类别 参数 参数值 操作系统 Android4.4 CPU 四核 ，1.5GHz 内存RAM 1GB 存储容量 8GB 内置音响 2*2W 解码能力 支持4路1080P或1路4K 网络 支持有线、无线、WiFi热点 液晶面板尺寸 55 背光源 LED 显示比例 16:9 分辨率 1920*1080 亮度 350cd/m2 响应时间（ms） 9ms 对比度 1200:1 电源 AC100~240V 50Hz/60Hz 满载功耗 130W 待机功耗 0.3W 外形尺寸（mm） 1243.0×720.0×82.0 包装尺寸（mm） 1355*824*175 整机重量 17kg 机身材料 塑壳，RoHS+防火等级(UL94-HB75级) 安装方式 壁挂式 显示方式 支持横竖屏切换 工作温度 5℃～40℃ 工作湿度 10%～85% 其他外部接口 RJ45×1、USB2.0×2、RS232×1、SD卡插槽×1、WIFI×1

云智数字教育智能制造专业群建设方案，秉承“产教融合、工学结合、多元育人、国际化合作”的理念，以岗位需求为标准、以发展技能为核心，构建人才培养模式，以就业为导向、以产学研为途径，引入企业实际案例，创新课程体系，培育符合市场和企业需求的高素质复合型、技能型人才。依托守中集团五系工业机器人技术核心优势，聚焦数字孪生等趋势性技术，建设由“智能制造综合实训中心+校外实训基地”构成的“实训、实习、实岗”的三实教学模式，提供创新型、技术型、实务型、复合型人才培养，为院校赋能提供一站式的实践教学解决方案。

该系统基于各级医疗系统的影像科研临床应用基础及各类院校影像教学大 纲而开发，贴合各级诊疗机构日常诊疗习惯和院校教学大纲需求，方便教师对各 类影像图片的展示和教学，能更好的让学生全面对各类影像进行阅片、报告书写 练习，以及熟悉临床应用及诊疗流程，有利于训练学生的影像技能操作能力及就业。

本发明公开了一种基于忆阻器的非易失 D 触发器电路；包括忆阻器 ME、定值电阻 R、第一 MOS 管、第二 MOS 管、第三 MOS 管、第一反相器 N1、第二反相器 N2 和第三反相器 N3 以及将忆阻器与定值电阻串联构成的分压电路模块。主要是利用了忆阻的非易失和阻值随流经本身的电荷大小改变的特性，实现了触发器的锁存以及触发功能。本发明所构建 D 触发器不仅具有传统触发器的功能，而且具备响应速度快以及非易失性的特点

本成果来自国家科技计划项目，获国家发明专利授权。本发明产品具有超顺磁性，成品体积可变，易于降解，吸油后废油回收率高、超疏水强亲油的特点。产品具有很好的吸油能力，所吸附油的重量是产品重量的10~15倍。其基本组成单位约为100~200μm，根据实际要求可组合成不同大小的吸油单元，在磁场的引导下能进入人或其他材料无法进入的地方，如微小空间或有毒害场所；成品的体积也可做大，以满足吸附海洋石油污染等大型处理场所的需求；材料的原料来源于自然界，具有易于被微生物降解的特点。在吸附油污之前材料会漂浮在水面上，吸附油污后，在磁力的引导下，拖动油污到便于人工或机械收集的地方

本发明公开了一种基于相变存储器的非易失性逻辑门电路，包 括第一相变存储器、第二相变存储器、第一可控开关元件和第一电阻； 第一相变存储器的第一端作为与门电路的第一输入端，第二相变存储 器的第一端作为与门电路的第二输入端；第一可控开关元件的第一端 与第一相变存储器的第二端连接，第一可控开关元件的第二端接地； 第一电阻的一端与第二相变存储器的第一端连接，第一电阻的另一端 接地；第二相变存储器的第一端作为与门电路的输出端。本

生产的有机肥不仅含有作物生长所需要的氮、磷、钾等大量元素，还含有硫、钙、镁、锌、硼、钼、铁、铜等多种中量和微量元素，是一种全价有机肥，可满足作物各生长时期对养分的需要，而且该有机肥料含有大量经微生物分解转化的活性物质，这些活性物质可促进作物的生长发育。该肥料还可以促进作物的抗逆性和对不良环境的适应能力，如抗旱、抗寒、抗病、抗倒伏能力增强 一、项目分类 显著效益成果转化 二、成果简介 此项技术采用了基因工程育种方法生产降解农物秸秆的有效微生物，而且此项技术所研制的菌群不仅缩短了发酵周期，还可避免菌群退化这一国际上同类技术所普遍存在的问题。因此，这项研究的成果是处于国内领先水平的。 生产的有机肥不仅含有作物生长所需要的氮、磷、钾等大量元素，还含有硫、钙、镁、锌、硼、钼、铁、铜等多种中量和微量元素，是一种全价有机肥，可满足作物各生长时期对养分的需要，而且该有机肥料含有大量经微生物分解转化的活性物质，这些活性物质可促进作物的生长发育。该肥料还可以促进作物的抗逆性和对不良环境的适应能力，如抗旱、抗寒、抗病、抗倒伏能力增强

本发明公开了一种非易失性布尔逻辑运算电路及其操作方法， 布尔逻辑运算电路具有两个输入端和一个输出端，包括第一阻变元件 M1 和第二阻变元件 M2；第一阻变元件 M1 的负极作为逻辑运算电路 的第一输入端，第二阻变元件 M2 的负极作为逻辑运算电路的第二输 入端，第二阻变元件 M2 的正极与第一阻变元件 M1 的正极连接后作 为逻辑运算电路的输出端。本发明通过对非易失性布尔逻辑运算电路 进行操作可实现至少 16 种基本

本发明属于半导体存储器技术领域，具体为一种基于二维材料的超短沟道非易失闪存器件及其制备方法。本发明通过原子级薄层沟道和栅叠层设计降低特征长度，从而促进器件尺寸微缩；该器件通过能带设计和范德华堆叠高质量界面降低隧穿势垒，实现十纳秒级编程/擦除速度和非易失特性；器件的短沟道通过垂直沉积和倾斜沉积两步法工艺实现，且沟道长度能够通过改变电极厚度和沉积角度来调控。本发明能在不使用先进光刻技术前提下，实现亚10nm沟道长度，突破硅基闪存器件的沟道长度微缩瓶颈，为新型高速非易失存储器的高密度集成提供新解决方案。

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