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多功能量子点-有机叠层发光二极管
提出了一种量子点-有机叠层发光二极管（LED）的新结构，实现了单颗LED发射红、绿、蓝、白及任意色彩的功能，有望取代传统红、绿、蓝LED，提高显示屏的分辨率及开口率。 量
南方科技大学
2021-04-14
一种水溶性过渡金属掺杂 ZnSe 量子点的合成方法
本发明公开了一种水溶性过渡金属掺杂 ZnSe 量子点的合成方法，属于材料制备技术领域。本发明 使用核壳结构纳米材料，采用离子置换的思路来合成掺杂量子点。该掺杂方法分为两步，第一步在氮气 保护的条件下合成 MnSe/ZnSe 的核壳结构纳米颗粒，第二步分别向 MnSe/ZnSe 纳米颗粒溶液中加入不 同的掺杂元素，随后在室温或者 100°C加热的条件下反应即可得到不同元素掺杂的 ZnSe 量子点。本发 明合成的掺
武汉大学
2021-04-14
中国科大成功融合远距离量子密钥分发和光纤振动传感
中国科学技术大学潘建伟、张强等与济南量子技术研究院王向斌、刘洋等合作，实现了一套融合量子密钥分发和光纤振动传感的实验系统，在完成光纤双场量子密钥分发（TF-QKD）的同时，实现了658公里远距离光纤传感，定位精度达到1公里，大幅突破了传统光纤振动传感技术距离难以超过100公里的限制。
中国科学技术大学
2022-06-02
一种超小尺寸钙钛矿量子点的室温制备方法
本发明公开了一种超小尺寸钙钛矿量子点的室温制备方法，属于超小尺寸钙钛矿量子点技术领域，包括以下步骤：S1、将CsBr、PbBr<subgt;2</subgt;和芳香酸粉末置于容器中，加入极性溶剂进行搅拌混合，得到透明前驱体溶液；S2、在前驱体溶液中加入胺溶液，得到混合溶液后添加至反溶剂中，得到量子点粗溶液；S3、向量子点粗溶液中加入金属盐溶液，搅拌后进行离心，向离心得到的上清液中加入有机溶剂，再次离心后得到量子点沉淀；S4、将量子点沉淀溶解于甲苯和DMF的混合溶液中，再次离心得到澄清透明的量子点溶液。本发明通过FeBr<subgt;3</subgt;协同芳香酸重构量子点界面，使量子点获得接近100%的PLQY，并展现出长期的稳定性。
复旦大学
2021-01-12
供应压电陶瓷驱动器/压电陶瓷制动器//长春博盛量子
产品详细介绍
长春博盛量子科技有限公司
2021-08-23
哈尔滨工程大学软包/固态电池电极极片制备设备采购及服务竞争性磋商
哈尔滨工程大学软包/固态电池电极极片制备设备采购及服务竞争性磋商
哈尔滨工程大学
2022-06-06
二次锂电池用复合型全固态聚合物电解质项目
1 成果简介聚合物电解质由于具有质轻、粘弹性好以及成膜性好等优点，尤其适合作为锂电池的电解质材料。聚氧乙烯（ PEO）由于具有易于离子传导的结构特征而备受关注，然而由于 PEO与碱金属盐形成的聚合物电解质在室温时有较高的结晶相，所形成的电解质也只能在高温下才能使用，因此实际应用受到限制。常用来降低 PEO 结晶度的方法是加入有机液体增塑剂，液体增塑剂的加入虽然提高了聚合物电解质的离子电导率，但同时也破坏了电解质的机械性能以及增加了其与锂负极材料的反应活性，降低了电池寿命。一个重要的趋势是发展全固态聚合物电解质，以取代目前的含液体的聚合物电解质。2 应用说明本发明提供了一种锂电池用共聚物基聚合物电解质材料，其含有共聚物基体和碱金属盐，所述共聚物基体是由氧化乙烯单元和氧化丙烯单元组成。本发明还提供了含所述聚合物电解质材料的复合电解质膜及其制备方法，本发明所述的锂电池用共聚物基聚合物电解质材料，采用共聚物作为基体材料，通过简单的溶液浇铸法制备成聚合物电解质材料，并采用浸泡方法实现活性聚合物电解质材料与高分子隔膜材料的复合。本发明的聚合物电解质材料不含有机液态电解质，不可燃，且与传统的 PEO 基聚合物电解质相比，电导率明显提高，机械性能好， 可以防止热失控。3 效益分析建设年产 1500 吨的二次锂电池用复合型全固态聚合物电介质材料生产线， 项目总投资5000 万元。4 合作方式合作、技术提供方占技术股。
清华大学
2021-04-13
AIEgens固态发光的增强效应研究及其在多重耐药菌感染的治疗领域的应用
课题组设计并合成了三对平面型AIEgens，基于激发态双键重整（ESDBR）效应的理论基础对其光物理性质进行了详细研究。研究结果表明，通过在芳香环中引入氟取代基，分子间氢键作用可以有效限制在聚集态环境中的分子运动，抑制其非辐射跃迁，进而显著提升了AIEgens的聚集态量子产率。研究结果还表明，该类平面型AIEgens激子可以有效地失活到基态，并且与
南方科技大学
2021-04-14
基于忆阻的非易失性存储器、读写擦除操作方法及测试电路
本发明提供了一种基于忆阻的非易失性存储器及其读、写、擦除操作方法以及测试电路；基于忆阻的非易失性存储器电路包括忆阻存储单元、选址开关、控制开关以及分压电路。本电路的设计通过行列地址信号对忆阻存储单元进行选址，通过外加脉冲信号对读、写、擦除操作进行选择，并提供了基于忆阻的非易失性存储器的功能测试电路验证此电路结构的有效性。同时，在此电路结构的基础上，利用忆阻的非易失性原理，探讨了对此基于忆阻的非易失性存储器电路的
华中科技大学
2021-04-14
基于数字双向脉冲对相变存储单元非晶态和晶态剪裁的方法
本发明公开了一种基于数字双向脉冲对相变存储单元非晶态和 晶态剪裁的方法，通过在相变存储单元的两个电极上分别施加不同极 性的 RESET 脉冲和 SET 脉冲，使得相变存储单元中非晶化区的体积 在脉冲调制作用下发生变化，形状近似为圆柱体；通过对两个电脉冲 的幅值、宽度、间隔和极性进行调节，使得相变存储单元的电阻与脉 冲调制方式呈线性关系。本发明采用不同极性的 RESET 脉冲和 SET 脉冲分时或同时施加在相变存储单元
华中科技大学
2021-04-14