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基于忆阻的非易失性存储器、读写擦除操作方法及测试电路
本发明提供了一种基于忆阻的非易失性存储器及其读、写、擦除操作方法以及测试电路；基于忆阻的非易失性存储器电路包括忆阻存储单元、选址开关、控制开关以及分压电路。本电路的设计通过行列地址信号对忆阻存储单元进行选址，通过外加脉冲信号对读、写、擦除操作进行选择，并提供了基于忆阻的非易失性存储器的功能测试电路验证此电路结构的有效性。同时，在此电路结构的基础上，利用忆阻的非易失性原理，探讨了对此基于忆阻的非易失性存储器电路的
华中科技大学
2021-04-14
基于数字双向脉冲对相变存储单元非晶态和晶态剪裁的方法
本发明公开了一种基于数字双向脉冲对相变存储单元非晶态和 晶态剪裁的方法，通过在相变存储单元的两个电极上分别施加不同极 性的 RESET 脉冲和 SET 脉冲，使得相变存储单元中非晶化区的体积 在脉冲调制作用下发生变化，形状近似为圆柱体；通过对两个电脉冲 的幅值、宽度、间隔和极性进行调节，使得相变存储单元的电阻与脉 冲调制方式呈线性关系。本发明采用不同极性的 RESET 脉冲和 SET 脉冲分时或同时施加在相变存储单元
华中科技大学
2021-04-14
一种动态存储器刷新方法与刷新控制器
本发明公开了一种动态存储器刷新方法与刷新控制器，属于半导体存储器技术领域。本发明基于增益单元存储器，利用增益存储单元有二组相互独立的字线和位线，在时钟的上半周期完成外部访问的读/写操作，而在时钟下半周期完成刷新读/刷新写操作。本发明根据增益单元的刷新同期、存储 Bank 的行数以及时钟周期产生刷新请求信号以及刷新状态信号；根据刷新状态产生相应的刷新读、刷新写操作的控制信号控制刷新读和刷新写操作与外部读/外部写操作并行
华中科技大学
2021-04-14
一种基于相变存储器的非易失性逻辑门电路
本发明公开了一种基于相变存储器的非易失性逻辑门电路，包 括第一相变存储器、第二相变存储器、第一可控开关元件和第一电阻； 第一相变存储器的第一端作为与门电路的第一输入端，第二相变存储 器的第一端作为与门电路的第二输入端；第一可控开关元件的第一端 与第一相变存储器的第二端连接，第一可控开关元件的第二端接地； 第一电阻的一端与第二相变存储器的第一端连接，第一电阻的另一端 接地；第二相变存储器的第一端作为与门电路的输出端。本
华中科技大学
2021-04-14
一种分布式存储下基于冗余机制的数据恢复方法
本发明公开了一种分布式存储下基于冗余机制的数据恢复方法， 属于分布式存储技术领域。本发明预先额外设置一个阈值(t2)，其值小 于系统已有的用于判断永久性故障的阈值(t1)；系统周期性计算当前时 间与节点最近活跃时间的差值，若差值大于等于 t1，则认为其为永久 性故障节点；否则若差值大于等于 t2 且小于 t1，则认为其为暂时性故 障节点；否则若差值小于 t2，则认为其为非故障节点；若同一冗余组 内存在两个或两个以上的
华中科技大学
2021-04-14
哈尔滨工程大学软包/固态电池电极极片制备设备采购及服务竞争性磋商
哈尔滨工程大学软包/固态电池电极极片制备设备采购及服务竞争性磋商
哈尔滨工程大学
2022-06-06
二次锂电池用复合型全固态聚合物电解质项目
