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硅通孔结构及其制造方法
本发明公开了一种硅通孔结构的制造方法，包括以下步骤：将硅片的厚度减薄至 5 微米至 20 微米；去除硅片表面的所有绝缘层；在硅片的导电区表面和绝缘区表面制作掺杂掩膜，以对导电区和绝缘区分别进行粒子掺杂，绝缘区与导电区掺杂的粒子的极性相反；在粒子掺杂完成后去除掺杂掩膜；在导电区表面覆盖金属电极；在硅片的表面除金属电极之外的区域覆盖绝缘层。本发明的方法制造工艺简单，可避免刻蚀、绝缘处理等工艺对硅片的破坏，并能够提高制造硅通孔结构的成品率。本发明还公开了一种硅通孔结构。
华中科技大学
2021-04-11
关于复杂结构在建设过程中结构承受的荷载与设计情况的研究
复杂结构在建设过程中，随着施工的进行，结构承受的荷载与设计情况大不相同，例如钢结构拼接尚未形成整体受力构件时，在荷载作用下会产生较大变形，需要辅以外部支撑系统参与受力问题；在结构完成后的拆撑过程中又存在不同的拆撑顺序会给结构带来不同的变形问题；不同结构体系在施工过程中存在的变形差问题；复杂钢结构安装顺序问题；整体吊装提升同步控制问题等。过去的施工方法往往凭借经验，缺乏理论指导，凭借经验施工带有一定的盲目性，甚至会在施工过程中出现风险状况，危及结构安全。教授团队借助计算机仿真技术，结合工程实际，先后开
上海理工大学
2021-01-12
关于对结构动力特性及其损伤识别方法、建筑结构随机响应模态的研究
对结构动力特性及其损伤识别方法、建筑结构随机响应模态及其与损伤位置的关系以及在役结构的可靠性进行了系统地研究。将动态测试与静态测试相结合，提出了建（构）筑物安全评估的新方法。本研究方向获得发明专利 1 项，实用新型专利 3 项，发表论文 30 余篇
上海理工大学
2021-01-12
巨厚冲积层深、大井筒钻井法凿井关键技术 研究及工程应用
本项目创造了钻井法施工深(660m)、大（净 直径7.3m）井筒的新纪录，取得了井壁设计理 论和施工技术的重大创新，攻克了特厚冲积层 深大井筒钻井法凿井关键技术难关，并在板集 煤矿主、副、风三个井筒中得到了成功应用。
安徽建筑大学
2021-01-12
一种利用闲置养殖棚立体层架的长根菇覆土栽培方法
本发明公开了一种利用闲置养殖棚立体层架的长根菇覆土栽培方法。本发明在现有闲置养殖棚加温、通风和降温设备的基础上，增加喷水雾线，棚内立体层架在双孢菇栽培架的基础上增加了LED照明灯带，提高了养殖棚的空间利用率；菌袋制作采用液体接种方法，缩短了菌袋培养时间，提高了工作效率，降低了生产成本；菌袋培养采用低温后熟的方法，增加了菌丝体的营养积累，出菇管理采用拉大温差变温出菇的方法，提高了长根菇的现蕾率和整齐
青岛农业大学
2021-01-12
一种铜@磁性金属@聚合物同轴三层纳米电缆及其制备方法
本发明涉及一种Cu@磁性金属@聚合物同轴三层纳米电缆，包括铜纳米线，包覆在所述铜纳米线外侧的磁性金属纳米管以及包覆在所述磁性金属纳米管外侧的聚合物纳米管,Cu@磁性金属@聚合物同轴三层纳米电缆的外径为100 300nm；所述磁性金属纳米管的内径为60 160nm，磁性金属纳米管的厚度为10 20nm。本发明的Cu@磁性金属@聚合物同轴三层纳米电缆具有较好的磁学性能，工艺简单，长度容易控制。通过新的制备技术组装了三层同轴纳米电缆阵列结构，具有较好的磁性能，可望用于高密度垂直磁记录介质领域。可以组装在微电子器件上。
青岛大学
2021-04-13
一种基于叉指电极的高分子层内剪切取向测量方法
本发明属于高分子取向测量的技术领域，具体涉及一种基于叉 指电极的高分子层内剪切取向测量方法，包括如下步骤：S1 将一对叉 指电极探头紧贴于待测材料表面；S2 设置叉指电极的探测深度并测试 待 测 材 料 在 不 同 深 度 位 置 上 两 个 方 向 的 电 容 信 号 大 小 <img file=""DDA0001338868720000011.GIF"" wi=""75"" he=""69"" />和<img
华中科技大学
2021-04-14
一种含Te-Ti-Cu预置层的碲化镉太阳电池
一种含Te-Ti-Cu预置层的碲化镉太阳电池，采用一种周期结构的Te-Ti-Cu预置层，置于碲化镉太阳电池的吸收层背表面，作为碲化镉太阳电池的背接触层和背电极材料。从材料构型和材料本身性质上抑制铜扩散，消除铜扩散带来的负面影响，实现欧姆接触，避免化学腐蚀和单独沉积其他金属作电极，减少器件制作工序，提高太阳电池的光电转换效率和改善器件的长效稳定性。
四川大学
2016-10-27
一种贱金属内电极叠层片式 ZnO 压敏电阻器及其制备方法
本发明公开了一种贱金属内电极叠层片式 ZnO 压敏电阻器及其 制备方法，所述压敏电阻器为瓷片和内电极依次层压生成，其中所述 内电极材质为贱金属镍，所述压敏电阻器的两端涂有银电极。本发明 具有以下有益效果：（1）本发明所使用的 ZnO 压敏电阻材料配方适 用于还原再氧化制备工艺；（2）本发明采用贱金属 Ni 为内电极，可 以大幅度降低多层片式压敏电阻器制备成本；（3）采用传统的固相烧 结方法，端银的烧渗和瓷体氧化一次性
华中科技大学
2021-04-14
一种氯溴碘共混钙钛矿光吸收层材料的制备方法
本发明涉及一种氯溴碘共混钙钛矿型薄膜及光伏电池的制备方法。包括以下步骤：（1）用甲胺溶液 与氢碘酸反应，产物清洗、干燥后得到碘甲胺白色固体粉末，作为制备钙钛矿的阳离子源；（2）步骤（1）中得到的碘甲胺，与 Cl、Br、I 的铅盐，混合于二甲基亚砜中，在室温环境下搅拌 12 小时，然后静置得到钙钛矿吸收层材料的前驱液；（3）将步骤（2）中得到的前驱液，通过匀胶机旋涂在衬底表面，150℃退火后得到氯溴碘共混钙钛矿光吸收层材料。本发明方法可以实现三元共混钙钛矿型材料的简单，可调制备。所得 C
武汉大学
2021-04-14