基于忆阻器的多值存储单元、读写电路及其操作方法

高端装备制造

本发明公开了一种基于忆阻器的多值存储单元、读写电路及其

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操作方法；所述基于忆阻的多值存储单元是利用忆阻器的阻变特性，

由多个忆阻器以特殊的连接方式构成。这种连接方式组成的多值存储

单元继承了忆阻器，体积小，功耗低，可拓展性强的优点。相较于传

统忆阻器存储结构，所述多值存储结构提供了更大的存储空间，为存

储器设计提供了一种新的思路。所述多值存储单元的读写电路包括存

储单元、控制开关以及电压比较电路。所述读写

试用