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XM-FT332全功能一岁儿童高级模拟人
XM-FT332高级全功能一岁儿童护理模型   XM-FT332全功能一岁儿童高级模拟人(高级全功能一岁儿童护理模型)是根据新一岁儿童的解剖特征而设计,采用高分子材料制成,皮肤柔软有弹性、关节灵活,由儿童模型和电子显示器组成,可进行心肺复苏与各种护理操作训练。   一、功能特点: ■ 模拟标准气道开放。 ■ CPR心肺复苏操作训练:支持口对口、口对鼻、简易呼吸器等多种通气方式,电子监测吹气频率、吹气量、按压次数、按压频率、按压深度,吹气和按压可单项训练。 ■ 胸外按压时,由动态条码指示灯显示按压深度: · 按压深度正确由条码绿灯显示。 · 按压深度过小由条码黄灯显示。 · 按压深度过大由条码红灯显示。 ■ 人工口对口吹气时,由动态条码指示灯显示潮气量大小: · 吹入的潮气量正确由条码绿灯显示。 · 吹入的潮气量过小由条码黄灯显示。 · 吹入的潮气量过大由条码红灯显示。 ■ 按压与人工呼吸比:新生儿3:1。 ■ 操作频率:100-120次/分。 ■ 操作方式:训练操作、考核操作。 ■ 瞳孔观察示教:一侧瞳孔散大,一侧瞳孔正常直观对比。 ■ 气管切开护理。 ■ 气道管理技术:逼真的口、鼻、舌、牙龈、咽、喉、食道、会厌、气管、气管环,可以练习经口气管插管、吸痰、吸氧。 ■ 插胃管:可进行洗胃、胃肠减压操作,支持腹部听诊检测插管位置,插管成功后可抽吸出胃液。 ■ 静脉穿刺输液练习,包括手臂静脉、股静脉、足背静脉。 ■ 肌肉注射练习,包括双侧三角肌、双侧股外侧肌、大腿外侧。 ■ 骨髓穿刺训练:可经胫骨穿刺,有模拟骨髓流出,可注入模拟药物。 ■ 导尿和灌肠:可更换男/女生殖器,可进行男/女导尿术操作,操作成功后可导出模拟尿液。 ■ 回肠、直肠、膀胱造瘘口护理。 ■ 检查肱动脉反映:手捏压力皮球,模拟肱动脉搏动。 ■ 一般护理:皮肤护理、穿换衣服、口腔护理、耳道清洗、包扎训练、更换尿布、冷热疗法等。   二、标准配置: ■ 高级全功能一岁儿童护理模型:1台 ■ 电子显示器:1台 ■ 护理用物:1套 ■ 电源适配器:1个 ■ CPR操作垫:1条 ■ 一次性呼吸面膜:1盒 ■ 说明书:1册 ■ 保修卡合格证:1张
上海欣曼科教设备有限公司 2021-08-23
XM-FT333全功能三岁儿童护理人模型
XM-FT333全功能三岁儿童护理模型   XM-FT333全功能三岁儿童护理人模型是根据三岁儿童解剖特征设计,采用高分子材料制成,皮肤柔软有弹性、关节灵活,可进行男/女性儿童胸腹壁皮肤更换与各种护理操作训练。   一、功能特点: ■ 瞳孔观察示教:一侧瞳孔散大,一侧瞳孔正常直观对比。 ■ 气管切开护理、指血采集、TB试验。 ■ 气道管理技术:逼真的口、鼻、舌、牙龈、咽、喉、食道、会厌、气管、气管环,可以练习经口气管插管、吸痰、吸氧。 ■ 可进行口鼻饲术操作训练。 ■ 可进行洗胃术操作训练。 ■ 手臂静脉穿刺、注射、输液、输血训练。 ■ 肌肉注射练习,包括双侧三角肌、双侧股外侧肌。 ■ 骨髓穿刺训练:可经胫骨穿刺,有模拟骨髓流出,可注入模拟药物。 ■ 导尿和灌肠:可更换男/女生殖器,可进行男/女导尿术操作,操作成功后可导出模拟尿液。 ■ 回肠、直肠、膀胱造瘘口护理。 ■ 男性儿童下腹壁皮下注射。 ■ 女性儿童右下腹壁创伤护理块(切开伤口、缝合伤口和感染伤口共3块)。 ■ 检查肱动脉反映:手捏压力皮球,模拟肱动脉搏动。 ■ 四肢关节左右弯曲、旋转、上下活动。 ■ 一般护理:皮肤护理、穿换衣服、口腔护理、耳道清洗、包扎训练、更换尿布、冷热疗法等。   二、标准配置: ■ 高级全功能三岁儿童护理模型:1台 ■ 护理用物:1套 ■ 说明书:1册 ■ 保修卡合格证:1张
上海欣曼科教设备有限公司 2021-08-23
XM-FT334B全功能五岁儿童高级模拟人
