本发明公开了一种六方相WO3纳米管及其制备方法。称取3mmoL二水合钨酸钠(Na2WO4·2H2O)到50毫升的烧杯中；加入适量草酸胺((NH4)2C2O4)和20毫升蒸馏水，磁力搅拌10-15分钟；再加入10毫升浓度8mol/L的盐酸，继续搅拌30-50分钟；将反应混合液转移至40毫升带有聚四氟乙烯内衬的不锈钢反应釜中，设置一定的温度，反应20-30小时；自然冷却至室温，即得本发明的六方相WO3纳米管。六方相WO3纳米管产量高，尺寸细小，分布均匀。管外径为8～12nm之间，管壁厚度为2～4nm之间

通过刚柔V形三嵌段超分子的层层组装，制备了一种三明治结构的大小均一的介孔管。其中，三明治结构对钯离子具有稳定的配位能力，可作为超分子钯催化剂。实验结果表明，新型超分子催化剂在短时间、室温、有氧条件下对卤代苯的C-C偶联反应具有超强的反应活性，其转化率接近100%。相对于一般的非均相催化载体，此超分子催化剂具有实时调控反应进程的功能，并利用超分子组装及解组装的方法明显提高了金属催化剂的重复利用率。借助超分子催化剂的调控性和反应匹配性，对多个反应位点引起的聚合，成功实现了单向催化。

公司是安徽唯一能够独立研发飞控系统与惯性导航/ 组合导航系统的企业，该项目获得中国航天的官方认证。 曾获得“第七届安徽省挑战杯科技学术竞赛特等奖”等数十项大赛金奖、特等奖；首次提出了全要素矢量推进技术 和变结构垂直起降技术，有效克服了现有垂直起降方案在稳定性和效率方面的不足。公司还发明了用于大载重舰载机的分布式方案，和隐身轰炸机的变结构隐身垂直起降方案等 400 余种方案。团队独立研发了整个飞机的所有关键系统，包括无人机的大脑-飞控系统、惯性导航与组合导航 系统、视觉环境感知与控制系统等。 

产品特点 　　高纯纳米氧化铝通过等离子体气相燃烧法制备，纯度高、粒径小、分布均匀，比表面积大、表面干净，无残余杂质，松装密度低，易于分散，晶相稳定、硬度高、尺寸稳定性好，应用于各种塑料、橡胶、陶瓷产品的补强增韧，提高陶瓷的致密性、光洁度、冷热疲劳性、断裂韧性、抗蠕变性能和高分子材料产品的耐磨性能尤为**。由于纳米三氧化二铝也是性能优异的远红外发射材料，作为远红外发射和保温材料被应用于化纤产品和高压钠灯中。此外，α相氧化铝电阻率高，具有良好的绝缘性能，可应用于YGA激光晶的主要配件和集成电路基板中。 　　产品参数 产品名称 型号 平均粒度（nm) 纯度(%) 比表面积(m2/g) 松装密度(g/cm3) 晶型 颜色 纳米氧化铝 ZH-Al2O330N 30 99.9 63.67 0.12 α相 白色 纳米氧化铝 ZH-Al2O350N 50 99.9 55.46 0.19 α相 白色 纳米氧化铝 ZH-Al2O3100N 100 99.99 35.19 0.33 α相 白色 纳米氧化铝 ZH-Al2O3200N 200 99.99 23.18 0.56 α相 白色 加工定制 为客户提供定制颗粒大小和表面改性处理 　　产品应用 　　1、红宝石、蓝宝石的主成份皆为氧化铝，用高纯的纳米氧化铝粉做出来的产品，杂质少，色泽更亮，更均匀; 　　2、铝与空气中的氧气反应，生成一层致密的氧化铝薄膜覆盖在暴露于空气中铝表面; 　　3、铝为电和热的良导体。氧化铝的晶体形态因为硬度高，适合用作研磨材料及切割工具; 　　4、高纯纳米氧化铝粉末常用作色层分析的媒介物; 　　5、**度氧化铝陶瓷、C基板、封装材料、高纯坩埚、绕线轴、轰击靶、炉管;抛光材料、玻璃制品、金属制品、半导体材料、塑料、磁带、打磨带;涂料、橡胶、塑料耐磨增强材料、耐水材料;气相沉积材料、荧光材料、特种玻璃、复合材料和树脂材料;催化剂、催化载体、分析试剂; 　　6、高纯纳米氧化铝粉应用于照明：长余辉荧光粉原料及稀土三基色荧光粉原料，高压钠灯透光管,LED灯等。 　　产品表征 　　包装储存 　　本品为镀铝箔袋热封包装，密封保存于干燥、阴凉的环境中，不宜暴露空气中，防受潮发生氧化团聚，影响分散性能和使用效果;包装数量可以根据客户要求提供，分装。 　　技术咨询与索样 　　联系人：王经理(Mr.Wang) 　　电话：18133608898  微信：18133608898 QQ：3355407318 邮箱：sales@hfzhnano.com  

