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一种溴铅铯单晶制备方法
本发明公开了一种溴铅铯单晶制备方法，采用镀有碳膜的具有 圆锥形尖端的安瓿装载溴铅铯粉料，具体包括如下步骤：将安瓿抽真 空密封；对安瓿按其圆锥形尖端到溴铅铯粉料顶端的方向梯度加温， 使置于安瓿中的溴铅铯粉料充分熔化；对安瓿缓速降温，直到溴铅铯 粉料顶端的温度比溴铅铯的凝固点低 0～5℃后保温，完成溴铅铯单晶 生长；对溴铅铯单晶分阶段降温：第一阶段快速降温，使溴铅铯单晶 快速冷却；第二阶段慢速降温，实现溴铅铯单晶晶体相变
华中科技大学
2021-04-14
一种磁隧道结及其制备方法
本发明公开了一种磁隧道结及其制备方法。磁隧道结包括第一 电极层，以及依次形成在第一电极层上的第一磁性层、绝缘隧穿层、 第二磁性层和第二电极层；第一磁性层和第二磁性层至少其中之一为 CoFe(R)/FePt 结构；CoFe(R)/FePt 结构由 CoFe(R)层和 FePt 层叠加而 成，CoFe(R)层较 FePt 层靠近所述绝缘隧穿层；CoFe(R)层的材料为掺 入 R 的 CoFe，R 为 B、Al 和 Ni 至少其中之一。
华中科技大学
2021-04-14
一种颈椎按摩仪及其控制方法
本发明公开一种颈椎按摩仪，包括按摩头驱动装置和固定装置，按摩头驱动装置包括按摩头、楔行滑块、楔行滑块驱动电机、按摩头装置驱动电机；按摩头上下移动用于对颈椎施加力的作用，楔行滑块驱动电机驱动楔行滑块前后移动，从而使按摩头上下移动，按摩头装置驱动电机用于驱动按摩头装置水平方向移动从而按摩不同的颈椎关节；固定装置包括头部固定带、颈部提升块、肩部固定块，分别用来固定头部、颈部和肩部的位置，从而使按摩头能准确的依次对各个颈
华中科技大学
2021-04-14
一种人工气候室控制方法
本发明是一种人工气候室的控制方法，通过传感器元件实时检测气候室内部的温度、湿度，并用滤波器对信号进行滤波处理，滤除外界或传感器干扰带来的信号扰动。然后在考虑光照产热作用的情况下，控制器采用带预测的滞后鲁棒控制处理算法，稳定、准确地控制气候室内部的温度、湿度，采用灯光分级前馈的方法直接设定光照度，最后通过执行器作用于人工气候室。该控制方法采用最少的操作动作，在最小能耗下实现人工气候室温度、湿度及光照的高效控制。
华中科技大学
2021-04-14
一种非金属杂质检测方法
本发明公开了一种非金属杂质检测方法，包括以下步骤:1)将 平板电容器与直流电源连接，使平板电容器的两电极板之间形成稳定 电场;将平板电容器与信号处理装置连接，以在信号处理装置中显示 平板电容器的电容值的信号波形;2)使被测导磁件从平板电容器的两 电极板之间通过;3)观察信号处理装置中获得的平板电容器的电容值 的信号波形是否存在突变区域，以判断被测导磁件上是否存在非金属 杂质。本发明通用性强，信号处理装置集成信号读取和输出功能，用 于检测杂质的装置具有体积小、重量轻、通用性强、造价低等优点， 能极好地
华中科技大学
2021-04-14
一种非金属杂质检测方法
本发明公开了一种非金属杂质检测方法，包括以下步骤：1)将 平板电容器与直流电源连接，使平板电容器的两电极板之间形成稳定 电场；将平板电容器与信号处理装置连接，以在信号处理装置中显示 平板电容器的电容值的信号波形；2)使被测导磁件从平板电容器的两 电极板之间通过；3)观察信号处理装置中获得的平板电容器的电容值 的信号波形是否存在突变区域，以判断被测导磁件上是否存在非金属 杂质。本发明通用性强，信号处理装置集成信号读取和输出功能，用 于检测杂质的装置具有体积小、重量轻、通用性强、造价低等优点， 能极好地
华中科技大学
2021-04-14
一种心电信号降噪方法
本发明公开了一种心电信号降噪方法，包括以下步骤：(1)对原始心电信号进行均值滤波，计算每一信号点的梯度值 gi 及衰减系数 hi并判断该信号点为边缘信号点或非边缘信号点；(2)对原始心电信号的进行非部均值降噪，得到非局部均值预滤波结果；(3)对步骤(2)中获得的非局部均值预滤波结果，根据步骤(1)获得的梯度值 gi 结果修正。本发明对不同的心电信号波段，自适应调整衰减系数，有效抑制心电信号中噪声的同时更好地保护信号细节，滤波效果良好。
华中科技大学
2021-04-14
一种生物电极及其制备方法
本发明公开了一种生物电极及其制备方法。所述生物电极包括绝缘外壳和电极线，所述电极线包括多个工作电极线、一个或多个参比电极线和对电极线，所述电极线侧表面包覆有绝缘蜡，树脂封装于绝缘外壳中，所述外壳尖端开口，其尖端开口口径在 0.4mm 至 2mm之间，所述电极线的检测端通过所述开口与待测生物样本接触。其制备方法包括以下步骤：(1)将绝缘蜡溶解于易挥发的有机溶剂中得到绝缘液，均匀涂覆在电极线侧表面，待有机溶剂挥发；(2)将电极线同时插入绝缘外壳中，将树脂灌入外壳，固化后，将外壳尖端打磨光滑。本发明提供的
华中科技大学
2021-04-14
低导通电阻 VDMOS 器件及制备方法
本发明公开了一种低导通电阻 VDMOS 器件及制备方法，在传统的 VDMOS 器件结构中引入一块与 源区掺杂杂质相同的掺杂区。该掺杂区位于栅氧层正下方且与基区和栅氧层紧密接触。相应地，新掺杂 区上方的栅极采用中空结构。本发明 VDMOS 器件可有效降低沟道导通电阻和颈区电阻，从而降低 VDMOS 器件的导通电阻；同时，采用中空结构的栅极既可避免新掺杂区对击穿电压的影响，也可降低 栅极与漏极间结电容，提高 VDMOS 的开关速度。本发明方法工艺简
武汉大学
2021-04-14
基于移动协助的延迟容忍网络路由方法
本发明涉及基于移动协助的延迟容忍网络路由方法。在网络模型建立阶段，本发明在网络中设置了缓冲区、缓存节点以及按照某种固定轨迹移动的基站。普通的传感器节点进行数据的收集，然后节点将数据转发至位于缓冲区域内固定设置的缓存节点。移动基站在缓冲区域内按照特定的轨迹周期性地移动，并在移动的过程中收集缓存节点的数据。在设计基站的移动轨迹时，通过均衡移动基站轨迹内的节点和轨迹外的节点将数据转发至基站的传输延迟与能量消耗进行设计。在数据路由阶段，本发明在该网络模型下的数据路由中，同时考虑了节点的运动状态和节点的剩余能量。通过利用移动协助的网络模型以及合理的数据路由，有效的延长了网络寿命和数据传输成功率。
四川大学
2016-10-11