点属于哪一类。通过上述方法估计信道冲激响应抽头个数，均方误差性能相比传统的以CP作为冲激响应的方法有所提高。在低信噪比下，性能相比精确知道冲激响应抽头时也有所提升，在高信噪比下相当。

本发明公开了光空间调制通信系统中ＬＥＤ个数任意时的比特映射方法。一般情况下，光通信中的空间调制都限定发送端ＬＥＤ的个数是２的幂次方。然而，实际部署的ＬＥＤ个数不一定正好是２的幂次方。针对这一问题，本发明提出了光空间调制系统中发送端ＬＥＤ个数任意的比特映射方法。所述方法主要包括三个步骤：空间域的比特映射、信号域的比特映射、加入信道信息之后的比特映射。经过以上三个步骤便能得出相应场景下性能较好的空间调制映射方式，从而实现了发送端个数任意的可见光空间调制的信息传输。

本发明成果包括一种快速响应的光开关，采用两基板同为周期交替且相邻区域取向方向相互垂直的水平取向液晶盒:液晶盒盒厚为5±2μm，两个相邻取向的宽度之比为1:1；包括上下二片ITO 玻璃基片及涂覆的光敏取向剂，并经过线偏振紫外或蓝光片对ITO 玻璃基片上光敏取向剂进行曝光，赋予两基片预设的取向方向；灌入双频液晶，制成一个可调节的液晶光栅，实现光开关功能，具有

本实用新型公开了一种光引擎模组热响应测试平台，该光引擎模组包括铝基板、焊接至所述铝基板的单相全波桥式整流芯片、分段线性恒流驱动芯片、整列在铝基板外围的多个交流发光二极管，所述热响应测试平台包括暗箱、置于暗箱内的样件安放平台、在所述样件安放平台正上方设置的红外热成像模组、以及位于所述暗箱外并且与所述红外热成像模组信号连接的热响应分析仪，其中，所述样件安放平台上选择性地设有用于置放所述铝基板的绝热板或散热器。根据本实用新型的光引擎模组热响应测试平台通过光引擎模组老化测试过程中LED芯片、电源驱动、桥式整

本发明公开了一种高光谱图像端元个数自动估计的端元提取方 法，首先使用 PPI 算法计算高光谱图像中所有像元的 PPI 值，根据像 元的 PPI 值确定初始候选端元集，并对初始候选端元按 PPI 值由大到 小进行排序；然后依次剔除初始候选端元集中独立性最弱的候选端元， 同时获得随端元个数递减的候选端元集的重构精度曲线和端元独立性 曲线，通过寻找这两条曲线变化的显著性位置确定端元个数的取值范 围；最后利用 SGA 算法获取不同端元个数下的二次选择候选端元集， 根据这些候选端元集所构成的重构精度曲线，确定最终的端元个数， 同时获得最终的端元提取结果。本发明不需要事先给定端元的个数， 有利于端元提取的自动化处理，同时提取的端元准确性高。 

