|
搜索
搜 索
高等教育领域数字化综合服务平台
一图看懂｜科技部等七部门重磅发文
科技金融发展再度迎来政策利好！
科技部
2025-05-21
高校精彩亮相 | 科技成果、战略合作、人才培养汇聚高博会
为期三天的高博会，把全国最好的资源汇聚到了东北，汇聚到了吉林。在长春闭幕的第63届高博会上，全国千余所高校及科研机构、6000余家企业参展参会，科技成果、战略合作、人才培养汇聚于此，统筹推进构建教育、科技、人才三位一体的协同发展新格局。
中国高等教育学会
2025-05-28
上海市闵行区正式出台《闵行区支持企业科技创新的政策意见》
本意见自2025年9月1日起施行，有效期至2030年8月31日。
上海市闵行区人民政府
2025-08-11
手性( 2,2－ 二甲基－1,3 二氧环戊烧－4－ 基）轻基甲磺酸盐制备方法
项目简介 ： 在食品医药及化工行业中， 手性甘油醒缩丙酮是合成手性药物和具有
西华大学
2021-04-14
鼓励和引导高校院所深化职务科技成果赋权改革！《关于促进长三角科技创新协同发展的决定》9月1日起施行
以法治力量推动区域科技创新协同发展再添新样本。
云上高博会
2025-08-05
第63届高博会开幕燃爆北国春城，科技赋能擘画振兴新篇
5月23日上午，第63届高等教育博览会在中铁·长春东北亚国际博览中心盛大启幕，吸引了全国千余所高校及科研机构、800余家科技企业参与，展览面积超12万平方米。通过展览展示、高端论坛、政企签约等系列活动，搭建起教育、科技、人才深度融合的国家级平台。
高等教育博览会
2025-05-26
《四川省科技成果转化尽职免责工作指引（试行）》发布
直面成果转化实践中“不敢转、不想转”的深层次顾虑！
四川省科学技术厅
2025-11-13
地理科学学院杨德伟教授课题组在可更新能源转型的协同效益研究中取得新进展
为应对区域环境变化和全球气候变化，传统能源向可更新能源的转型已成为全球能源发展的重要趋势之一。然而，能源转型对区域环境经济的协同效益（co-benefits）或者伴生风险（co-risks），在全球不同区域的表现存在一定的差异。张家口作为全国唯一的可更新能源示范区和2022年冬奥会的协办城市，担负着京津冀城市群西北生态屏障的角色。因此，张家口在可更新能源替代方面的探索，社会、经济和环境的影响深远。研究运用构建的LEAP-Zhang模型在2016-2050年的分析显示，相对于常规发展情景，在由可更新能源替代、能源节约设备和产业结构优化等三个子情景构成的综合情景下，张家口的温室气体将在2030年达峰；可更新能源（风能、太阳能、生物质能、水电等）比传统能源（煤炭、石油、天然气等）在温室气体减排、就业容量和电力生产消耗等方面具有明显的比较优势。研究明确了可更新能源转型带来的协同社会环境效益，为国家能源转型探索提供了研究支撑。
西南大学
2021-02-01
高容量富锂锰基正极材料的合成与性能研究
本发明公开了一种富锂锰基正极材料及其制备方法。该方法采用共沉淀法制备前驱体[Ni(x-y/2)/x+(2-y)/3CoyMn((2-x)/3-y/2)/(x+(2-x)/3)](OH)2，然后采用高温固相法得到富锂锰基正极材料 Li[Li(1-2x)/3Nix-y/2CoyMn(2-x)/3-y/2]O2（0＜x＜0.5,0≤y≤0.15）。这些材料在 2.0-4.6V充放电比容量达到 200mAh/g 以上。本发明的制备方法工艺简单，成本低，适用于工业化大生产，所得到的富锂锰基正极材料在-20°C 下的放电容量可达到常温放电容量的 70%以上，可以广泛应用于电动汽车、通讯领域等。目前已经研究的体系有 Li[Li（1-x）/3Ni2x/3Mn （ 2-x ） /3]O2 ， Li[Li （ 1-x ） /3NixMn （ 2-2x ） /3]O2 ， Li[Li1/3-2x/3NixMn2/3-x/3]O2 ，Li1+x(Ni1/3Co1/3Mn1/3)O2+x/2 等。
江西理工大学
2021-05-04
超大功率硅基射频LDMOS晶体管设计技术
大功率射频LDMOS器件以其线性度好、增益高、输出功率大、热稳定性好、效率高、宽带匹配性能好、价格低廉等方面的优势已经成为基站、广播电视发射机、航空电子、雷达等领域等应用最广泛的射频功率器件。 本团队利用优化的法拉第屏蔽罩结构和版图布局技术，基于国内8英吋工艺技术平台，研制出大功率L 和S 波段RF LDMOS 器件（图1），能够提供完整的RF LDMOS器件的设计与研制方案。目前已制作出频率0.5GHz，输出功率>500W，功率增益>18dB、漏极效率>50%的单芯片RF LDMOS 器件；频率1.2GHz，输出功率>600W，功率增益>20dB、漏极效率>40%的L波段RF LDMOS 器件；频率3.1GHz，输出功率>80W，功率增益>10dB、漏极效率>35%的单芯片S波段RF LDMOS 器件（图2）。 (a) (b) 图1 RF LDMOS器件：(a)晶圆显微照片 (b)封装器件 a b c 图2 RF LDMOS器件功率测试曲线：(a)P波段 (b) L波段 (c) S波段
电子科技大学
2021-04-10