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蒙脱土/氯化聚乙烯纳米复合材料
聚合物／蒙脱土纳米复合材料是近年来新材料和功能材料领域中研究的热点之一。氯化聚 乙烯 (CPE) ，是由聚乙烯 (PE) 与氯气进行取代反应，经化学改性而得到的一种新型材料。其 结构饱和，无双键，分子稳定，具有良好的耐油、耐臭氧、耐热氧老化、耐腐蚀、耐燃、耐细 菌和微生物作用、耐候性等性能。为了扩大氯化聚乙烯在橡胶与弹性体两个方面的应用，研制 氯化聚乙烯橡胶CM/蒙脱土纳米复合材料。 本项目通过蒙脱土在氯化聚乙烯中的复合应用，提高其使用性能，扩大其应用领域。创新 点在于通过熔融插层的方法来制备一种综合性能优良，加工条件容易的氯化聚乙烯CM橡胶/蒙 脱土纳米复合材料。对纳米复合材料的相结构形态的表征，在准确地表征聚合物／蒙脱土纳米 复合材料的各种精细的结构基础上，实现对聚合物／蒙脱土纳米复合材料结构的有效控制，从 而可按性能要求来设计和制备纳米复合材料。根据氯化聚乙烯特定的分子结构，选择合适的处 理剂和合适的工艺条件，筛选出合适的体系。
华东理工大学
2021-04-11
仪器柜
广东广视通科教设备有限公司
2021-08-23
仪器柜
柜身结构：采用铝合金框架壁厚1.4㎜，表面采用环氧树脂粉末喷涂，及16mm厚双饰面三聚氰胺中密度板结构，上柜内有层板，上柜身为对开木框玻璃门，下柜有两扇木质对开门。截面用封边机械高温热压封边。采用ABS工程塑料，模具注塑成形高度25㎜。
宁波华茂文教股份有限公司
2021-08-23
精彩活动预告③ | 第63届高博会开创未来系列发布活动——解码人工智能教育新生态、科研仪器突围新实践
第63届高等教育博览会将于5月23-25日在中铁·长春东北亚国际博览中心举办。作为高等教育领域的高品质、综合性、专业化品牌展会，本届高博会紧扣“融合·创新·引领：服务高等教育强国建设”主题，携700余家科技企业、1000余所参会院校，在10余万平方米的科技矩阵中，全面展示新技术、新产品在高等教育领域的应用成果，为推进高等教育现代化贡献智慧与力量。
高等教育博览会
2025-05-19
固体样品漫反射光谱测试载样加热装置
本实用新型公开了一种固体样品漫反射光谱测试载样加热装置，涉及漫反射光谱测试仪器领域，包括石英载样片、加热片、调压器，所述石英载样片的一面设有载样凹槽，所述加热片固定在所述石英载样片的另一面，所述加热片通过导线连接所述调压器。本实用新型的优点在于：可以实现在固体样品漫反射光谱测试时进行温度控制，测试结束后可以回收样品。
安徽建筑大学
2021-01-12
一种热稳定可变体积进样阀
本发明涉及一种在线可变进样体积、能保持热稳定性的进样阀，包括阀体、锥形阀塞、体积调节微珠和上端盖，锥形阀塞由上端盖弹力压紧并保持在阀腔内，锥形阀塞中间部分挖空，进样体积通过挖空容积内置的体积调节微珠的数目调节；通过旋转锥形阀塞，实现进样和变容积功能。本发明实现了热稳定和在线变定量容积，系统结构简单、紧凑性好、变工况自动化程度高、重现性好、适用性强，能够应用在生化分析、生物工程和化学合成、制备领域，尤其适用于要求反应温度准确的分析和测试。
青岛大学
2021-04-13
一种蜡样芽孢杆菌及其制剂及应用
本发明公开了一种蜡样芽孢杆菌、其筛选方法、制剂及应用。所述蜡样芽孢杆菌，具有高效土霉素降解能力，按照如下方法筛选：(1)取受土霉素污染的猪粪菌悬液，在含有 400μg/ml 至 500μg/ml 的放线菌酮的培养基中培养出细菌单菌落；(2)不断提高培养基中土霉素的浓度，保留能适应的细菌单菌落；(3)将上述细菌单菌落，加入无机盐培养基培养，不断提高土霉素浓度，保藏土霉素降解率不低于 50％且 OD600 不低于 0.2 的细菌。所述制剂包括质量比例为 1：4 至 1：5的所述芽孢杆菌干粉和有机基质。所
华中科技大学
2021-04-14
山东金歌科学仪器有限公司
山东金歌科学仪器有限公司
2025-05-07
一种纳米级碳化钒粉末的制备方法
本发明提供了一种纳米级碳化钒粉末的制备方法。其特征是:以粉状钒酸铵、碳质还原剂和微量稀土等催化剂为原料,按一定配比将它们溶于去离子水或蒸馏水中,并搅拌均匀,制得溶液。然后将该溶液加热、干燥,最后得到含有钒源和碳源的前驱体粉末。将前驱体粉末置于高温反应炉中,真空或气氛保护条件下,于800～950℃、30～60min条件下碳化得到平均粒径<100nm,粒度分布均匀的碳化钒粉末。本方法具有反应温度低、反应时间短、生产成本低、工艺简单等特点,适合工业化生产纳米级碳化钒粉末。
四川大学
2021-04-11
新型多层结构碳化硅光电导开关及其制备方法
（专利号：ZL 201310038265.6） 简介：本发明公开一种新型多层结构碳化硅光电导开关及其制备方法，属于宽禁带半导体技术领域。它包括衬底，所述的衬底由钒掺杂形成的半绝缘碳化硅晶片或本征碳化硅晶片构成，在所述衬底的硅面上有一层导电类型的第一掺杂层，掺杂类型为N型；所述衬底的碳面上有两层导电类型的掺杂层，从内到外依次为：第二掺杂层和第三掺杂层，所述的第二掺杂层掺杂类型为P型，所述第三掺杂层掺杂类型为N型；所述硅面一侧设置有开关的阳极
安徽工业大学
2021-01-12