XM-418耳结构放大模型   XM-418耳结构放大模型放大4倍，可拆分为8部件，由耳廓、外耳道、中耳鼓室、鼓膜和听小骨、颞骨岩部、内耳迷路和咽鼓管等组成，并显示外耳、中耳鼓室、鼓膜和听小骨、咽鼓管、颞骨岩部和内耳迷路等结构。 尺寸：放大4倍，34×40×22.5cm 材质：PVC材料

XM-520B喉结构与功能放大模型   XM-520B喉结构与功能放大模型显示喉软骨、喉的连续、喉肌和喉腔等结构、环杓关节可运动，模拟开大声门或关闭声门的功能，会厌软骨可上下活动盖住喉口。 尺寸：放大约3倍，30×15×14cm 材质：PVC材料

《现代羽毛球专项竞赛体系与训练参赛机制》从现代竞技体育的发展特点、世界运动竞赛体系及其演变、羽毛球专项竞赛发展特征，以及世界优秀运动员的参赛特征入手，比较全面的梳理了世界范围运动竞赛的整体发展状况与趋势，分析羽毛球专项竞赛的体系特征与发展特点，为更好的理清并把握世界运动竞赛发展特征，系统规划我国运动竞赛改革，有序推进竞赛、训练工作的科学发展提供参考依据。 该成果基于对世界运动竞赛体系的系统分析，结合羽毛球项目的奥运备战需求，与国家羽毛球队紧密合作，从世界羽毛球项目的竞赛体系特征、高层级比赛的年度安排、积分规则与排名情况、世界优秀运动员年度参赛数量与积分排名变化、年度训练时间与参赛时间安排、年度参赛的结构特征与训练的阶段性特点等几个方面进行系统梳理与数据分析，丰富了现代运动竞赛理论，更为国家羽毛球队科学规划奥运备战训练与参赛过程、提高训练参赛效益、如期完成奥运会备战与参赛任务并夺取金牌，提供了重要的技术支持，取得预期的科技效益，获得国家队以及相关管理部门的积极肯定。

随着人工智能、大数据、物联网、区块链等新一代信息技术兴起，数据量呈现爆炸式增长，传统计算系统的算力难以满足海量数据的计算需求。与此同时，摩尔定律逐渐放缓，单纯依靠提高集成度、缩小晶体管尺寸来提升芯片及系统性能的路径正面临技术极限，通过引入忆阻器新器件、模拟计算新范式、存算一体新架构，将拓展出全新的高性能人工智能芯片与系统，实现计算能力的飞跃。 目前被广泛使用的经典冯·诺依曼计算架构下数据存储与处理是分离的，存储器与处理器之间通过数据总线进行数据传输，在面向大数据分析等应用场景中，这种计算架构已成为高性能低功耗计算系统的主要瓶颈之一：数据总线的有限带宽严重制约了处理器的性能与效率，且存储器与处理器之间存在严重性能不匹配问题。忆阻器存算一体系统把传统以计算为中心的架构转变为以数据为中心的架构，其直接利用阻变器件进行数据存储与处理，通过将器件组织成为交叉阵列形式，实现存算一体的矩阵向量乘计算。忆阻器存算一体系统可以避免数据在存储和计算中反复搬移带来的时间和能量开销，消除了传统计算系统中的“存储墙”与“功耗墙”问题，可以高效、并行的完成基础的矩阵向量乘计算，未来极有潜力成为支撑人工智能等新兴应用的核心技术。 清华大学吴华强教授团队实现了材料与器件、电路设计、架构和算法的软硬件协同等多方面原始创新，解决了系统精度损失等被广泛关注的难题： 材料与器件创新。科研团队选择了电学特性稳定的二氧化铪作为忆阻层核心材料，提出了通过插入少量氧化铝层来固定离子分布、抑制晶粒间界形成的新理论，提出了引入热增强层的新原理器件结构，成功抑制了忆阻器非理想特性的产生。 电路设计创新。开发了一套忆阻器与晶体管的混合电路设计方法，提出“差分电阻”设计思想，采取源线电流镜限流设计，抑制了忆阻器电路中可能产生的各种计算误差。 算法创新。提出了混合训练算法，仅用小数据量训练神经网络并只更新最后一层网络的权重，即可将存算一体硬件系统的计算精度达到与软件理论值相同的水平。 “技术链”创新。从“单点技术突破”拓展到“技术链突破”，开发了针对忆阻器存算一体芯片的电子设计自动化（EDA）工具，打通了从电路模块设计到系统综合再到芯片验证的设计全流程。 上述理论和方法发表于《自然》《自然·纳米技术》《自然·通讯》等国际顶级期刊，以及被誉为“集成电路奥林匹克”的“国际固态电路大会”等顶级学术会议。研究成果被“国际半导体技术路线图”和30多部综述文章长篇幅引用。团队已在该研究方向申请国内外专利72项，其中30项已获得授权，知识产权完全自主可控。 团队已研制出全球首款忆阻器存算一体芯片和系统，集成了8个忆阻器阵列和完整的外围控制电路，以更小的功耗和更低的硬件成本大幅提升了计算设备的算力。全系统的计算能效比当前主流的人工智能计算平台——图形处理器（GPU）高两个数量级。团队还设计了一款基于130nm工艺研制的完整忆阻器存算一体芯片，在MNIST数据集上计算速度已超过市面上28nm工艺的四核CPU产品近20倍，能效有近千倍的优势。