1 成果简介聚合物电解质由于具有质轻、粘弹性好以及成膜性好等优点，尤其适合作为锂电池的电解质材料。聚氧乙烯（ PEO）由于具有易于离子传导的结构特征而备受关注，然而由于 PEO与碱金属盐形成的聚合物电解质在室温时有较高的结晶相，所形成的电解质也只能在高温下才能使用，因此实际应用受到限制。常用来降低 PEO 结晶度的方法是加入有机液体增塑剂，液体增塑剂的加入虽然提高了聚合物电解质的离子电导率，但同时也破坏了电解质的机械性能以及增加了其与锂负极材料的反应活性，降低了电池寿命。一个重要的趋势是发展全固态聚合物电解质，以取代目前的含液体的聚合物电解质。2 应用说明本发明提供了一种锂电池用共聚物基聚合物电解质材料，其含有共聚物基体和碱金属盐，所述共聚物基体是由氧化乙烯单元和氧化丙烯单元组成。本发明还提供了含所述聚合物电解质材料的复合电解质膜及其制备方法，本发明所述的锂电池用共聚物基聚合物电解质材料，采用共聚物作为基体材料，通过简单的溶液浇铸法制备成聚合物电解质材料，并采用浸泡方法实现活性聚合物电解质材料与高分子隔膜材料的复合。本发明的聚合物电解质材料不含有机液态电解质，不可燃，且与传统的 PEO 基聚合物电解质相比，电导率明显提高，机械性能好， 可以防止热失控。3 效益分析建设年产 1500 吨的二次锂电池用复合型全固态聚合物电介质材料生产线， 项目总投资5000 万元。4 合作方式合作、技术提供方占技术股。
清华大学
2021-04-13
AIEgens固态发光的增强效应研究及其在多重耐药菌感染的治疗领域的应用
课题组设计并合成了三对平面型AIEgens，基于激发态双键重整（ESDBR）效应的理论基础对其光物理性质进行了详细研究。研究结果表明，通过在芳香环中引入氟取代基，分子间氢键作用可以有效限制在聚集态环境中的分子运动，抑制其非辐射跃迁，进而显著提升了AIEgens的聚集态量子产率。研究结果还表明，该类平面型AIEgens激子可以有效地失活到基态，并且与
南方科技大学
2021-04-14
关于“外尔半金属TaAs的不饱和量子磁性”方面的研究成果
这一强磁场下的不饱和磁性与非相对论型的拓扑平庸电子呈现的饱和磁性截然相反，是相对论型的电子所独具的指针性属性。 由于各种拓扑电子材料的能带对于包括自旋轨道耦合以及化学势在内的各种参数高度敏感，决定电子拓扑性质的能量尺度可能小至毫电子伏特量级，因此通常的谱学测量如角分辨光电子谱等往往无法分辨能带的细节。而普通的电输运测量只能表征费米面的贝里曲率，无法区分相对论型的电子能带是否存在能隙。这项对于拓扑电子材料的磁性研究，结合了理论计算与强磁场下的实验表征，提出了探测相对论型的电子的一种决定性指针。该工作已在《自然•通讯》上发表 Nature Communications 10, 1028 (2019).Magnetic responses of the non-relativistic and relativistic fermions a, b, c, d: The energy bands of non-relativistic (parabolic-band) fermions; g, i, h, j: The energy bands of -relativistic fermions; e, f: Calculated parallel magnetization (M||) and effective transverse magnetization (MT) of non-relativistic fermions are saturated in strong magnetic field. k, l: Non-saturated M of relativistic fermions.
北京大学
2021-04-11
一种 III-V 族量子点诱导生长钙钛矿晶体的方法
本发明公开了一种 III-V 族量子点诱导生长钙钛矿晶体的方法， 包括以下步骤：(1)将 III-V 族量子点分散于非极性溶剂中得到量子点溶 液，将无机配体溶解于极性溶剂中得到无机配体分散液，再将量子点 溶液与无机配体分散液混合搅拌，极性溶剂所在层即对应第一前驱体溶液；(2)将 PbX2 与 MAX 均匀分散于极性溶剂中得到第二前驱体溶 液；(3)将第一前驱体溶液与第二前驱体溶液混合后利用反溶剂法生长 晶体，从而在
华中科技大学
2021-04-14