　产品特点 　　高纯纳米四氧化三钴通过等离子体气相燃烧法制备，纯度高、粒径小、分布均匀，比表面积大、表面干净，无残余杂质，松装密度低，易于分散。 　　产品参数 产品名称 型号 平均粒度（nm) 纯度(%) 比表面积(m2/g) 松装密度(g/cm3) 形貌 颜色 纳米氧化钴 ZH-Co3O450N 50 99.9 31.43 0.36 近球形 黑色 纳米氧化钴 ZH-Co3O4100N 100 99.9 25.79 0.45 近球形 黑色 纳米氧化钴 ZH-Co3O4500N 500 99.9 11.30 0.87 近球形 黑色 加工定制 为客户提供定制颗粒大小和表面改性处理 　　产品应用 　　1、高纯纳米四氧化三钴应用于催化剂上面：利用四氧化三钴纳米棒作催化剂，可将汽车尾气中的CO在低温下转化为CO2; 　　2、可用作颜料、釉料、氧化催化剂、分析试剂，也用于从镍中分离钴等; 　　3、高纯纳米四氧化三钴具有尖晶石晶体结构，是一种重要的磁性材料、P—型半导体，在异相催化、锂离子充电电池的材料、固态传感器、电致变色器件、太阳能吸收材料和颜料等方便的应用; 　　4、适用范围：压敏电阻、热敏电阻、氧化锌避雷器、显象管玻壳、锂离子电池等行业; 　　5、用作锂电子材料，用于氧化钴及钴盐的制备，用作高纯分析试剂、氧化钴及钴盐的制备，用作锂电子材料、氧化钴及钴盐的制备，用于电池材料、磁性材料、热敏电阻等; 也可用作催化剂机制作珐琅等。 　　包装储存 　　本品为充惰气塑料袋包装，密封保存于干燥、阴凉的环境中，不宜暴露空气中，防受潮发生氧化团聚，影响分散性能和使用效果;包装数量可以根据客户要求提供，分装。 　　技术咨询与索样 　　联系人：王经理(Mr.Wang) 　　电话：18133608898 0551-65110318 微信：18133608898 QQ：3355407318 邮箱：sales@hfzhnano.com  