项目成果/简介:随着人工智能、大数据、物联网、区块链等新一代信息技术兴起，数据量呈现爆炸式增长，传统计算系统的算力难以满足海量数据的计算需求。与此同时，摩尔定律逐渐放缓，单纯依靠提高集成度、缩小晶体管尺寸来提升芯片及系统性能的路径正面临技术极限，通过引入忆阻器新器件、模拟计算新范式、存算一体新架构，将拓展出全新的高性能人工智能芯片与系统，实现计算能力的飞跃。

本成果2005年获四川省科技进步奖二等奖（参加）。

本实用新型涉及化工机械领域，提供了一种多组分颗粒体系床内分级流化反应器，包括设置有反应腔的床体，所述床体的底部设置有进风管，进风管上方设置有布风板，布风板上方的床体侧壁上设置有与反应腔相通的进料通道；所述反应腔内部设置有隔离器，所述隔离器上下敞口，所述隔离器的下端覆盖布风板的风孔且与布风板之间设置有循环通道；隔离器的侧壁与床体的侧壁之间设置有循环间隙，所述循环间隙处的床体侧壁上设置有二次进风结构，所述二次进风结构设置有向上的上出风孔；所述隔离器上方的床体上设置有出料口。本装置，物料在床内循环，缩短了循环周期，避免了物料和热能的耗损，有利于节约成本，提高时空产率。

XM-D023锥体系（皮质核束）电动模型   XM-D023锥体系（皮质核束）电动模型演示面神经、舌下神经的核上下瘫和皮质核束的正常通路。   一、显示内容： ■ 椎体系：演示由中央前回和中央旁小叶前部的巨型椎体细胞和其他类型的椎体细胞以及额、顶叶部分区域的椎体细胞的轴突共同组成椎体束，其中一部分下行至脊髓的纤维束，另一部分止于脑干脑神经运动核的纤维束。 ■ 面神经核核上瘫：演示核上运动神经元受损，产生对侧眼裂以下的面肌瘫痪，表现病灶为对侧鼻唇沟消失，口角低垂并向病灶侧偏斜，流涎，不能鼓腮、露齿等。 ■ 面神经核核下瘫：演示面神经核核下神经元受损，可致病灶侧所有面肌瘫痪，额横纹消失，眼不能闭，口角下垂，鼻唇沟消失等。 ■ 舌下神经核核上瘫：演示舌下神经核核上神经元受损，可产生伸舌时舌尖偏向病灶对侧。 ■ 舌下神经核核下瘫：演示舌下神经核核下神经元受损，可产生全部舌肌瘫痪，伸舌时舌尖偏向病灶侧。   二、技术参数： ■ 尺寸：34×34×81cm ■ 材质：PVC材料+木框   三、标准配置： ■ XM-D023锥体系（皮质核束）电动模型：1台 ■ 电源线：1根 ■ 说明书：1册 ■ 保修卡合格证：1张

本成果来自省部级科技计划项目，2012年获中国铁道学会铁道科技二等奖（主持）。其创新性如下：①首次研究高速条件下电气化铁路腕臂支撑绝缘子抗弯强度特性；②首次研究高速条件下过电压与绝缘子闪络特性；③首次研究高速条件下绝缘子机械特性与电气特性之间的内在联系。经济指标如下：①给出高速动车组运行条件下绝缘子抗弯强度容量选择建议值；②高速铁路过牵引供电系统过电压与绝缘子闪络间的关系，以及不同污秽等级区域绝缘子爬距的建议值；③为高速铁路腕臂支撑绝缘子的设计、制造、安装、维护提供建议规则，提高设计可靠性。

Ø  成果简介：本项目通过建立一个基于虚拟现实技术的计算机装配工艺规划仿真分析环境，利用产品的CAD模型，在不制造实际模型的情况下，由装配工艺规划人员在计算机环境中对产品的装配工艺过程进行交互式的定义和分析，包括建立产品各组成零部件的装配顺序，空间装配路径，编制工艺文档，并分析装配过程中的装配精度和装配机构运动，从而大幅减少装配工艺规划周期和成本，同时，系统提供装配工艺过程动画录制功能，将规划好的装配工艺以三维动画形式纪录下来，并可以通过安装在装配现场的浏览终端，展示给装配人员，