YJ-2102H全自动膏药软化点测定仪 YJ-2102H全自动膏药软化点测定仪是根据中华人民共和国药典标准2020年版四部通则2102膏药软化点测定法的要求，测定膏药在规定条件下受热软化时的温度情况，膏药因受热下坠25mm时的温度，用于检测膏药的老嫩程度，并可间接反映膏药的黏性。该仪器适用于可以满足各个膏药生产厂家、药检所以及相关单位使用。 一、主要技术特点 1、采用电脑智能控制、激光自动检测、液晶触摸屏人机界面、丝杠步进电机升降等技术，具有升温线性，浴液搅拌均匀，自动完成试样检测等特点。是一款自动化程度高、测试快捷方便、测试结果准确可靠的膏药软化点测定仪器。 2、仪器通过加热管溶液介质和膏药加热，通过磁力搅拌器搅拌使烧杯内温度均匀，控制器采用插补算法控制输出，使介质按照1.0-1.5℃/分钟线性上升。试验环内的膏药在升温过程中开始慢慢软化，当达到软化温度点时，试样环内的膏药在钢球重力作用下呈水滴状缓慢下降，当两个试样环内的膏药下降接触到下挡板时的温度平均值即为膏药软化点温度。 3、仪器主要由机箱支架、触摸屏人机界面、丝杠升降系统、加热升温调节系统、激光检测系统、磁力搅拌系统等部分组成。 4、为方便试验操作和组件在烧杯内的平稳升降，设计了一款试验平台，试验组件悬挂定位在试验平台上，通过丝杠驱动试验平台及试验组件平稳下降并定位精准，实现对射激光的光柱柱贴近下挡板的上侧面。 5、试验过程有动画模拟显示，触摸操作，人机交互界面，更直观，更方便。 6、温度控制采用斜率插补算法，精准升温，程序控制，实时控温。 7、分体式磁力搅拌采用无极调速，温度更加均匀。 8、激光对射自动检测判断样品下落，抗干扰能力强，反应灵敏度高。 二、主要技术指标和参数   1、测量范围 A.试样软化点在80℃以下者，5℃～80℃（蒸馏水）。 B.试样软化点在80℃以上者，32℃～162℃（甘油）。 2、温度分辨率:0.1℃（偏差可修正）。 3、加热管功率:700W。 4、升温斜率:升温速率稳定在1.0-1.5℃/min。 5、烧杯尺寸:直径110mm，高度130mm。 6、测量样品数:同时测量2个试样。 7、搅拌器 :磁力搅拌，搅拌速度连续可调。 8、试验结果处理 200组数据存储。 9、存储的数据可液晶调取显示，也可U盘转存查看(.csv文件)。 10、可选配微型打印机打印结果。 11、通讯接口 RS-485通讯接口，ModBus协议。 12、外形尺寸 390mm×300mm×575mm（长×宽×高）。 13、工作电源 220±10%VAC/50Hz。 14、整机功率 最大800W。 15、整机净重 12.0Kg。 16、使用环境： A.温度：15℃～35℃且相对稳定，无明显空气对流现象； B.湿度：≤85％；

YJ-8146H全自动松香软化点测定仪 本仪器是根据本仪器是根据中华人民共和国2020年药典松香软化点测定所规定的要求设计制造的，是本公司最新开发的软化点试验器的升级产品，适用于松香等物质的软化点测试。按照药典要求，软化点取本品适量，依法检查（通则2102膏药软化点测定方法）,升温速率约为每分钟5.0°C ±0.5°C,软化点应不低于76.0°C。同时本仪器也符合GB/T 8146-2003 松香试验方法中软化点测试要求。 一、主要技术特点 1、采用电脑智能控制、激光自动检测、液晶触摸屏人机界面、丝杠步进电机升降等技术，具有升温线性，浴液搅拌均匀，自动完成试样检测等特点。是一款自动化程度高、测试快捷方便、测试结果准确可靠的松香软化点测定仪器。 2、仪器通过加热管溶液介质和松香加热，通过磁力搅拌器搅拌使烧杯内温度均匀，控制器采用插补算法控制输出，使介质按照5℃/分钟线性上升。试验环内的松香在升温过程中开始慢慢软化，当达到软化温度点时，试样环内的松香在钢球重力作用下呈水滴状缓慢下降，当两个试样环内的松香下降接触到下挡板时的温度平均值即为松香软化点温度。 3、仪器主要由机箱支架、触摸屏人机界面、丝杠升降系统、加热升温调节系统、激光检测系统、磁力搅拌系统等部分组成。 4、为方便试验操作和组件在烧杯内的平稳升降，设计了一款试验平台，试验组件悬挂定位在试验平台上，通过丝杠驱动试验平台及试验组件平稳下降并定位精准，实现对射激光的光柱柱贴近下挡板的上侧面。 5、试验过程有动画模拟显示，触摸操作，人机交互界面，更直观，更方便。 6、温度控制采用斜率插补算法，精准升温，程序控制，实时控温。 7、分体式磁力搅拌采用无极调速，温度更加均匀。 8、激光对射自动检测判断样品下落，抗干扰能力强，反应灵敏度高。 9、配备松香专用制样环，保证测试结果的准确性。 10、本产品荣获国家资质证书，编号为：软著登字第6089527号。 二、主要技术指标和参数 1、测量范围 A.试样软化点在80℃以下者，5℃～80℃（蒸馏水）。 B.试样软化点在80℃以上者，32℃～160℃（甘油）。 2、温度分辨率:0.1℃（偏差可修正）。 3、加热管功率:700W。 4、升温斜率:启动三分钟后，升温速率稳定在(5.0±0.5)℃/min。 5、烧杯尺寸:直径110mm，高度130mm。 6、测量样品数:同时测量2个试样。 7、搅拌器 :磁力搅拌，搅拌速度连续可调。 8、试验结果处理 200组数据存储。 9、存储的数据可液晶调取显示，也可U盘转存查看(.csv文件)。 10、可选配微型打印机打印结果。 11、通讯接口 RS-485通讯接口，ModBus协议。 12、外形尺寸 390mm×300mm×575mm（长×宽×高）。 13、工作电源 220±10%VAC/50Hz。 14、整机功率 最大800W。 15、整机净重 12.0Kg。 16、使用环境： A.温度：15℃～35℃且相对稳定，无明显空气对流现象； B.湿度：≤85％；

