一种微机电系统的圆片级真空封装工艺,属于微机电系统的封装方法,解决现有基于薄膜淀积真空封装工艺所存在的淀积薄膜较薄、腔体小,容易损坏,以及封装器件存在真空泄露、使用寿命降低的问题。本发明顺序包括:淀积吸气剂步骤;淀积薄牺牲层步骤;淀积缓冲腔牺牲层步骤;淀积厚牺牲层步骤;制作封装盖步骤;刻蚀释放孔步骤;去除牺牲层步骤和密封步骤。本发明解决了现有封装方法存在的真空保持时间短,密封质量低,封装尺寸大,工艺与标准 IC 工艺不兼容,成本高的问题,从而保证最里面的腔体气压;同时成本少于基于圆片键合工艺的真空封
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