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全固态电池正极/电解质界面研究
硫化物固态电解质（LGPS）由于拥有与液态电解质接近的室温离子电导率，因此被视为下一代高能量密度电池的候选体系之一。但是，由于硫化物固态电解质较窄的电化学窗口（如Li10GeP2S12，1.7~2.1 V vs. Li/Li+）,在与较高工作电压的LiCoO2氧化物正极（LCO）匹配时会发生一系列副反应，在界面处堆积低电导的氧化副产物(如Li3PS4, S, GeS2），同时LGPS和LCO电化学势的不匹配还将导致界面处产生空间电荷层（SCL），这些因素都将极大地增加固态电池的界面阻抗，进而使得固态电池的性能迅速衰减。目前，解决氧化物正极-硫化物固态电解质界面不匹配问题的主要途径为在氧化物正极表面包覆一层过渡层，用以缓冲正极和电解质界面的电势不匹配问题。 通过简单易行的固相包覆方法，首先将粒径为10 nm二氧化钛纳米颗粒均匀分散在钴酸锂表面，再通过高温烧结处理在钴酸锂表面形成一层约1.5纳米保护层。对照实验，FIB-TEM原位观察和XPS佐证表明通过高温原位反应钴酸锂表面将形成Li2CoTi3O8尖晶石相(LCTO)。具有稳定三维尖晶石结构的LCTO晶体在钴酸锂工作的电压区间依然能保持结构稳定，与钴酸锂基体之间具备较强的键合，同时具有高的锂离子扩散能力（Li+= 8.22×10-7 cm2 s−1），低电子电导（2.5×10-8 S cm-1）。这些性质将有助于在LCO和LGPS之间形成有效的电压降，保持界面稳定性的同时提供快速的离子迁移通道。理论计算表明，相较于LCO/LGPS界面，通过引入LCTO中间层产生的两个替代界面，即LCTO/LCO和LCTO/LGPS具有更强的热力学稳定性和更强的界面亲和力。
厦门大学
2021-02-01
全固态电池正极/电解质界面研究
项目成果/简介:硫化物固态电解质（LGPS）由于拥有与液态电解质接近的室温离子电导率，因此被视为下一代高能量密度电池的候选体系之一。但是，由于硫化物固态电解质较窄的电化学窗口（如Li10GeP2S12，1.7~2.1 V vs. Li/Li+）,在与较高工作电压的LiCoO2氧化物正极（LCO）匹配时会发生一系列副反应，在界面处堆积低电导的氧化副产物(如Li3PS4, S, GeS2），同时LGPS和LCO电化学势的不匹配还将导致界面处产生空间电荷层（SCL），这些因素都将极大地增加固态电池的界面阻抗，进而使得固态电池的性能迅速衰减。目前，解决氧化物正极-硫化物固态电解质界面不匹配问题的主要途径为在氧化物正极表面包覆一层过渡层，用以缓冲正极和电解质界面的电势不匹配问题。 通过简单易行的固相包覆方法，首先将粒径为10 nm二氧化钛纳米颗粒均匀分散在钴酸锂表面，再通过高温烧结处理在钴酸锂表面形成一层约1.5纳米保护层。对照实验，FIB-TEM原位观察和XPS佐证表明通过高温原位反应钴酸锂表面将形成Li2CoTi3O8尖晶石相(LCTO)。具有稳定三维尖晶石结构的LCTO晶体在钴酸锂工作的电压区间依然能保持结构稳定，与钴酸锂基体之间具备较强的键合，同时具有高的锂离子扩散能力（Li+= 8.22×10-7 cm2 s−1），低电子电导（2.5×10-8 S cm-1）。这些性质将有助于在LCO和LGPS之间形成有效的电压降，保持界面稳定性的同时提供快速的离子迁移通道。理论计算表明，相较于LCO/LGPS界面，通过引入LCTO中间层产生的两个替代界面，即LCTO/LCO和LCTO/LGPS具有更强的热力学稳定性和更强的界面亲和力。
厦门大学
2021-04-10
高速大容量固态数据记录仪（产品）
成果简介：高速大容量固态数据记录仪是以6UcPCI高密度NANDFlash存储板为数据记录载体，基于串行RapidIO高速互联技术构建的模块化、可扩展的实时数据存储系统。该系统可提供稳定可靠的高速数据记录与回放功能，记录速度可达1200MB/s，记录容量可扩展，最高可达6TB。系统具有独立的可方便拆卸的存储体，对外接口可替换。 应用范围：可以广泛应用于机载、舰载、车载等恶劣工作环境下海量数据的高速可靠存储。 技术特点：
北京理工大学
2021-04-14
全固态太赫兹前端关器键件