本实用新型公开了一种多光谱猪肉糜掺杂快速检测装置，涉及农产品质量快速检测技术领域。装置包括：多光谱波段切换室、控制室、样本光照室和智能检测模块。多光谱波段切换室安装于长方体外壳的顶端一侧，室内设有一个滤光片切换装置，该装置的圆盘上装有四个不同波段的滤光片，一个黑白工业相机被置于室内中部，正对于一个滤光片的上方，相机镜头正对样本光照室，和智能检测模块相连接。本实用新型通过切换滤光片的方式，结合黑白工业相机对待测样品的多光谱图像进行采集，通过智能检测模块终端对多光谱图像信息进行实时计算和显示，完成对猪肉糜掺杂鸡肉比例的快速检测。整个装置具有体积小、操作简单、便携耐用、智能化程度较高等优点。

产品详细介绍UVR-III全光谱数码照相系统价格：150000.00佳能70D改制，运用近贴光锥耦合紫红外增强技术，使相机可以感应200nm-1100nm波长光线。对各种光滑客体表面的指纹，实时观察，直接拍照。相机像素：1800万取景模式：光学取景∕实时取景影像感应器：22.3×14.9mmLED显示屏：3.0英寸TFT液晶屏影像处理系统：DIGIC 4相机感光度： ISO 100-12800曝光模式：P、AV、TV、M紫外镜头：78毫米，有微距功能滤光片：254、365、850、950nm环形短波紫外光源：功率8W远程搜索光源：功率8W红外便携光源： 600nm-1100nm产品名称 规格及技术参数全光谱数码照相机主机 应用于现成勘查中指纹、血液、精斑等物质的发现固定提取，可以直接拍照提取指纹，对客体无损害，保证指纹的完整性。技术参数：相机类型 佳能60D数码单反相机（改装）波长响应范围 200nm~~1100nm相机像素 1800万像素紫外石英镜头 高通量8W紫外环型光源 交直流供电式紫外灯远程紫外搜索灯 交直流供电式紫外灯红外光源 35W便携式红外灯254nm、365nm紫外滤光片 高品质窄带紫外滤光片850nm、950nm红外滤光片 高品质窄带红外滤光片高性能交直流电池充电器 8.4V专用充电器取景模式 实时取景传感器尺寸 22.3×14.9 mm存储介质 SD卡感光度 相当于ISO100~12800图像传输 USB2.0（高速）曝光模式 M档、TV档、AV挡、P档影像处理器 DIGIC 4配置清单1 紫红外数码相机主机 1台2 照相机电池、充电器、数据传输线 1套3 高通量紫外石英镜头 1个4 254nm、365nm、850nm、950nm滤光片 各1片5 4G SD卡 1个6 紫外光源（配8.4V充电器） 1套7 小型红外光源 1个8 紫外防护镜 2付9 三防箱子 1个10 三角架 1架11 比例尺 1包12 手套 2付13 说明书、光盘 1套

