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一种低工作温度的量子点白光 LED 及其制备方法
本发明属于量子点 LED 封装领域，具体涉及一种低工作温度的量子点白光 LED，其中，LED 芯片固定设置在基板表面，量子点硅纳米球附着在 LED 芯片表面，透光壳体内表面附着有一层荧光粉胶，该透光壳体直接安装在基板上或通过一模塑料固定在基板上方，并将LED 芯片和量子点硅纳米球密封在内，透光壳体内还填充有封装胶将量子点硅纳米球和荧光粉胶隔离。本发明还公开了一种低工作温度的量子点白光 LED 的制备方法。本发明的量子点 LED 利用封装胶将荧光粉胶和量子点硅纳米球隔离，可降低量子点工作温度，减少重吸收损失，提高白光 LED 的发光效率；还能减少量子点的用量，控制量子点与荧光粉各自的发光光谱，得到所需的理想型发光。
华中科技大学
2021-04-13
多功能量子点-有机叠层发光二极管
提出了一种量子点-有机叠层发光二极管（LED）的新结构，实现了单颗LED发射红、绿、蓝、白及任意色彩的功能，有望取代传统红、绿、蓝LED，提高显示屏的分辨率及开口率。 量
南方科技大学
2021-04-14
一种水溶性过渡金属掺杂 ZnSe 量子点的合成方法
本发明公开了一种水溶性过渡金属掺杂 ZnSe 量子点的合成方法，属于材料制备技术领域。本发明 使用核壳结构纳米材料，采用离子置换的思路来合成掺杂量子点。该掺杂方法分为两步，第一步在氮气 保护的条件下合成 MnSe/ZnSe 的核壳结构纳米颗粒，第二步分别向 MnSe/ZnSe 纳米颗粒溶液中加入不 同的掺杂元素，随后在室温或者 100°C加热的条件下反应即可得到不同元素掺杂的 ZnSe 量子点。本发 明合成的掺
武汉大学
2021-04-14
中国科大成功融合远距离量子密钥分发和光纤振动传感
中国科学技术大学潘建伟、张强等与济南量子技术研究院王向斌、刘洋等合作，实现了一套融合量子密钥分发和光纤振动传感的实验系统，在完成光纤双场量子密钥分发（TF-QKD）的同时，实现了658公里远距离光纤传感，定位精度达到1公里，大幅突破了传统光纤振动传感技术距离难以超过100公里的限制。
中国科学技术大学
2022-06-02
一种超小尺寸钙钛矿量子点的室温制备方法
本发明公开了一种超小尺寸钙钛矿量子点的室温制备方法，属于超小尺寸钙钛矿量子点技术领域，包括以下步骤：S1、将CsBr、PbBr<subgt;2</subgt;和芳香酸粉末置于容器中，加入极性溶剂进行搅拌混合，得到透明前驱体溶液；S2、在前驱体溶液中加入胺溶液，得到混合溶液后添加至反溶剂中，得到量子点粗溶液；S3、向量子点粗溶液中加入金属盐溶液，搅拌后进行离心，向离心得到的上清液中加入有机溶剂，再次离心后得到量子点沉淀；S4、将量子点沉淀溶解于甲苯和DMF的混合溶液中，再次离心得到澄清透明的量子点溶液。本发明通过FeBr<subgt;3</subgt;协同芳香酸重构量子点界面，使量子点获得接近100%的PLQY，并展现出长期的稳定性。
复旦大学
2021-01-12
供应压电陶瓷驱动器/压电陶瓷制动器//长春博盛量子
产品详细介绍
长春博盛量子科技有限公司
2021-08-23
用于乙炔吸附和存储的金属有机框架物材料及其制备方法
本发明公开了一种用于乙炔吸附和存储的金属有机框架物材料及制备方法，所述的金属有机框架物材料由过渡金属离子与多齿有机配体5,5’-(吡啶-2,5-二基)-间苯二甲酸通过配位键或者分子间作用力构成的三维网络结构。过渡金属离子优选二价的铜、锌、钴、镍、镉离子。所述的金属有机框架物材料制备工艺简单，具有较高的比表面积2000~2200m2/g和孔容1.0~1.3cm3/g。该材料所用的多齿有机配体引入了含吡啶的碱性单元，可以有效提高乙炔的吸附和存储量。该材料在273K和298K温度条件下具有较高的乙炔吸附量，可以在低压下使用，可望作为一种新型高效的乙炔吸附和存储材料。
浙江大学
2021-04-11
考虑热量积累效应的相变存储器单元 SPICE 模型系统及应用
本发明公开了一种相变存储器单元 SPICE 模型系统，包括：单 元电阻模拟模块，用于模拟相变存储器单元电阻；温度计算模块，用 于针对施加的连续脉冲序列，计算每个脉冲信号结束时刻考虑脉冲信 号下热量积累效应的存储器单元相变层温度；晶化速率计算模块，用 于计算单位时间内发生晶化的相变层体积；非晶化速率计算模块，用 于计算单位时间内发生非晶化的相变层体积以及相变模块，用于选择 晶化速率或非晶化速率计算非晶化率。本发明还公开
华中科技大学
2021-04-14
基于忆阻器的多值存储单元、读写电路及其操作方法
本发明公开了一种基于忆阻器的多值存储单元、读写电路及其·717·操作方法；所述基于忆阻的多值存储单元是利用忆阻器的阻变特性，由多个忆阻器以特殊的连接方式构成。这种连接方式组成的多值存储单元继承了忆阻器，体积小，功耗低，可拓展性强的优点。相较于传统忆阻器存储结构，所述多值存储结构提供了更大的存储空间，为存储器设计提供了一种新的思路。所述多值存储单元的读写电路包括存储单元、控制开关以及电压比较电路。所述读写
华中科技大学
2021-04-14
一种基于写重定向的纠删码存储重构优化方法
本发明公开了一种基于写重定向的纠删码存储重构优化方法， 将写入失效数据节点的数据重定向到由存活节点空余空间所组成的 RS 阵列，将数据重定向过程与包括失效数据节点的重构、重定向数据 的迁移以及迁移所引起的校验数据更新的数据迁移过程分开处理，降 低二者对磁盘、内存、网络带宽等资源的竞争，在加速后台重构过程 ·899·的同时，优化前台用户访问性能。
华中科技大学
2021-04-14