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广州市展科教学仪器有限公司 2021-08-23
关于印发《黑龙江省野外科学观测研究站管理办法》的通知
为深入贯彻落实《国务院关于全面加强基础科学研究的若干意见》(国发〔2018〕4号),加强和规范黑龙江省野外科学观测研究站(以下简称省野外站)的建设和运行管理,根据《国家科技创新基地优化整合方案》(国科发基〔2017〕250号)《国家野外科学观测研究站管理办法》(国科发基〔2018〕71号)和《黑龙江省关于的实施方案》等有关规定,结合我省实际,制定本办法。
黑龙江省科学技术厅 2024-11-12
一种镁合金喷印浆料及其制备方法
一种镁合金喷印浆料及其制备方法,浆料按重量百分比计,包括5?50wt%的镁合金颗粒,质量占比10?40%的改性聚乳酸颗粒及余量助剂;所述助剂,由溶剂、稠度调节剂、活性剂及触变剂组成;所述镁合金颗粒为AZ31镁合金,粒径为25?38μm。方法是:称取溶剂、稠度调节剂并混合搅拌,再用三辊机剪切加入触变剂和活性剂,称取聚乳酸、纳米羟基磷灰石、溶剂及分散剂并混合,称取镁合金颗粒与改性聚乳酸颗粒并与助剂混合。采用上述技术方案,通过加入特定粒径的改性聚乳酸颗粒,在浆料受力发生滑动时,起到一个小颗粒对镁合金大颗粒的润滑作用,提高了浆料的喷印性能。
东南大学 2021-04-11
一种阵列化电流体动力喷印头
本发明公开了一种阵列化电流体动力喷印头,包括墨盒、和位于墨盒中部将该墨盒内腔分隔为上腔和下腔的喷嘴板,所述喷嘴板上布置有呈阵列布置的喷嘴孔,该喷嘴孔贯通所述上腔和下腔,所述墨盒下部底面上设置有对应呈阵列布置的墨液出口,所述喷嘴板下底面上设有上电极,墨盒下底面上设有下电极,从而在所述下腔内形成电场,上腔内的墨液穿过喷嘴孔进入下腔,在下腔电场的作用下形成射流,通过墨液出口喷出进行喷印。本发明采用电流体动力喷印机理,射流直径可达到 1~10 微米,不受喷嘴直径影响,而且射流拖拽力较大,适用与高粘度溶液,且
华中科技大学 2021-01-12
一种辛香喷鼻纳米乳剂及其制备方法
【发 明 人】韩新民;付廷明;吴拥军;尹东奇;杨江;韩江;田云龙;袁海霞;刘文侠 【摘要】 本发明公开了一种辛香喷鼻纳米乳剂及其制备方法,涉及医药领域。本发明将辛夷、广藿香、苍耳子、细辛四味中药材用挥发油提取器提取挥发油,然后对挥发油进行包合,最后将包合物复溶于含有对羟基苯甲酸乙酯的超纯水中制得辛香喷鼻纳米乳剂。该乳剂对于治疗儿童变应性鼻炎能有效改善喷嚏、流鼻涕、鼻塞、鼻痒以及次症症状,减轻下鼻甲肿胀,并且在治疗前后均未发现有不良反应者。
南京中医药大学 2021-04-13
等离子体荷电干式喷钙脱硫系统
项目简介 本成果是一种在输送管道中脉冲电场活化干式喷钙烟气脱硫方法和装置,属气体放 电物理、大气压等离子体物理和环境工程等技术领域。本发明的目的是为解决荷电干式 吸收剂喷射脱硫技术(CDSI)存在的脱硫率较低,Ca/S 比较高,脱硫剂利用率不足以及 运行费用高的问题,提供了在输送管道中脉冲电场活化干式喷钙烟气脱硫方法。该脱硫 方法结合了 CDSI 法的特点,研制了在输送管道中脉冲电场活化干式喷钙烟气脱硫系统, 可直接
江苏大学 2021-04-14
卓越工程师产教融合培养工作推进会召开
会议系统总结卓越工程师培养改革工作进展,对下一步深化改革作出部署。
教育部 2024-09-29
水溶性丙烯酸酯特种胶黏剂
本成果以水溶性丙烯酸酯树脂为基体制备特种胶黏剂,胶黏剂可与水任意比例混合,VOC含量低,无刺激性气味。胶黏剂在基材表面干燥后,室温状态下为无色透明薄膜,在一定温度下软化并具有一定粘结性,继续升温并保持一段时间后可以形成热固性树脂,具有较高的粘结强度。本成果已经通过中试试验,产品质量稳定,具有进行大规模生产的前景和能力。
哈尔滨理工大学 2021-05-04
248-nm光刻胶研发与产业化
