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功率MOS器件设计和制备技术
功率DMOS是一类重要的新型功率器件，具控制电路简单、开关频率高、可靠性好等优点，因此广泛应用于开关电源、汽车电子、DC/DC转换等领域，市场需求巨大，目前在功率分立器件领域占据了最大的市场份额。本团队在功率DMOS器件的研究方面有丰富的技术积累，开展了大量前沿性研究和产业化研究，目前本团队在功率DMOS领域累计授权发明专利超过50项，能够量产的产品型号近百种。
电子科技大学
2021-04-10
低导通电阻 VDMOS 器件及制备方法
本发明公开了一种低导通电阻 VDMOS 器件及制备方法，在传统的 VDMOS 器件结构中引入一块与 源区掺杂杂质相同的掺杂区。该掺杂区位于栅氧层正下方且与基区和栅氧层紧密接触。相应地，新掺杂 区上方的栅极采用中空结构。本发明 VDMOS 器件可有效降低沟道导通电阻和颈区电阻，从而降低 VDMOS 器件的导通电阻；同时，采用中空结构的栅极既可避免新掺杂区对击穿电压的影响，也可降低 栅极与漏极间结电容，提高 VDMOS 的开关速度。本发明方法工艺简
武汉大学
2021-04-14
薄膜电致电光器件的大平面制备方法
薄膜电致发光器件作为显示器件主要用于工业现场仪表显示、车站、机场、银行、证券交易市场、街头广告信息显示，作为大平面高清晰显示可用于各种会场、广场高清晰电视彩像显示，及可检索军用地图、笔记本电脑及宾馆等山水、立体彩色装饰。其特点为全固体化、亮度高、寿命长、可大平面化和可装饰表面。响应速度快，使用温度范围宽。由于制备方法简单较之国内外同类产品成本低，可批量工业
西安交通大学
2021-01-12
柔性储能器件及传感器件
利于层状纳米材料比表面积大的特点，在碳基柔性衬底上制备了高性能柔性 超级电容器，及葡萄糖传感器。超级电容器的能量密度最大为50.2Whkg-1,功 率密度为8002 W kg-1 at 17.6 Wh kg-1,充电1分钟能点亮两只绿色LED灯3 到5分钟。性能处于国际先进水平，成果先后发表于JALC0M , 714(2017) 63-70； 763 (2018) 926-934 等。
重庆大学
2021-04-11
微流体脉冲喷射仪及配套微流体器件制备仪
微流体数字化技术通过对裸结构的微喷嘴实施脉冲的惯性力，使微量流体在惯性力与黏性力交替作用下实现微流体的脉冲流动，从而实现数字化可控的微量流体的喷射，适用于液体微喷射、粉体微喷射等领域。 成熟度：基于非晶态玻璃材料毛细加工原理，进行了拉制、锻制、残余应力热处理等工序研究，制作了出微纳米级的微喷嘴、微管道。以玻璃微喷嘴制备仪为平台研究了不同拉制参数、锻制参数对微喷嘴几何形状的影响规律。基于微流体脉冲驱动-控制技术，分别采用拉制、锻制的微喷嘴稳定地制备了均一的微液滴。 微流体
南京理工大学
2021-04-14
钨酸镉闪烁单晶材料的制备技术与器件应用
宁波大学晶体材料实验室在国际上首次成功开发钨酸镉(CWO)闪烁单晶的坩埚下降法生长技术，自主掌握CWO单晶材料制备专利技术。
一、项目分类
关键核心技术突破
二、成果简介
闪烁单晶是广泛应用于高能射线探测成像技术的光学功能材料。宁波大学晶体材料实验室在国际上首次成功开发钨酸镉(CWO)闪烁单晶的坩埚下降法生长技术，自主掌握CWO单晶材料制备专利技术。近年来所制备闪烁单晶性能完全达到射线探测器制造所要求实用化指标，CWO闪烁单晶材料可广泛应用于安检设备、集装箱检查系统、CT诊疗仪等技术领域。迄今已经形成单晶原坯、多规格晶片和单晶阵列的批量生产能力，相关材料产品已销往国内外相关射线探测成像设备制造厂商。
宁波大学
2022-08-16
一种面向芯片级器件的焊点制备方法及装置
本发明公开了一种面向芯片级器件的焊点制备装置，包括：溶液容器，用于提供焊料溶液；流量分配器，其上设置有阵列布置的多个喷嘴，其与溶液容器连通，焊料溶液通过喷嘴喷出；器件固定板，其通过一底板固定在喷嘴下方，其上平铺有待制备焊点的器件，且该器件固定板与喷嘴通过高压发生器相连，两者之间形成高压电场；还包括管芯模，其包括呈阵列布置的多个管芯，且各管芯一一对应配合插装在喷嘴中，在各喷嘴和管芯之间的空隙内形成容纳焊料溶液的空间，在电场的作用下，焊料溶液通过该喷嘴中的空间进行流量分配后喷出形成喷点或喷丝，滴落于器件
华中科技大学
2021-04-14
磁流变元器件
磁流变液是一种机敏材料，在外加磁场的作用下，液体的粘度发生很大的变化，具有很大的抗剪切力，易于控制并且连续可控。运用磁流液可以制作磁流变刹车、离合器、减振器和阻尼器等高科技磁液变元器件，它们可以用于车辆悬挂系统，土木工程结构抗震、减振及大型能量动力设备的基础隔振等方面。此外磁流变阻尼器还可用于制成无级可调式健身器材。我们针对磁流变减振器具有很大的阻尼力，且
西安交通大学
2021-01-12
新型FinFET 器件工艺
已有样品/n全金属化源漏FOI FinFET 相比类似工艺的常规FinFET 漏电降低1 个数量级，驱动电流增大2 倍，驱动性能在低电源电压下达到国际先进水平。由于替代了传统的源漏SiGe 外延技术，与极小pitch 的大规模FinFET 器件的兼容性更好，有助于降低制造成本，提高良品率，具有很高的技术价值。
中国科学院大学
2021-01-12
光学微腔器件
成果创新点 1.在光学微腔器件的晶体腔加工、PPLN 微腔加工、微 腔耦合与封装、微腔超高 Q 值检测方面，分别提出了先进 而完善的实施方案，并申请了相关发明专利。现有晶体微 腔 Q 值国内最高水平 106，国外达到 109，本项目可优于 108， 从而达到国内领先，国际先进水平。 2.在光学微腔器件应用方面，研发例如超窄线宽激光 器（精密测量、物理量精密传感）、超窄线宽滤波器（激 光技术
中国科学技术大学
2021-04-14