产品详细介绍 MD-711TS高智能电缆故障测试仪是迎合工业级电力行业方案和IT时代的快速发展,将原来电缆故障测试仪的局限性，用工控嵌入式计算机平台系统、网络服务业务、USB通信技术系统化，极大提高了仪器的使用功能和利用价值以及便捷的现场环境操作。特别对于日益增多的地埋电缆资料提供了一套独有的管理软件。整套系统满足中华人民共和国电力行业标准《DL/T849.1～ DL/T849.3-2004》电力设备专用测试仪器通用技术条件，该系统测试由系统主机和故障定位仪以及电缆路径仪三部分组成，用于电力电缆各类故障的测试，电缆路径、电缆埋设深度的寻测和电缆档案资料的日常维护管理，以及铁路、机场信号控制电缆、和路灯电缆故障的精确测试。◆ 国内首家采用工控嵌入式计算机平台系统，工业级使用环境，实现极强稳定性。锂电供电、方便现场测试。◆ 国内首家采用12.1英寸大屏幕系统，全电脑XP操作平台集成化软件，彻底告别电缆仪单片机时代，并配有电缆故障测试软件和电缆资料管理软件。◆ 采用最新的USB通信接口，采集信号稳定，配一款笔记本电脑可实现双控双显，主机可自动选择最低6.25MHz、最高达100MHz五种采样频率，能满足不同长度电缆的测试要求，减少了粗测误差。◆ 软件实现故障自动搜索，距离自动显示，双游标移动可精确到0.15米，波形可任意压缩、扩展，同屏随机显示两个更接近标准的波形供你准确比较分析，提高测试精度，减少误差。◆ 支持最新开通的3G通信终端或无线上网卡，专用3G软件可实现专家远程现场实时测试技术服务，专家远程操控用户主机，给用户现场测试提供及时、准确波形分析和交流指导，使您无忧工作。◆ 4G内存多类现场波形和现场实物接线图，轻轻一点即可使用，电缆资料管理软件可做完善的电缆档案管理，为电缆的维护工作和精确定位提供参考和帮助。◆ 关键的精确定点仪部分，直接数字显示测试者离故障点距离，是国内同类定点技术的又一次创新，为快速准确查找电缆故障，减少停电损失提供了有力保障。◆ 最新研制智能组合式采样器，取代了烦琐的现场接线，具有波形直观，容易分析，与高压完全隔离，对主机、操作人员绝对安全的特点。一、测试仪技术指标：1、可测试各种不同电压等级、不同截面、不同介质及各种材质的电力电缆的各类故障，包括：开路、短路、低阻、高阻泄漏、高阻闪络性故障。2、可测试铁路通信控制电缆、路灯电缆、机场信号电缆的各类故障。3、可测量长度已知的任何电缆中电波传播的速度。4、可测试电缆走向及埋设深度。测试距离：不小于40km 最短测试距离（盲区）：5-10米精确定点误差：±0.2m 测试误差：系统误差小于±1%分辨率：V/50m；V为传波速度m/μs；软件游标0.15米。　 仪器采样频率：6.25MHz、10MHz、25MHz、50MHz、100MHz、（自适应脉宽）电源与功耗：　AC　220V±10%　 15W　　DC　12V（7AH）　不大于20W待机时间：可连续使用4小时左右。管 理：电缆埋设路径分布示意图。用户管理区域内所有电缆的资料的详细档案：包括电缆分布图、编号、起始位置、埋设深度及时间、电缆介质、接头位置、维修记录、故障产生原因、试验报告、电缆测试记录等信息。二、路径仪技术指标1﹑输出信号频率：15 KHz 2﹑输出最大出功率：＜1Ｗ3﹑体积48×76×170mm34﹑重量0.5Kg选配设备：DSG-Ⅱ（Ⅲ）一体化交直流高压发生器，高压组件（包括3KVA 交直流高压发生器、控制箱和2UF/30KV脉冲电容各一台）

产品详细介绍技术参数：1、水分传感器：圆柱式PVC材料防水探头，4根6厘米长不锈钢探针，也可长期埋设于土壤中及堤坝内使用，进行定点监测和在线测量；2、水分传感器带延长杆，长度80cm；3、测量范围：0 ~ 100% Vol（体积含水量）；4、精度：体积含水量60％Vol以内误差为3%，标定后可达到1% Vol。5、反应时间：<0.3秒；6、存储模块：可存储12000条以上数据，含操作软件，掉电后数据不丢失；7、数据显示：液晶显示，带背光灯功能，可自动关机，省电模式；8、供电电源：采用8.4V锂可充电电池供电，随机带有充电器；9、通讯接口：RS232；10、工作时间：频繁使用，可连续工作48小时。 标准配置：QT-SM01型土壤水分测定仪：土壤水分传感器，便携式数据存储表，数据线，软件，便携箱，充电器，说明书，延长杆。 