成果简介： 1、主要功能和应用领域 针对太赫兹高分辨雷达和通信系统应用需求，研究了常温固态太赫兹连续波发射和接收的总体方案和实现技术，研究了太赫兹平面肖特基势垒二极管非线性模型的精确模型，提出了太赫兹高效倍频电路和低损耗分谐波接收电路的拓扑结构，掌握了太赫兹倍频器和分谐波混频器的优化方法，解决了固态太赫兹关键技术的工艺难题，突破太赫兹连续波发射和接收的关键技术，打破国外技术封锁，提高自主创新能力，形成自主知识产权，相关技术水平达到国际先进，为我国太赫兹技术的发展和太赫兹系统的应用奠定技术基础，提供技术支撑。 2、特色和先进性 1）国内首次报道了400GHz以上频段的太赫兹源，输出功率大于5mW 2）首次开展了太赫兹高功率多管芯二极管的三维电磁模型研究； 3）国内首次报道了220GHz、380GHz和664GHz分谐波混频器，变频损耗指标由于10dB； 4）国内首次开展了基于光电结合的太赫兹高速无线通信系统实验，通信速率大于12.5Gbps； 5）太赫兹核心模块已应用于太赫兹成像和通信系统中。 3、技术指标 太赫兹倍频器指标对比 频段 国外研究机构 电子科技大学 美国VDI FARRAN 仿真 实测 59GHz 26dBm 20dBm 23dBm 17dBm 91.5GHz 22dBm 15dBm 16dBm 13dBm 110GHz 20dBm 12dBm 16dBm 12.5dBm 212.5GHz 15dBm 4dBm 13dBm 7dBm 340GHz 15dBm 4dBm 13dBm 4.5dBm 420GHz 9.5dBm 无 12dBm 4dBm 太赫兹分谐波混频器指标对比
电子科技大学
2015-12-24
大功率高压调制电源
大功率高压调制电源能够实现300kW以上的功率输出；用于为系统提供稳定供电。 项目采用全固态设计方式，安全有效快速反应，供电波形规则，前后沿窄，采用整体油箱方式隔离高压，安全性高。 该大功率电源的研制解决了微波、毫米波领域整机系统对供电的需求问题，实施后极大的提升整机性能，同时降低整机体积。
电子科技大学
2021-04-10
硅基GaN功率开关器件
宽禁带半导体硅基GaN器件以其高效率，高开关速度高工作温度抗辐时等特点,成为当前国际功率半导体器件与技术学科的研究前沿及热点，也是业界普遍认可的性能卓越的下代功率半导体器件。而S基GaN因其S基特性.能够突破新材料在发展初期的成本牦颈且易与S集成电路产业链匹配，因此兼具高性能与低成本的优点在消费电子(如手机快冲与天线充电).数据中心与人工智能，无人驾驶与新能源汽车、5G通信等团家战略新兴领城具有巨大的应用前景。电子科技大学功率集成技术实验室自2008年起即开展硅基GaN功率器件与集成技术研究,围绕硅基GaN两大核心器件:增强型功率晶体管、功率整流器进行基础研究与应用技术开发。解决了增强型功率晶体管阈值电压大范围调控功率二圾管导通电压调控与耐压可靠性加查等关键技术瓶颈,研究成果为硅基GaN的产业化奠定了重要基础。
电子科技大学
2021-04-10
大功率高压调制电源
大功率高压调制电源能够实现300kW以上的功率输出；用于为系统提供稳定供电。项目采用全固态设计方式，安全有效快速反应，供电波形规则，前后沿窄，采用整体油箱方式隔离高压，安全性高。
电子科技大学
2021-04-10
无功功率可调补偿装置
针对现有无功功率可调补偿装置结构复杂、投资大，维护使用不方便等不足，本实用新型提供一种无功功率可调补偿装置，该种无功功率可调补偿装置，结构简单、操作方便、投资低、使用寿命长、补偿效果显著。 本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：一种无功功率可调补偿装置，由无功元件、晶阐管开关、用于降压的变压器等构成，其结果特点是：用于降压的变压器为调压变压器，变压器原边绕组的始端接高压母线、末端接地或者接另一相的高压母线，次边绕组始端附近的调节触点经分接开关接低压母线，该低压母线与次边绕组的末端之间接有无功元件与晶阐管开关的串联体。 本实用新型的无功元件为电容器组或电抗器或滤波器，使得本实用新型既可吸收电网中的感性无功功率，也能吸收容性无容功率，还可在提高电网的功率因数的同时，滤除谐波提高电网质量。
西南交通大学
2021-04-13
高功率密度伺服电机
高功率密度伺服电机是一种采用紧凑型结构的新型稀土永磁电机。该电动机极槽最优化配合，使电机体积、成本、加工性能、电机力能指标达到最佳，同时对力矩波动具有较强的抑制作用。高密度伺服电机和高精度磁编码器以及驱动控制器三个部分可以组成高精度驱动控制系统。是先进制造技术的基础，其应用范围非常广阔，如数控机床、精密电子装备、工业自动化装备、工业机器人、航空、航天等领域。
哈尔滨工业大学
2021-04-14
高功率因数通讯电源
输入电压 220VAC±10%/50Hz， 输出电压 24VDC ； 输出电流 430A， 效率： ≥92% （最高效率）， 输出纹波电压： <100mV， 功率因数： ≥0.99， 电源具输入过、 欠压保护功能、输入过流、输出过欠压和过流保护功能，采用功率因数校正+移相全桥软开关技术。
扬州大学
2021-04-14