主流硅基芯片CMOS（互补金属氧化物半导体）技术正面临短沟道效应等物理规律和制造成本的限制，需要开发基于新材料和新原理的晶体管技术来延续摩尔定律。高迁移率二维半导体因其超薄的平面结构和独特的电子学性质，有望成为“后摩尔时代”高性能电子器件和数字集成电路的理想沟道材料，进一步缩小晶体管的尺寸和提高其性能。为满足集成电路加工工艺和器件成品率对沟道材料的苛刻要求，二维半导体单晶薄膜的大面积制备尤为关键与重要。然而，现有二维半导体材料体系（过渡金属硫族化合物、黑磷等）薄膜制备仍未满足现实要求，因此亟需实现晶圆级二维半导体单晶薄膜制备技术的突破。 该研究瞄准二维半导体材料的晶圆级单晶制备，率先实现了同时具有高电子迁移率、合适带隙、环境稳定的二维半导体（硒氧化铋，Bi2O2Se)单晶晶圆的外延生长。他们基于自主设计搭建的双温区化学气相沉积系统，在商用的钙钛矿单晶基底【SrTiO3，LaAlO3，或(La, Sr)(Al,Ta)O3】上，利用Bi2O2Se与钙钛矿完美的晶格匹配性及较强的界面相互作用，促使Bi2O2Se晶核同一取向外延并融合生成晶圆级单晶薄膜。Bi2O2Se单晶薄膜在晶圆尺寸上表现出优异的材料和电学均匀性，可被用于批量构筑高性能场效应晶体管。基于晶圆级二维Bi2O2Se单晶薄膜的标准顶栅型场效应晶体管展现了高的室温表观迁移率（>150 cm2/V s）、大的电流开关比（>105）和较高的开态电流（45μA/μm）。相关成果发表在Nano Letters (Wafer-Scale Growth of Single-Crystal 2D Semiconductor on Perovskite Oxides for High-Performance Transistors. Nano Lett. 2019, 19, 2148)。

一种微机电系统的圆片级真空封装工艺，属于微机电系统的封装方法，解决现有基于薄膜淀积真空封装工艺所存在的淀积薄膜较薄、腔体小，容易损坏，以及封装器件存在真空泄露、使用寿命降低的问题。本发明顺序包括：淀积吸气剂步骤；淀积薄牺牲层步骤；淀积缓冲腔牺牲层步骤；淀积厚牺牲层步骤；制作封装盖步骤；刻蚀释放孔步骤；去除牺牲层步骤和密封步骤。本发明解决了现有封装方法存在的真空保持时间短，密封质量低，封装尺寸大，工艺与标准 IC 工艺不兼容，成本高的问题，从而保证最里面的腔体气压；同时成本少于基于圆片键合工艺的真空封

差示扫描量热仪是一种测量参比端与样品端的热流差与温度参数关系的热分析仪器，主要应用于测量物质加热或冷却过程中的各种特征参数：玻璃化转变温度Tg、氧化诱导期OIT、熔融温度、结晶温度、比热容及热焓等。

本实用新型公开了一种用于原子吸收分光光度计的伸缩测样架，涉及分光光度计的样品支架领域，所述定位板设置在底座上，所述滑块活动设置在底座上，所述滑块内设有螺纹孔，所述丝杠设置在滑块内的螺纹孔内，所述丝杠的一端通过定位板的螺孔后与旋钮连接；所述滑块的顶端设有固定杆Ⅰ，所述固定杆Ⅰ和固定杆Ⅱ铰连接，固定杆Ⅰ和固定杆Ⅱ的顶端连接置物架。本实用新型的有益效果是，首先利用滚轴丝杠的原理，实现了置物架的左右移动，然后利用调节板和交叉杆的相互配合作用，实现了置物架的上下移动，此外，该调节板和左右移动的控制端位于同侧，方便调节，具有人性化，提高了操作的效率，值得推广使用。

本实用新型公开了一种基于偏振光相位调制的结构光生成装置。激光器发出线偏振光的光束入射到半波片上，经过半波片偏振方向旋转角度，再到电光相位调制器中分解成两个偏振分量，被电光相位调制器调制产生相位差，接着经扩束镜扩束后入射到左、右偏振分光镜拼接后形成的端面中间让调制后的光束透过，然后两路光束入射到偏振片上仅透过沿其光轴方向的分量形成一路光束，最终聚焦在聚焦镜的焦点处发生干涉。本实用新型能应用到荧光显微成像上，能获得更好的荧光信号信噪比和更强的组织内部大深度成像能力。

本发明公开了一种透射式偏振无关空间光调制方法和装置，该 方法利用偏振分束、偏振旋转、透射式偏振相关空间光调制器件、偏 振合束实现透射式偏振无关空间光调制。装置包括偏振分束镜、反射 镜、半波片和透射式偏振相关空间光调制器件，其中偏振分束镜、透 射式偏振相关空间光调制器件和反射镜构成多边形回路，半波片位于 回路中。装置还可以进行多种改进。本发明可以适用于多种空间光束， 如轨道角动量光束、多路广播的轨道角动量光束、任意空间