目前半导体光刻加工用的深紫外光刻胶都采用化学增幅体系,这种体系主要由含酸敏基团的成膜材料和光产酸剂组成,这种体系最大的问题是光产酸在后烘阶段会发生酸迁移,导致光刻分辨率难以提高。能够有效改善酸迁移问题的一种方法是采用高分子光产酸剂,且其光产酸是高分子强酸。 课题组研制了一系列新颖的含多种鎓盐光产酸基团的苯乙烯衍生物及其与甲基丙烯酸酯的共聚物。它们在曝光过程中产生大分子的磺酸,因此可作为大分子光产酸剂与其它成膜材料一起组成化学增幅型光致抗蚀剂。 以之为产酸剂与其它部分保护的对羟基苯乙烯聚合物一起组成二组分的化学增幅型248-nm光刻胶, 制备了苯乙烯磺酸鎓盐和甲基丙烯酸酯、对羟基苯乙烯的三元共聚物,再用可酸分解的叔丁基碳酸酯保护部分酚羟基,由其组成了单组分的化学增幅型248-nm光刻胶,这些正型248-nm光刻胶获得了高感度(20-50mJ/cm2)、高分辨率(0.15-0.20微米)和留膜率(>99%)及图形线条平滑陡直等的出色表现。  利用高分子产酸剂透明性好的特点,还制备了厚膜248-nm光刻胶,可获得线宽0.34微米、高-宽比可达5:1的光刻图形:  在此基础上,还制备了负型248-nm光刻胶,这些光刻胶也都获得了很好的光刻成像性能表现。这些高分子光产酸剂也可用于制备新型的高性能193-nm光刻胶。 这些248-nm光刻胶的主要组分除了溶剂外都是自行制备,原料易得,反应条件温和可控,去金属杂质的方法也是简便易行,成本相对低廉,在经过多年的深入研究之后,完全具备了产业化的条件。 半导体加工的关键设备、材料主要掌握在美、日手中,对我国电子工业的平稳发展带来困难和潜在的巨大威胁。其中光刻胶作为芯片光刻加工的关键材料,日本公司的产品占据全球市场的70%以上,而我国在中高端产品上(248-nm光刻胶、193-nm光刻胶)完全依赖进口,即便是低端的i-线光刻胶国产化率也只有20%左右。因此,我们必须尽快扭转这种不利的局面,这需要科研工作者和产业界共同努力以及政府的大力支持。     近年来光刻胶引起了社会的广泛关注,已有多家企业开始投身于248-nm光刻胶与193-nm光刻胶的研发与产业化,但绝大部分仍处于研发阶段。我们研制的光刻胶具备了产业化的技术条件并具有与国外先进光刻胶产品竞争的产品性能。    半导体加工用光刻胶种类较多,本课题组从2002年参与国家十五“863”光刻胶重大专项开始,至今近二十年来聚焦于光刻胶研究,在i-线胶、248-nm光刻胶、聚酰亚胺光刻胶、厚膜光刻胶及抗反射涂层材料等方面都取得了很好的结果,也在致力于这些光刻胶产品的产业化。 相关项目、专利及文章: 1.国家重大科技专项(02专项)子课题,课题编号:2010ZX02303(深紫外光刻胶专用光致产酸剂及新型成膜树脂的扩试技术研究) 2.国家自然科学基金应急管理项目,51641301, 含光产酸基团的苯乙烯衍生物-甲基丙烯酸酯共聚物及其组成的化学增幅光致抗蚀剂研究,2016/01-2016/12 3.One-component chemically amplified resist composed of polymeric sulfonium salt PAGs for high resolution patterning,European Polymer Journal,114(2019),11-18 4.A new type of sulfonium salt copolymers generating polymeric photoacid: Preparation, properties and application,Reactive and Functional Polymers,130(2018),118-125 5.含光产酸基团的苯乙烯衍生物-甲基丙烯酸酯共聚物、其制备及其应用,中国发明专利,专利号:9。
辽宁大学 2021-04-10
248-nm光刻胶研发与产业化
