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高端化合物半导体外延晶圆产业化
北京工业大学
2021-04-14
高端化合物半导体外延晶圆产业化
北京工业大学
2021-04-14
一种微机电系统的圆片级真空封装方法
一种微机电系统的圆片级真空封装方法，属于微机电系统的封装方法，解决现有封装方法存在的问题，使得微型真空腔长时间保持真空，满足十年以上使用寿命的要求。本发明包括：刻蚀步骤：在盖板圆片上对应硅基片 MEMS 器件的位置刻蚀相应空间尺寸的凹坑，再环绕凹坑刻蚀环形凹槽；吸气剂淀积步骤：在所述凹坑和凹槽内淀积吸气剂薄膜；键合步骤：在真空环境下将盖板圆片和硅基片紧密键合。本发明解决了现有封装方法存在的真空保持时间短、密封质量低、可靠性差、成本高的问题，可以长时间保持微型腔体内的真空度，极大的推动圆片级 MEMS
华中科技大学
2021-04-14
ECE R118圆箔式热流计/辐射计
产品详细介绍ECE R118圆箔式热流计/辐射计用于ECE R118机动车辆特定类型内部结构采用的材料燃烧特性中附录7熔融特性，量程10W/cm2，表面10mm接收黑色涂层接收面，整个传感器的直径是25mm，材料为无氧铜，不带光谱过滤窗口，校正精度±3%，重复性0.5%。ECE R118用圆箔式热流计/辐射计的特点： 便携式设计，体积小且重量轻 本机可以记录数据 USB连接计算机 传感器坚固耐用 充电电池或者电源适配器供电ECE R118用圆箔式热流计/辐射计参数：量程： 0-100（kW/m2）接收视角： 180度采集频率： 1次/秒测试类型： 总热通量时间常数： 小于1s冷却方式： 水冷准确度： 量程最大值的±3%固定方式： 法兰线长： 1.5m（可选）主机尺寸： 90 x 30 x 190 mm（长 x 宽 x 高）传感器尺寸： 25(直径)x25（长）mm；法兰直径43.9mm配置：主机1台，传感器2支，U盘1个，USB连接线1条，电源适配器1个可选：第三方校正报告
上海图新电子有限公司
2021-08-23
一种钼酸锂纳米棒电子封装材料
简介：本发明公开了一种钼酸锂纳米棒电子封装材料，属于电子封装材料技术领域。本发明钼酸锂纳米棒电子封装材料的质量百分比组成如下：钼酸锂纳米棒65‑80％、聚乙烯醇8‑12％、脂肪醇聚氧乙烯醚羧酸钠0.05‑0.5％、异丙醇铝4‑8％、微晶石蜡4‑8％、水3‑7％，钼酸锂纳米棒的直径为50‑100nm、长度为1‑3μm。本发明提供的钼酸锂纳米棒电子封装材料具有绝缘性好、耐老化及耐腐蚀性能优良、导热系数高、热膨胀系数小、易加工、制备过程简单及制备温度低的特点，在电子封装材料领域具有良好的应用前景。
安徽工业大学
2021-04-11
动压软岩巷道用可伸缩恒力让压锚杆
本发明涉及一种动压软岩巷道用可伸缩恒力让压锚杆，由锚杆体、托盘、拉杆、预紧调节螺栓、主弹簧、销轴、刀形凸轮、辅弹簧、锚固头框架、滚轮、滚轮架和螺母组成。锚杆体与拉杆通过螺纹相连接；托盘可在外力作用下沿着拉杆移动，且在移动过程中主弹簧和辅弹簧对托盘产生的合成预紧力基本保持不变，即保持恒力。当动压软岩巷道的围岩发生变形时，托盘通过带负荷移动让压，释放应力。围岩卸压后，托盘回移补强，实现对围岩的二次加固。当围岩因应力扰动反复发生变形时，锚杆可形成对围岩的“让-支-让”循环支护和柔性支护，避免巷道被毁坏。本发明设计巧妙，结构紧凑，托盘移动行程大，除锚杆体外均可拆卸后循环使用，节约成本。
安徽理工大学
2021-04-13
一种区分上杆鸡个体的杆状栖息装置