传统的CCD、CMOS硅基成像器件都不能响应紫外波段的光信号，这是因为紫外波段的光波在多晶硅中穿透深度很小（<2nm）。但是近年来随着紫外探测技术的日趋发展，人们越来越需要对紫外波段进行更深的探测分析与认识。紫外探测技术是继激光探测技术和红外探测技术之后发展起来的又一军民两用光电探测技术。几十年来，紫外探测技术已经逐渐应用于光谱分析、军事、空间天文、环境监测、工业生产、医用生物学等诸多领域，对现代科研、国防和人民生活都产生了深远的影响。特别是在先进光谱仪器方面，国内急迫需要响应波段拓展到紫外的硅基成像器件。硅基成像器件如CCD、CMOS是应用最广泛的光电探测器件。当前最先进的光谱仪器大都采用了CCD或CMOS作为探测器件，这是因为CCD、CMOS具有灵敏度强、噪声低、成像质量好等优点。但由于紫外波段的光波在多晶硅中穿透深度很小（<2nm），CCD、CMOS等在紫外波段响应都很弱。成像器件的这种紫外弱响应限制了其在先进光谱仪器及其他领域紫外波段探测的使用。 在技术发达国家,宽光谱响应范围、高分辨率、高灵敏度探测器CCD已经广泛应用于高档光谱仪器中。上世纪中叶美国Varian公司开发的Varian700 ICP-AES所使用的宽光谱CCD检测器分辨率达0.01nm,光波长在600nm和300nm时QE分别达到了84%和50%；美国热电公司开发的CAP600 系列ICP所用探测器光谱响应范围更是达到165～1000nm，在200nm时的分辨率达到0.005nm.法国Johinyvon的全谱直读ICP，其所用的CCD探测器像素分辨率达0.0035nm,紫外响应拓展到120nm的远紫外波段。德国斯派克分析仪器公司的全谱直读电感耦合等离子体发射光谱仪一维色散和22个CCD检测器设计，其光谱响应范围为120－800nm。德国耶拿JENA 连续光源原子吸收光谱仪contrAA采用高分辨率的中阶梯光栅和紫外高灵敏度的一维CCD探测器，分辨率达0.002nm,光谱响应范围为189—900 nm。总而言之，发达国家在宽光谱响应和高分辨率高灵敏度探测器件的研制领域已取得相当的成就。主要技术指标和创新点（1）  我们在国内首次提出紫外增强的硅基成像器件，并在不改变传统硅基成像探测器件的结构的基础上，利用镀膜的方法增强成像探测器件CCD、CMOS的紫外响应，使其光谱响应范围拓宽到190—1100nm，实现对190nm以上紫外光的探测。（2）  提高成像探测器的紫外波段灵敏度，达到0.1V/lex.s。（3）  增强成像探测器件的紫外响应的同时，尽量不削弱探测器件对可见波段的响应。（4）  选用适合的无机材料，克服有机材料使用寿命短的缺陷。 紫外探测技术已经逐渐应用于光谱分析、军事、空间天文、环境监测、工业生产、医用生物学等诸多领域，对现代科研、国防和人民生活都产生了深远的影响。特别是在先进光谱仪器方面，国内急迫需要响应波段拓展到紫外的硅基成像器件，该设计与传统CCD、CMOS结合，能满足宽光谱光谱仪器所需的紫外响应探测器的需要。能提高光谱仪器光谱响应范围，在科学实验和物质分析和检测中具有很广的市场前景。 该设计样品能取代传统CCD、CMOS，应用于大型宽光谱光谱仪器上，作为光谱仪的探测器件。将传统光谱仪器的光谱检测范围拓宽到190—1100nm. 实现紫外探测和紫外分析。具有较强的市场推广应用价值。

一种半桥LLC谐振变换器中的高频中间抽头平面变压器，采用八层结构，原边绕组位于第一、三、六、八层，两个副边绕组分别位于第二、七层和四、五层，原边附加绕组包括两个矩形的附加绕组，第一、三、五、七层的绕组串联构成一个附加绕组，第二、四、六、八层的绕组串联构成另一个附加绕组，相邻两层之间的附加绕组交叉设置，且相邻两层之间的附加绕组之间采用完全正对绕制，使两个附加绕组之间的等效电感Lr’和等效电容Cr’替代谐振网络中分立的谐振电感Lr和谐振电容Cr，励磁电感Lm由中间抽头平面变压器提供，通过磨磁芯的气隙来获得需要的励磁电感值；原边绕组或副边绕组分别位于该层相应的矩形附加绕组之内。

传统的陶瓷氧化物湿度传感器由于其具有较好的稳定性而得到广泛的应用。但其响应的速度较慢，无法满足越来越多的实时湿度监测的要求。而新型的无铅双钙钛矿材料Cs2BiAgBr6不仅优异的湿敏特性，同时在大气环境下具有良好的稳定性。该湿度传感器具有快速的响应（1.78 s）和恢复速度(0.45 s)。通过分析该材料在不同的温度下的湿度响应，发现水分子在无铅双钙钛矿表面的物理吸附效应是材料的主要湿敏机理。

