一种微机电系统的圆片级真空封装方法,属于微机电系统的封装方法,解决现有封装方法存在的问题,使得微型真空腔长时间保持真空,满足十年以上使用寿命的要求。本发明包括:刻蚀步骤:在盖板圆片上对应硅基片 MEMS 器件的位置刻蚀相应空间尺寸的凹坑,再环绕凹坑刻蚀环形凹槽;吸气剂淀积步骤:在所述凹坑和凹槽内淀积吸气剂薄膜;键合步骤:在真空环境下将盖板圆片和硅基片紧密键合。本发明解决了现有封装方法存在的真空保持时间短、密封质量低、可靠性差、成本高的问题,可以长时间保持微型腔体内的真空度,极大的推动圆片级 MEMS
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