IECUBE-3100集成电路测试实训平台是一个源于继承广电路行业实际工业应用场景，基于集成电路行业国际领先的NI测试测量技术，针对集成电路测试技能培养而专门开发的实训平台，可以完成典型集成电路的测试实训，包括ADC、DAC、PA、数字逻辑IC以及晶体管等。

JH50变温教学霍尔测试系统 概述： 本系统由JH50变温教学霍尔测试系统、TESK301控温仪、液氮恒温器和转向磁体四个部分组成，可完成在不同温度条件下测量霍尔片样品霍尔效应的教学实验。该系统可与计算机连接，配合相应的软件实现计算机实时数据采集，也可配合我公司其他设备使用。变温教学霍尔测试系统霍尔效应教学实验仪器  本仪器系统由可换向永磁磁铁、T9015W变温恒温器、TESK301控温仪、JH10霍尔效应仪等组成。本仪器用于霍尔效应及其应用、载流子类型、载流子类型转变的演示和学生实验。也可使用恒温器内预留的样品引线，安装上用户样品，用于科学研究；例如变温磁阻、超导、电阻温度特性、变温光电或变温磁光（需另购带光学窗口的尾套）等。具有用途广、造价低、使用方便等特点。为本仪器系统专门研制的JH10霍尔效应仪(以下简称JH10表)将恒流源、四位半微伏表及霍尔测量中复杂的切换继电器——开关组合成一体，大大减化了实验的连线与操作。JH10还可单独做四位半数显恒流源和微伏表使用。 变温教学霍尔测试系统霍尔效应教学实验仪器  主要技术指标： 磁    场：大于3900高斯 样品电流：10纳安～199.99毫安 测量电压：1微伏～19.999伏 测温 *小分辨率：0.01K 测温误差：<0.5K 变温范围：80～320K 恒温器液氮容量：450毫升 系统的安装与连线： 用户收到货物后，经开箱检验无明显运输损伤后即可开始安装调试。先将永磁磁铁放置在工作台上，再将恒温器插入永磁磁铁正中的孔中。实验时实验者将可换向永磁铁的不锈钢座平放在工作台上，顶部长圆滑动孔横置在实验者左前方，转动中间黑色的磁体，使上面的商标面对实验者。此时磁场方向与商标垂直，N极在靠近实验者一边，S极在对面。将中间黑色的磁体转动180°即可使磁场反向。将恒温器在长圆滑动孔中向左滑动平移就可以将样品移到无磁场区域。 将恒温器与控温仪及JH10表用专用信号电缆连接，将JH10表的电压表量程置于20伏档，电流源置于2毫安档，插接上仪器电源线并打开电源供电。为防止漏电伤人，所用电源要有可靠的专用地线。供电后如果控温仪的输出指示灯亮，温度将持续上升，可通过面板更改设定温度，以调低设定温度。如果温度失控，请立即断电重新启动控温仪，如果故障现象重复出现，请联系北京锦正茂。 测试样品： 本仪器中的样品： 1号样品（S1）：美国Lakeshore公司HGT-2100高灵敏霍尔片，              *大工作电流≤10 mA，室温下的灵敏度为 55-140 mV/kG              2号样品（S2）：客户可以按照接线定义，安装自己的样品。 仪器使用与实验方法： （1）磁场的标定    系统中的S1为已在室温下标定过的霍尔探头，在室温下用开关选择样品S1，并使恒温器位于可换向永磁磁铁的中心，恒温器真空抽口垂直于标签面。开机后快速将恒流源输出调到  mA，此时JH10表的微伏表电压读数即为磁场的特斯拉数。此时的JH10相当于一台探头装在恒温器冷指上的高斯计，可用来测空间磁场。霍尔探头 *大电流不能超过10mA！ （2）室温下的霍尔测量   将19芯电缆与恒温器连接好，样品开关选择样品S2，调整样品电流到10.00mA，开机预热半小时。测量时，将恒温器放置在磁场正中心，按下开关VH，测霍尔电压VH1，如果电压较小，改到2V或200mV档；为了确保磁场垂直于样品，应该用双手各扶左右支撑板，微转黑色方铁轭磁路，使VH *大。按电流换向开关，测VH2；将黑色的永磁磁体转180°后再测VH3；电流换向，测VH4；将恒温器水平左移，使样品处的磁场为0，按VM开关，测VM1；按电流换向开关，测VM2。按VN开关，测VN1；按电流换向开关，测VN2。 （3）变温测量    取出恒温器中心杆，注入液氮（依测量点的多少决定加液氮量），具体注意事项请参见T9015W低温恒温器使用说明书。如不想从80K低温测起，可先将控温设定在270K，再加液氮并及时插入中心杆，进行较高温度的控温 实验。控温时顺时针转动中心杆至 *低位置，再回旋约180°～720°即可通过控温仪设定控温了。等温度控制稳定后，重复测量过程2，测得此温度点的各项霍尔参数。改变设定温度，测另一个温度点的霍尔参数。中心杆旋高则冷量增大，适于快速降温和较低温度的实验。控温精度与PID参数有关，请适当调整中心杆高度，以提高不同温区的控温精度。 （4）安全注意事项 ①经常检查并保证仪器电接地正常。 ②湿手不能触及过冷表面、液氮漏斗，防止皮肤冻粘在深冷表面上，造成严重冻伤！灌液氮时应带厚棉手套。如果发生冻伤，请立即用大量自来水冲洗，并按烫伤处理伤口。 ③实验完毕，一定要拧松、提起中心杆，防止中心白色的聚四氟乙烯塞子因热膨胀胀坏恒温器。            