紫外探测技术是继激光探测技术和红外探测技术之后发展起来的又一军民两用光电探测技术。几十年来，紫外探测技术已经逐渐应用于光谱分析、军事、空间天文、环境监测、工业生产、医用生物学等诸多领域，对现代科研、国防和人民生活都产生了深远的影响。特别是在先进光谱仪器方面，国内急迫需要响应波段拓展到紫外的硅基成像器件。先进光谱仪器是集光、机、电和计算机于一体，技术密集的高科技产品。它是现代科技必不可少的精密检测和分析手段，是现代天文学、航空航天、分子生物学、现代医学、环境和生态等新科技建立和发展的基础。国家对发展先进光谱仪器和研制光谱仪器用的探测器件非常重视，“十一五”国家科技支撑计划专门设立了科学仪器设备研制与开发专项“先进大型光谱仪器的关键部件——高分辨分光器件和探测器件的研制”，技术人有幸成为承担该课题的主要研究人员，负责高分辨探测器件的研制工作。 硅基成像器件如CCD和CMOS是最广泛应用的光电探测器，而且先进的光谱仪器都采用了CCD或CMOS作为探测器件，这是因为CCD和CMOS具有灵敏度高、低噪声等优点。但由于紫外波段的光波在多晶硅中穿透深度很小（<2nm），一般的硅基成像器件如CCD、CMOS等都在紫外波段响应很弱，这种很弱的紫外响应限制了硅基成像器件在先进光谱仪器及其他紫外波段探测方面的使用。 因此，本技术的研究成果硅基成像器件的紫外响应增强薄膜是经济建设和社会发展迫切需要。 增强硅基成像器件的紫外响应，目前有两种方法：一是改变硅基探测器的结构，如背照式CCD；另外一种是在现有的成像器件光敏窗口加镀一层下变频膜，把紫外光先转化为可见光，然后再接收。国外自1980年起就开始增强硅基探测器紫外响应的下变频薄膜研究，按使用材料的属性，可以把变频膜分为有机变频膜和无机变频膜两种。有机变频膜技术相对成熟，也有相关的专利出现。哈勃太空望远镜CCD、星球相机（WFPC）CCD和Photometrics等公司提供的响应波段延伸到紫外的CCD都是镀的有机变频膜。目前紫外增强有机变频膜可使普通CCD的响应波段延伸到200nm，Roper Scientific公司开发的Metachrome II薄膜在120-430nm波段都具有良好的下变频效果。有机变频膜技术尽管成熟，但该类薄膜有着致命的缺点，那就是有机物分子在紫外辐射下降解速度很快。在照明度为1μW/cm2的光照下，有机分子以高达每小时3%的速率成指数降解。在这一方面，而无机变频膜具有不可比拟的优点。无机变频膜材料可以在它使用期限的前2%时间里，减少90%的降解量，因此，无机变频膜具有非常优越的稳定性。在无机变频膜方面，国外研究也刚起步，最早的报道见于2003年[1]，目前尚无成熟的增强硅基成像器件的紫外无机变频膜技术。国内在有机和无机变频膜方面，都没有已见报道的研究工作。  为了提高探测器对紫外辐射的敏感性，我们采取了在硅基成像器件光敏窗口上镀变频膜的办法，成功地使CCD及CMOS的响应波段拓展到150nm。该产品可广泛应用在光谱分析、军事、空间天文、环境监测、工业生产、医用生物学等诸多领域，对推动国家的科研和产业在这些领域的发展有极大帮助。

极端降雨随气候变化的物理过程研究目前尚很不足。一般来说，当气候变暖时，空气中水汽的（绝对）含量也会增多，那么降雨发生时产生的雨量也会增多。由此可以推断，如果只考虑大气水分增加，那么极端降雨强度随温度的增幅应为约7％每度（即遵从饱和水汽压的克劳修斯－克拉珀龙方程）。然而，在实际天气过程中，大气运动对降雨的影响也至关重要。 使用一个新颖且简化的模型，聂绩等通过模拟美国德克萨斯州2015年5月的一次灾害性极端降雨过程，模拟并量化分析了大气大尺度运动和小尺度对流之间的耦合，同时模拟了在工业化增温前（较于现在气温低1.5度）和本世纪末（较于现在增温4.5度）的情景下，发生在同一地区的极端降雨事件产生的降雨量差异（图1）。结果表明，在更暖的气候下的背景下，由于大气中的水汽增多（7％每度），凝结释放的潜热也会增多，导致更强的大气抬升运动；另外，潜热释放也将改变大气垂直层结。其结果是，极端降雨事件随气温的增加可能会是单纯水汽增多的效果的两倍左右（～14％每度）。 该研究为理解极端降雨事件对全球变暖的响应提供了新的认识，所使用的模拟和分析方法为理解极端降雨气候响应的区域特征提供了新的思路。图1: 观测和模拟的德克萨斯州极端事件的日降雨量；横轴是日期，纵轴是降雨量（毫米每天）。(a): 当前气候态下的模拟（黑色直方图）。各蓝色直方图是三套观测数据，蓝色粗线条是观测值的平均。数值模拟和观测结果较为吻合。(b): 工业化增温前（较于现在气温低1.5度；蓝色）和本世纪末（较于现在增温4.5度；红色）气候下，模拟的该地区极端降雨事件的雨量。通过和当前气候态模拟结果（黑色）的比较，可见极端降雨量随升温的增强非常显著（～14％每度）。