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鲁加 4 号
亲本为“特拉蒙”ד新红星”,中早熟加工制汁品种。树体柱形,果实 发育期 115 天,在烟台地区 8 月下旬成熟。枝条节间短,适于密植栽培;果实 扁圆形,果形指数 0.74,果实中大,平均单果重 190.5 克;果面条红,深红色, 光洁,果点稀疏;果肉绿白,肉质疏松稍粗,可溶性固形物 12.01%,总糖 9.14%; 出汁率 76.6%;风味特酸,果实原汁酸度 0.71%,浓缩汁酸度 5.10%。定植后第 4 年平均亩产 1510 公斤,早果、丰产性好。适于山东、陕西、山西、河南、河 北、甘肃、新疆
青岛农业大学 2021-01-12
微机曙光2号
产品详细介绍
泉州市三维科技电脑有限公司 2021-08-23
一种铅炭复合材料、其制备方法及在铅炭电池中的应用
本发明公开了一种铅炭复合材料、其制备方法及应用。所述复合材料包括三维多孔结构的炭骨架和附着在炭骨架上的纳米氧化铅-金属铅颗粒,炭骨架和纳米氧化铅-金属铅颗粒的质量比例在1:10<sup>3</sup> 至 1:10 之 间 ; 炭 骨 架 的 比 表 面 积 在20m<sup>2</sup>/g 至 1000m<sup>2</sup>/g 之间;纳米氧化铅-金属铅颗粒中金属铅的摩尔比例小于或等于 50%。其制备方法以铅的有机配合
华中科技大学 2021-04-14
双向扭转型铅剪切阻尼器
本发明是一种利用相对转角位移耗能机制的双向扭转型铅剪切阻尼器,阻尼器主体由内外双层钢质镂空圆筒构成,在两个圆筒之间灌注铅作为阻尼层,圆筒上下两端通过螺栓与钢压板相连。在沿圆筒轴向荷载作用下,内外两个圆筒产生方向相反的相对扭转变形,在较小的变形下,使嵌入两侧镂空钢质圆筒内的铅产生显著的剪切变形,从而消耗能量。
扬州大学 2021-04-14
油菜品种天油杂2号(源油杂2号)
可以量产/n成果简介:天油杂2号是由不育系195A和恢复系 7-23选育而成,2004-2005年参加江西省油菜区域试验,亩产135.95公斤,比对照中油杂2号增产10.96%,增产显著,居试验首位;2005-2006年参加江西省油菜区域试验,平均亩产135.80公斤,比对照中油杂2号增产20.09%,达显著水平,居试验首位;两年平均亩产135.88公斤,比对照增产15.34%。两年平均含油量40.18%,硫甙含量为21.85μmol/g,芥酸含量为0。2007年通过江西省和重庆市品种审定,审定名称
华中农业大学 2021-01-12
掌门1对1
掌门1对1,万人资深教研团队,专注于高中、初中、小学的全科目针对性在线1对1辅导,为学员量身定制个性化辅导方案。不限地域,在家就能上课,随时预约,省时省力更省心。
上海掌小门教育科技有限公司 2021-02-01
轻轻1对1
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上海轻轻信息科技有限公司 2021-02-01
一种溴铅铯单晶制备方法
本发明公开了一种溴铅铯单晶制备方法,采用镀有碳膜的具有 圆锥形尖端的安瓿装载溴铅铯粉料,具体包括如下步骤:将安瓿抽真 空密封;对安瓿按其圆锥形尖端到溴铅铯粉料顶端的方向梯度加温, 使置于安瓿中的溴铅铯粉料充分熔化;对安瓿缓速降温,直到溴铅铯 粉料顶端的温度比溴铅铯的凝固点低 0~5℃后保温,完成溴铅铯单晶 生长;对溴铅铯单晶分阶段降温:第一阶段快速降温,使溴铅铯单晶 快速冷却;第二阶段慢速降温,实现溴铅铯单晶晶体相变转化。本发 明提供的上述溴铅铯单晶制备方法,在单晶生长中与单晶降温中采用 了不同的降温速度,且采用了分阶段降温的方法,兼顾了晶体生长质 量与生长周期,有效解决现有技术在单晶制备过程因内应力导致溴铅 铯单晶开裂的问题。 
华中科技大学 2021-04-11
关于超薄单晶铅膜界面超导的研究
通过使用铅的条状非公度相作为铅膜和硅衬底的界面,用超高真空分子束外延技术成功制备出一种宏观面积的、塞曼保护的新型二维超导体。系统的低温强磁场实验表明,该体系的超导电性可存在于超过40特斯拉的平行强磁场中,这一数值远超过体系的泡利极限,是塞曼保护超导电性的直接证据。第一性原理计算结果也表明,条状非公度相中特殊的晶格畸变会延伸至铅膜中,从而在该体系中引入很强的塞曼自旋轨道耦合。同时,新的微观理论也给出了强杂质情形下各种自旋轨道耦合及散射效应对二维超导临界场的影响并定量地解释了塞曼保护超导电性的物理机制。该工作表明,可以通过界面工程在中心反演对称性保护的二维超导中引入面内中心反演对称性破缺,也即在二维晶体超导体系中人工引入塞曼保护的超导电性机制。这一结果预示出人们有望在二维超导体系中,通过界面调制发现新的非常规超导特性。这种宏观尺度强自旋轨道耦合下的二维超导,也为拓扑超导的探索提供了新的平台,并为未来无耗散或低耗散量子器件的设计与集成奠定了基础。图 (a) 脉冲强磁场实验表明6个原子层厚铅膜的超导电性在高达40 T的水平强场下仍不被破坏。(b) 临界场随温度的关系与理论高度重合,有力地证明了超薄铅膜中的塞曼自旋轨道耦合保护的超导电性。 (c) 对外延生长于条状非公度相(SIC)界面上的超薄铅膜进行磁阻测量的示意图。
北京大学 2021-04-11
一种溴铅铯单晶制备方法
本发明公开了一种溴铅铯单晶制备方法,采用镀有碳膜的具有 圆锥形尖端的安瓿装载溴铅铯粉料,具体包括如下步骤:将安瓿抽真 空密封;对安瓿按其圆锥形尖端到溴铅铯粉料顶端的方向梯度加温, 使置于安瓿中的溴铅铯粉料充分熔化;对安瓿缓速降温,直到溴铅铯 粉料顶端的温度比溴铅铯的凝固点低 0~5℃后保温,完成溴铅铯单晶 生长;对溴铅铯单晶分阶段降温:第一阶段快速降温,使溴铅铯单晶 快速冷却;第二阶段慢速降温,实现溴铅铯单晶晶体相变
华中科技大学 2021-04-14
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