|
华中科技大学
搜 索
热门搜索： 第63届高博会 云上展厅 高校科技成果
企业入驻
需求发布
华中科技大学 教育部
  • 74 高校采购信息
  • 3409 科技成果项目
  • 0 创新创业项目
  • 0 高校项目需求
华中科技大学 > 科技成果 > 正文

基于忆阻的非易失性存储器、读写擦除操作方法及测试电路

2021-04-14 00:00:00
云上高博会 https://heec.cahe.edu.cn
关键词： 忆阻
点击收藏
所属领域:
新一代信息技术
项目成果/简介:

本发明提供了一种基于忆阻的非易失性存储器及其读、写、擦

除操作方法以及测试电路；基于忆阻的非易失性存储器电路包括忆阻

存储单元、选址开关、控制开关以及分压电路。本电路的设计通过行

列地址信号对忆阻存储单元进行选址，通过外加脉冲信号对读、写、

擦除操作进行选择，并提供了基于忆阻的非易失性存储器的功能测试

电路验证此电路结构的有效性。同时，在此电路结构的基础上，利用

忆阻的非易失性原理，探讨了对此基于忆阻的非易失性存储器电路的

项目阶段:
试用
会员登录可查看 合作方式、专利情况及联系方式
注 册

扫码关注，查看更多科技成果

取消