III-V族半导体合金体系热、动力学计算机辅助分析系统建立并完善了含Al-Ga-In-N-P-As-Sb-C-H等多元体系的III-V族合金化合物半导体热力学数据库，使之成为当前国际上数据资源相对丰富、可靠程度高的专业型数据库。在此基础上，应用该计算机辅助分析系统，可采用统一的成分空间表达方式，将覆盖四元半导体整个成分空间的光电性能（能量间隙或波长）、与相应衬底匹配的成分条件、以及各种温度下发生溶解间隙的成分范围，投影于一平面，构成III-V族半导体体系综合优化图，用以对金属有机物气相外延工艺进行辅助分析、确定满足优质半导体生长的成分空间、预测外延层半导体的成分等。同时，该系统还发展了非平衡过程分析研究方法：亚稳平衡处理、条件平衡处理和不可逆过程分析处理等，这些方法有助于III-V族半导体液相外延、气相外延和金属有机物气相外延工艺过程的热力学分析。 该项目面向光电子材料和器件的研制与生产 III-V族半导体合金体系热、动力学计算机辅助分析系统，目前主要是作为应用研究，服务于有关光电子材料和器件的研制与生产过程中工艺条件的辅助设计，以促进III-V族半导体液相外延、气相外延和金属有机物气相外延工艺逐步从经验设计迈向科学设计，在相关领域的高技术产业化方面起积极作用。 Al-Ga-In-N-P-As-Sb-C-H等多元体系的III-V族合金化合物半导体热力学数据库；瑞典皇家工学院Thermo-Calc相平衡热力学计算软件。

对结构动力特性及其损伤识别方法、建筑结构随机响应模态及其与损伤位置的关系以及在役结构的可靠性进行了系统地研究。将动态测试与静态测试相结合，提出了建（构）筑物安全评估的新方法。本研究方向获得发明专利 1 项，实用新型专利 3 项，发表论文 30 余篇

Al-Si 合金具有低膨胀系数，良好的耐磨性及铸造性能，在内燃机活塞、缸 体压等发动机动力传动件制造领域广泛应用。过共晶 Al-Si 合金的微观组织中 通常存在五瓣星状、板片状、八面体和其他复杂相貌的初晶 Si，这些分布在该 合金基体中的较粗大初晶 Si，严重割裂了合金基体，在外力作用下，合金中的 Si 相尖端和棱角部位易引起局部应力集中，从而明显降低了合金的力学性能， 尤其是影响其塑性、强度、耐热性和热疲劳性能的提高。与此同时，在过共晶 Al-Si 合金中，初晶 Si 易出现集聚现象，严重降低了合金的各项性能。要改善 过共晶 Al-Si 合金的性能,必须同时对共晶 Si、初晶 Si 进行良好的细化处理，细 化、球化初晶 Si，才能使其得以广泛应用。目前国内外实际生产中通常采取加 磷（P）的方法，亦称磷变质（细化）处理。含磷变质剂主要包括磷盐或赤磷复 合变质剂及含磷中间合金。其主要存在问题如下： (1)磷盐或赤磷复合变质剂：处理过程中产生大量有害气体，环境污染严重， 效果不稳定，废品率高。 (2) Cu-P 中间合金：熔点高，加入后难熔化；密度大，易沉淀偏析。 基于上述行业背景，本课题组研制开发了一种应用于发动机活塞、压铸合 金熔体变质处理的新型 Al-P 晶种合金