目前半导体光刻加工用的深紫外光刻胶都采用化学增幅体系,这种体系主要由含酸敏基团的成膜材料和光产酸剂组成,这种体系最大的问题是光产酸在后烘阶段会发生酸迁移,导致光刻分辨率难以提高。能够有效改善酸迁移问题的一种方法是采用高分子光产酸剂,且其光产酸是高分子强酸。 课题组研制了一系列新颖的含多种鎓盐光产酸基团的苯乙烯衍生物及其与甲基丙烯酸酯的共聚物。它们在曝光过程中产生大分子的磺酸,因此可作为大分子光产酸剂与其它成膜材料一起组成化学增幅型光致抗蚀剂。 以之为产酸剂与其它部分保护的对羟基苯乙烯聚合物一起组成二组分的化学增幅型248-nm光刻胶, 制备了苯乙烯磺酸鎓盐和甲基丙烯酸酯、对羟基苯乙烯的三元共聚物,再用可酸分解的叔丁基碳酸酯保护部分酚羟基,由其组成了单组分的化学增幅型248-nm光刻胶,这些正型248-nm光刻胶获得了高感度(20-50mJ/cm2)、高分辨率(0.15-0.20微米)和留膜率(>99%)及图形线条平滑陡直等的出色表现。   利用高分子产酸剂透明性好的特点,还制备了厚膜248-nm光刻胶,可获得线宽0.34微米、高-宽比可达5:1的光刻图形:   在此基础上,还制备了负型248-nm光刻胶,这些光刻胶也都获得了很好的光刻成像性能表现。这些高分子光产酸剂也可用于制备新型的高性能193-nm光刻胶。 这些248-nm光刻胶的主要组分除了溶剂外都是自行制备,原料易得,反应条件温和可控,去金属杂质的方法也是简便易行,成本相对低廉,在经过多年的深入研究之后,完全具备了产业化的条件。 半导体加工的关键设备、材料主要掌握在美、日手中,对我国电子工业的平稳发展带来困难和潜在的巨大威胁。其中光刻胶作为芯片光刻加工的关键材料,日本公司的产品占据全球市场的70%以上,而我国在中高端产品上(248-nm光刻胶、193-nm光刻胶)完全依赖进口,即便是低端的i-线光刻胶国产化率也只有20%左右。因此,我们必须尽快扭转这种不利的局面,这需要科研工作者和产业界共同努力以及政府的大力支持。     近年来光刻胶引起了社会的广泛关注,已有多家企业开始投身于248-nm光刻胶与193-nm光刻胶的研发与产业化,但绝大部分仍处于研发阶段。我们研制的光刻胶具备了产业化的技术条件并具有与国外先进光刻胶产品竞争的产品性能。    半导体加工用光刻胶种类较多,本课题组从2002年参与国家十五“863”光刻胶重大专项开始,至今近二十年来聚焦于光刻胶研究,在i-线胶、248-nm光刻胶、聚酰亚胺光刻胶、厚膜光刻胶及抗反射涂层材料等方面都取得了很好的结果,也在致力于这些光刻胶产品的产业化。 相关项目、专利及文章: 1.国家重大科技专项(02专项)子课题,课题编号:2010ZX02303(深紫外光刻胶专用光致产酸剂及新型成膜树脂的扩试技术研究) 2.国家自然科学基金应急管理项目,51641301, 含光产酸基团的苯乙烯衍生物-甲基丙烯酸酯共聚物及其组成的化学增幅光致抗蚀剂研究,2016/01-2016/12 3.One-component chemically amplified resist composed of polymeric sulfonium salt PAGs for high resolution patterning,European Polymer Journal,114(2019),11-18 4.A new type of sulfonium salt copolymers generating polymeric photoacid: Preparation, properties and application,Reactive and Functional Polymers,130(2018),118-125 5.含光产酸基团的苯乙烯衍生物-甲基丙烯酸酯共聚物、其制备及其应用,中国发明专利,专利号:9。
北京师范大学 2021-05-09
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