本实用新型公开了一种区分上杆鸡个体的杆状栖息装置。RFID脚环电子标签佩戴在鸡脚上，非金属管水平安装，非金属管两端分别支撑安装在两个支撑座上，非金属管上间隔均布地安装有限位装置，每相邻两个限位装置之间的非金属管内设置有感应线圈和控制电路，感应线圈用于感应RFID脚环电子标签，支撑座内设置单片机嵌入式系统电路，感应线圈经各自的控制电路连接到单片机嵌入式系统电路。本实用新型能够自动地识别鸡群中每只鸡个体对杆状栖息装置的利用情况，有效地避免了多只鸡佩戴RFID电子标签同时接近RFID读取模块的感应线圈造成的冲突，为鸡群群体中的个体栖息行为特征研究提供有效工具。
浙江大学
2021-04-13
一种双壳程折流杆管壳式换热器
本发明公开了一种双壳程折流杆管壳式换热器，包括壳体及从左至右依次设置在壳体上的左封头、左管板、环形隔板、右管板和右封头，左封头和右封头分别密封安装在壳体的左右两端；左管板和右管板均密封安装在壳体两端的内侧；壳体内设有多根换热管；环形隔板密封安装在壳体内，其一侧安装有第一套筒；环形隔板与右管板之间还设有多个折流装置，每个折流装置均包括一折流圈和多根折流杆；左封头上设有第一管程进出口，壳体上设有第一壳程进出口和第二壳程进出口；左封头或右封头上设有第二管程进出口。本发明可以大幅度增加壳程流体流速从而提升换热器壳程的换热能力，同时有效控制阻力的增幅，尤其适用于油冷器等壳程流体黏度大流速低的场合。
华中科技大学
2021-04-13
GJ-SB-I型四连杆步进送料机构
采用两套相同尺寸的曲柄摇杆机构，将连杆上的相应点与输出推杆钣接，曲柄的回转可带动推杆近似平动，以此推动固定导杆上的工件向前移动。
特点：用于机械原理教学。
主要技术参数如下：
①行程：150mm；
②减速电机：功率P=185W，电压220V，输出转速24rpm；
③间歇送料：24次/min；
④外形尺寸：长x 宽x 高=1250㎜x 500㎜x 450㎜；
⑤实验台重量：90kg;
哈尔滨工江机电科技有限公司
2023-01-16
晶圆级二维半导体单晶薄膜外延生长的研究
主流硅基芯片CMOS（互补金属氧化物半导体）技术正面临短沟道效应等物理规律和制造成本的限制，需要开发基于新材料和新原理的晶体管技术来延续摩尔定律。高迁移率二维半导体因其超薄的平面结构和独特的电子学性质，有望成为“后摩尔时代”高性能电子器件和数字集成电路的理想沟道材料，进一步缩小晶体管的尺寸和提高其性能。为满足集成电路加工工艺和器件成品率对沟道材料的苛刻要求，二维半导体单晶薄膜的大面积制备尤为关键与重要。然而，现有二维半导体材料体系（过渡金属硫族化合物、黑磷等）薄膜制备仍未满足现实要求，因此亟需实现晶圆级二维半导体单晶薄膜制备技术的突破。 该研究瞄准二维半导体材料的晶圆级单晶制备，率先实现了同时具有高电子迁移率、合适带隙、环境稳定的二维半导体（硒氧化铋，Bi2O2Se)单晶晶圆的外延生长。他们基于自主设计搭建的双温区化学气相沉积系统，在商用的钙钛矿单晶基底【SrTiO3，LaAlO3，或(La, Sr)(Al,Ta)O3】上，利用Bi2O2Se与钙钛矿完美的晶格匹配性及较强的界面相互作用，促使Bi2O2Se晶核同一取向外延并融合生成晶圆级单晶薄膜。Bi2O2Se单晶薄膜在晶圆尺寸上表现出优异的材料和电学均匀性，可被用于批量构筑高性能场效应晶体管。基于晶圆级二维Bi2O2Se单晶薄膜的标准顶栅型场效应晶体管展现了高的室温表观迁移率（>150 cm2/V s）、大的电流开关比（>105）和较高的开态电流（45μA/μm）。相关成果发表在Nano Letters (Wafer-Scale Growth of Single-Crystal 2D Semiconductor on Perovskite Oxides for High-Performance Transistors. Nano Lett. 2019, 19, 2148)。
北京大学
2021-04-11