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一种从红豆杉中培养筛选产紫杉醇菌的方法
项目成果/简介:本发明提供了一种从红豆杉中培养筛选产紫杉醇菌的方法.本发明的方法包括以下步骤:1)对红豆杉植物的组织进行培养,分离纯化获得内生真菌;2)培养步骤1)中获得的内生真菌,利用薄层层析对发酵代谢物进行初筛,筛出可产紫杉醇或其类似物的菌株;3)结合细胞毒性实验,测定出代谢物对CHO细胞的抑制率;4)利用高效液相色谱对其作了进一步分析,确定产紫杉醇菌株.本发明提供的从红豆杉分离产紫杉醇的方法过程简单,成本较低.并且通过本发明提供的方法提取得到的产紫杉醇菌用于微生物培养时,获得紫杉醇的含量大大增加,该方法为微生物工程提供了更广阔的途径.
安徽农业大学
2021-04-10
一种从红豆杉中培养筛选产紫杉醇菌的方法
本发明提供了一种从红豆杉中培养筛选产紫杉醇菌的方法.本发明的方法包括以下步骤:1)对红豆杉植物的组织进行培养,分离纯化获得内生真菌;2)培养步骤1)中获得的内生真菌,利用薄层层析对发酵代谢物进行初筛,筛出可产紫杉醇或其类似物的菌株;3)结合细胞毒性实验,测定出代谢物对CHO细胞的抑制率;4)利用高效液相色谱对其作了进一步分析,确定产紫杉醇菌株.本发明提供的从红豆杉分离产紫杉醇的方法过程简单,成本较低.并且通过本发明提供的方法提取得到的产紫杉醇菌用于微生物培养时,获得紫杉醇的含量大大增加,该方法为微生物工程提供了更广阔的途径.
安徽农业大学
2021-04-29
关于印发《高质量培养科技成果转移转化人才行动方案》的通知
为贯彻落实党的二十大精神，按照《中共中央 国务院关于构建更加完善的要素市场化配置体制机制的意见》相关要求，我中心研究制定了《高质量培养科技成果转移转化人才行动方案》。现印发给你们，请认真组织实施。
科技部火炬中心
2023-03-15
关于印发《高质量培养科技成果转移转化人才行动方案》的通知
为贯彻落实党的二十大精神，按照《中共中央 国务院关于构建更加完善的要素市场化配置体制机制的意见》相关要求，我中心研究制定了《高质量培养科技成果转移转化人才行动方案》。现印发给你们，请认真组织实施。
科技部火炬中心
2023-03-21
一种促进灵芝酸和灵芝多糖生物合成的灵芝细胞培养方法
研发阶段/n本发明公开了一种促进灵芝酸和灵芝多糖生物合成的灵芝细胞培养方法，该方法包括将灵芝菌种接种到斜面培养基进行培养，再依次进行一级液体种子培养、二级液体种子培养和液体深层发酵，其中，在液体深层发酵过程中用可见光进行光照培养。经测定，本发明方法可有效促进灵芝细胞的生长，相比于现有的细胞培养方法，本发明方法所制备的细胞培养产物中，其灵芝酸、灵芝多糖的含量或产量都有了不同程度地提升。
湖北工业大学
2021-01-12
高校教师教学发展与创新人才培养学术活动在福州召开
4月16日，以“区域高校教师协同发展”为主题的高校教师教学发展与创新人才培养学术活动在福州召开。
中国高等教育学会
2024-04-24
武汉工程大学喻发全：行业特色高校未来工程创新人才培养探索
高校教师教学发展与创新人才培养学术活动
中国高等教育博览会
2024-06-12
第八届高校教师教学发展与创新人才培养论坛
第62届中国高等教育博览会——第八届高校教师教学发展与创新人才培养论坛
中国高等教育博览会
2024-11-08
高容量富锂锰基正极材料的合成与性能研究
本发明公开了一种富锂锰基正极材料及其制备方法。该方法采用共沉淀法制备前驱体[Ni(x-y/2)/x+(2-y)/3CoyMn((2-x)/3-y/2)/(x+(2-x)/3)](OH)2，然后采用高温固相法得到富锂锰基正极材料 Li[Li(1-2x)/3Nix-y/2CoyMn(2-x)/3-y/2]O2（0＜x＜0.5,0≤y≤0.15）。这些材料在 2.0-4.6V充放电比容量达到 200mAh/g 以上。本发明的制备方法工艺简单，成本低，适用于工业化大生产，所得到的富锂锰基正极材料在-20°C 下的放电容量可达到常温放电容量的 70%以上，可以广泛应用于电动汽车、通讯领域等。目前已经研究的体系有 Li[Li（1-x）/3Ni2x/3Mn （ 2-x ） /3]O2 ， Li[Li （ 1-x ） /3NixMn （ 2-2x ） /3]O2 ， Li[Li1/3-2x/3NixMn2/3-x/3]O2 ，Li1+x(Ni1/3Co1/3Mn1/3)O2+x/2 等。
江西理工大学
2021-05-04
超大功率硅基射频LDMOS晶体管设计技术
大功率射频LDMOS器件以其线性度好、增益高、输出功率大、热稳定性好、效率高、宽带匹配性能好、价格低廉等方面的优势已经成为基站、广播电视发射机、航空电子、雷达等领域等应用最广泛的射频功率器件。 本团队利用优化的法拉第屏蔽罩结构和版图布局技术，基于国内8英吋工艺技术平台，研制出大功率L 和S 波段RF LDMOS 器件（图1），能够提供完整的RF LDMOS器件的设计与研制方案。目前已制作出频率0.5GHz，输出功率>500W，功率增益>18dB、漏极效率>50%的单芯片RF LDMOS 器件；频率1.2GHz，输出功率>600W，功率增益>20dB、漏极效率>40%的L波段RF LDMOS 器件；频率3.1GHz，输出功率>80W，功率增益>10dB、漏极效率>35%的单芯片S波段RF LDMOS 器件（图2）。 (a) (b) 图1 RF LDMOS器件：(a)晶圆显微照片 (b)封装器件 a b c 图2 RF LDMOS器件功率测试曲线：(a)P波段 (b) L波段 (c) S波段
电子科技大学
2021-04-10