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一种基于相变存储器的非易失性逻辑门电路
本发明公开了一种基于相变存储器的非易失性逻辑门电路，包 括第一相变存储器、第二相变存储器、第一可控开关元件和第一电阻； 第一相变存储器的第一端作为与门电路的第一输入端，第二相变存储 器的第一端作为与门电路的第二输入端；第一可控开关元件的第一端 与第一相变存储器的第二端连接，第一可控开关元件的第二端接地； 第一电阻的一端与第二相变存储器的第一端连接，第一电阻的另一端 接地；第二相变存储器的第一端作为与门电路的输出端。本
华中科技大学
2021-04-14
一种分布式存储下基于冗余机制的数据恢复方法
本发明公开了一种分布式存储下基于冗余机制的数据恢复方法， 属于分布式存储技术领域。本发明预先额外设置一个阈值(t2)，其值小 于系统已有的用于判断永久性故障的阈值(t1)；系统周期性计算当前时 间与节点最近活跃时间的差值，若差值大于等于 t1，则认为其为永久 性故障节点；否则若差值大于等于 t2 且小于 t1，则认为其为暂时性故 障节点；否则若差值小于 t2，则认为其为非故障节点；若同一冗余组 内存在两个或两个以上的
华中科技大学
2021-04-14
一种提高分布式缓存的命中率并减少固态硬盘磨损的方法
本发明公开了一种提高分布式缓存的命中率并减少固态硬盘磨 损的方法，结合缓存数据分布特性和固态硬盘特性优化缓存性能并降 低成本。它能根据应用场景分配内存缓存区并将 SSD 划分为连续分布 的与内存缓存区等大的 Cage，内存缓存区缓存新数据，内存缓存区的 数据达到上限时将内存缓存区所有数据写入 Cage，擦除内存缓存区进 行新的数据缓存。替换算法通过分析内存缓存区中的数据的访问频度 分布，设定 Cage 中替换算法参数
华中科技大学
2021-04-14
中国科学技术大学在二维材料固态自旋色心研究中取得新进展
我校郭光灿院士团队在二维范德瓦尔斯材料固态自旋色心领域取得重要进展。该团队李传锋、唐建顺研究组与匈牙利魏格纳物理研究中心AdamGali教授等人合作，实验研究并理论解释了六方氮化硼（hexagonalboronnitride，hBN）中带负电硼空位（VB-）色心受磁场调制的自旋相干动力学行为，揭示了hBN中VB-色心电子自旋与核自旋之间的相干耦合和弛豫机制，对发展基于二维范德瓦尔斯材料的相干自旋系统及低维量子器件具有重要意义。
中国科学技术大学
2022-10-17
关于“外尔半金属TaAs的不饱和量子磁性”方面的研究成果
这一强磁场下的不饱和磁性与非相对论型的拓扑平庸电子呈现的饱和磁性截然相反，是相对论型的电子所独具的指针性属性。 由于各种拓扑电子材料的能带对于包括自旋轨道耦合以及化学势在内的各种参数高度敏感，决定电子拓扑性质的能量尺度可能小至毫电子伏特量级，因此通常的谱学测量如角分辨光电子谱等往往无法分辨能带的细节。而普通的电输运测量只能表征费米面的贝里曲率，无法区分相对论型的电子能带是否存在能隙。这项对于拓扑电子材料的磁性研究，结合了理论计算与强磁场下的实验表征，提出了探测相对论型的电子的一种决定性指针。该工作已在《自然•通讯》上发表 Nature Communications 10, 1028 (2019).Magnetic responses of the non-relativistic and relativistic fermions a, b, c, d: The energy bands of non-relativistic (parabolic-band) fermions; g, i, h, j: The energy bands of -relativistic fermions; e, f: Calculated parallel magnetization (M||) and effective transverse magnetization (MT) of non-relativistic fermions are saturated in strong magnetic field. k, l: Non-saturated M of relativistic fermions.
北京大学
2021-04-11
一种 III-V 族量子点诱导生长钙钛矿晶体的方法
本发明公开了一种 III-V 族量子点诱导生长钙钛矿晶体的方法， 包括以下步骤：(1)将 III-V 族量子点分散于非极性溶剂中得到量子点溶 液，将无机配体溶解于极性溶剂中得到无机配体分散液，再将量子点 溶液与无机配体分散液混合搅拌，极性溶剂所在层即对应第一前驱体溶液；(2)将 PbX2 与 MAX 均匀分散于极性溶剂中得到第二前驱体溶 液；(3)将第一前驱体溶液与第二前驱体溶液混合后利用反溶剂法生长 晶体，从而在
华中科技大学
2021-04-14
西湖大学何睿华实验室发现首个光阴极“量子”材料
近期，西湖大学理学院何睿华课题组连同研究合作者一起，发现了世界首例具有本征相干性的光阴极量子材料，其性能远超传统的光阴极材料，且无法为现有理论所解释，为光阴极研发、应用与基础理论发展打开了新的天地。
西湖大学
2023-03-10
表征太赫兹量子级联激光器多模效应的电路建模仿真方法
本发明涉及一种表征太赫兹量子级联激光器多模效应的电路建模仿真方法，首先建立表征 THzQCL 有源层内部载流子输运特性的多模速率方程组；接着建立表征ThzQCL内部多模态效应的物理方程模型； 然后通过变量代换和化简得到相应的等效电路模型；建立表征 THzQCL 输入端电气特性的等效电路模型； 建立表征 THzQCL 输出端光功率特性的等效电路模型；最后建立电路宏模型，包括一个电气端口和一个 光功率输出端口，基于电路宏模型进行光电性能仿真和输出光谱性能测试。本发明可测试温度对 THzQCL 各种光电性能的影响；可支持实现对 THzQCL 光电性能和输出多模效应的模拟和仿真。
武汉大学
2021-04-13
西安交通大学实验室安全设施建设-存储柜竞争性磋商
西安交通大学实验室安全设施建设-存储柜竞争性磋商
西安交通大学
2022-05-27
一种异构存储介质下嵌入式数据库的管理方法
本发明公开了一种异构存储介质下嵌入式数据库的管理方法，具体为：将数据文件分为小数据块和大数据块，将大数据块和优先级低的小数据块存入外存，将优先级高的小数据块存入内存；嵌入式处理器查询到待访问数据的索引块，若该数据块存在于内存，则直接访问数据，若该数据块存在于外存，则访问外存中的数据；在系统空闲期，数据库根据访问情况将部分数据块降级释放到外存，加载部分急需的数据块到内存，以实现动态调度。本发明综合两种存储介质的优
华中科技大学
2021-04-14