产品详细介绍 PET管、PETG管、PBT管第一品牌振兴塑业，专业生产各种PET管、PETG管、PET透明管、PETG透明管、透明petg管、高透明PET管、包装用PET管、petp管、PBT管、pbtp管、PVC透明管、ABS透明管、ABS管、PP管、HDPE管、GPS管、AS管、塑料透明管、透明管、塑料异型材、有机玻璃管、PO管、尼龙管、LED日光灯管等。PET管，也叫PETG管，PET管、PETG管有良好的力学性能，冲击强度是一般塑料的3~5倍，耐折性好。PET管、PETG管耐油、耐脂肪、耐稀酸、稀碱，耐大多数溶剂。PET管、PETG管具有优良的耐高、低温性能，可在120℃温度范围内长期使用，短期使用可耐150℃高温，可耐-70℃低温，且高、低温时对其机械性能影响很小。气体和水蒸气渗透率低，既有优良的阻气、水、油及异味性能。PET管、PETG管透明度高，可阻挡紫外线，光泽性好。PET管、PETG管无毒、无味，卫生安全性好，可直接用于食品包装。我司还生产其他常见材质，如pvc管、透明abs管、san管、gpps管、ps管、mbs管、透明mbs管、pe管、as吸管、透明pet管等等。PET管、PETG管、PBT管第一品牌振兴塑业，下辖塑机和塑胶两个分厂，塑机分厂自产自销塑料管挤出机，塑胶分厂使用塑机分厂自产的10条PET管PBT管材挤押生产线。PET管PBT管制品口径5至100mm，现有PET异型材、PBT异型材品种1000多种，普通管材规格近万种，日产量30000米。Pet管、petg管分子结构高度对称，故而具有高粘度，韧性好，刚性。透明PET管具有很好的耐候性，具有良好的光学透明性。另外PET管（PETG管）具有优良的耐磨耗摩擦性、尺寸稳定性及电绝缘性。PET透明管具有强度大、透明性好、无毒、防渗透、质量轻等等优良特性，因而受到了广泛的应用。PBT管与PET管分子链结构相似，大部分性质也是一样的，但其更加柔韧，加工性能更加优良。产品涵括透明或有色PVC管、PC管、PMMA管、PP管、HDPE管、ABS管、PET管（PETG管）、PBT管、PS管、HIPS管、AS管、PA管及相关塑料异型材等等领域，其他常见材质还有透明abs管、san管、gpps管、mbs管、透明mbs管、pe管、as吸管、透明pet管等等。

本发明公开了一种大管径、超长纳米碳管的制备方法，以碳水化合物为原料，在过渡金属盐存在下，与人工模板剂物理混合均匀，在惰性气氛中，先在400～650℃下保温0.5～2h，再升温至700～1200℃煅烧0.5～2h，得到大管径、超长纳米碳管；所述的人工模板剂为三聚氰胺、二氰二胺、尿素或单氰。本方法工艺简单、设备投入少、批次差异小，适合规模化生产；制备得到的纳米碳管的内径为50～100nm、长度为微米级，管壁由类石墨烯片层堆积而成，并且具有高的比表面积。

可以量产/n复合垂直流人工湿地处理污水工艺为中国科学院水生生物研究所欧盟国际科技合作项目科研成果。该成果提出的复合垂直流构件湿地水处理工艺流程、净化功能和净化生物工艺学及其净化机理等技术具世界领先水平。项目设计的复合垂直流构件湿地水处理工艺流程，不仅能有效去除污水中的悬浮物、有机污染物、氨和磷等，对病原菌、重金属、酞酸酯以及藻毒素等外源生物活性物质也有较好的去除效果。城镇综合污水经处理后可达到二级乃至一级排放标准，受污染V类以上地面水经处理后能达到II-III类，基本达到饮用水源水质标准。设计的系统

成果简介对于大电流注入下的高功率 LED 而言， 光衰是 LED 普遍存在的问题。 主要原因有载流子在多量子阱（MQW） 上的溢出（overflow）； LED 芯片的晶体内部的缺陷导致的非辐射复合； 在大注入条件下， 载流子分布的不均匀； 以及 LED 结构设计合理性等原因； 这些因素在 LED 材料生长过程中（采用 MOCVD 技术） 就已经决定。 而大功率 LED 在实际应用过程中另外一个瓶颈就是芯片的热输运处理问题。 在大注入条件下， 过高的 pn 结结温， 导致