XM-FT334B全功能五岁儿童高级模拟人 (急救+护理+听诊+除颤+心电监护)   XM-FT334B全功能五岁儿童高级模拟人(急救+护理+听诊+除颤+心电监护)根据五岁儿童的解剖特征设计,采用高分子材料制成,皮肤柔软有弹性、关节灵活,由五岁儿童护理模型、电子显示器、听诊模块、除颤起搏以及心电监护模块组成,可进行心肺复苏、护理、听诊、除颤起搏以及心电监护操作训练。   一、功能特点: ■ 模拟标准气道开放。 ■ CPR心肺复苏操作训练:支持口对口、口对鼻、简易呼吸器等多种通气方式,电子监测吹气频率、吹气量、按压次数、按压频率、按压深度,吹气和按压可单项训练。 ■ 胸外按压时,由动态条码指示灯显示按压深度: · 按压深度正确由条码绿灯显示。 · 按压深度过小由条码黄灯显示。 · 按压深度过大由条码红灯显示。 ■ 人工口对口吹气时,由动态条码指示灯显示潮气量大小: · 吹入的潮气量正确由条码绿灯显示。 · 吹入的潮气量过小由条码黄灯显示。 · 吹入的潮气量过大由条码红灯显示。 ■ 按压与人工呼吸比:30:2单人或者15:2双人。 ■ 操作频率:100-120次/分。 ■ 操作方式:训练操作、考核操作。 ■ 瞳孔观察示教:一侧瞳孔散大,一侧瞳孔正常直观对比。 ■ 气管切开护理、指血采集、TB试验。 ■ 气道管理技术:逼真的口、鼻、舌、牙龈、咽、喉、食道、会厌、气管、气管环,可以练习经口气管插管、吸痰、吸氧。 ■ 插胃管:可进行洗胃、胃肠减压操作,支持腹部听诊检测插管位置,插管成功后可抽吸出胃液。 ■ 静脉穿刺输液练习,包括手臂静脉、股静脉、足背静脉。 ■ 肌肉注射练习,包括双侧三角肌、双侧股外侧肌。 ■ 皮下注射练习:大腿外侧皮下。 ■ 骨髓穿刺训练:可经胫骨穿刺,有模拟骨髓流出,可注入模拟药物。 ■ 导尿和灌肠:可更换男/女生殖器,可进行男/女导尿术操作,操作成功后可导出模拟尿液。 ■ 回肠、直肠、膀胱造瘘口护理。 ■ 检查肱动脉反映:手捏压力皮球,模拟肱动脉搏动。 ■ 四肢关节左右弯曲、旋转、上下活动。 ■ 一般护理:皮肤护理、穿换衣服、口腔护理、耳道清洗、包扎训练、更换尿布、冷热疗法等。 ■ 听诊功能:可听诊心音、呼吸音、肠鸣音。 ■ 除颤起搏功能:可进行模拟除颤起搏,可与用户自备的不同厂家、不同型号的真实除颤起搏器配套使用,实现真实除颤起搏。 ■ 心电监护功能:可进行模拟心电监护,可与用户自备的不同厂家、不同型号的真实心电监护仪配套使用,实现真实心电监护。   二、标准配置: ■ 全功能五岁儿童高级模拟人:1台 ■ 电子显示器:1台 ■ 听诊模块:1套 ■ 除颤起搏:1套 ■ 心电监护:1套 ■ 护理用物:1套 ■ 电源适配器:1个 ■ CPR操作垫:1条 ■ 一次性呼吸面膜:1盒 ■ 说明书:1册 ■ 保修卡合格证:1张
上海欣曼科教设备有限公司 2021-08-23
XM-FT335B全功能新生儿高级模拟人
XM-FT335B高级全功能新生儿模拟人 (急救+护理+听诊+除颤+心电监护)   XM-FT335B全功能新生儿高级模拟人(急救+护理+听诊+除颤+心电监护)根据新生儿的解剖结构设计,采用高分子材料制成,肤质仿真度高,由新生儿模型、电子显示器、听诊模块、除颤起搏以及心电监护模块组成,皮肤柔软有弹性,解剖结构清晰,四肢可活动,能进行心肺复苏、气管插管、听诊、护理、除颤起搏以及心电监护操作训练。   一、功能特点: ■ CPR心肺复苏操作训练:支持口对口、口对鼻、简易呼吸器等多种通气方式,电子监测吹气频率、吹气量、按压次数、按压频率、按压深度,吹气和按压可单项训练。 ■ 模拟标准气道开放。 ■ 胸外按压时: ·由动态条码指示灯显示按压深度:    按压深度正确由条码绿灯显示;    按压深度过小由条码黄灯显示;    按压深度过大由条码红灯显示。 ·数码计数显示:记录按压正确和错误的次数(按压力量过大、按压力量过小的次数)。 ·语音提示:中文语音提示,详细提示按压错误的具体原因(按压力量过大、按压力量不足、胸廓回弹不足),以便训练者及时改正。 ■ 人工口对口吹气时: ·由动态条码指示灯显示潮气量大小:    吹入的潮气量正确由条码绿灯显示;    吹入的潮气量过小由条码黄灯显示;    吹入的潮气量过大由条码红灯显示。 ·数码计数显示:记录吹气正确和错误的次数(吹气量过大、吹气量不足的次数)。 ·语音提示:中文语音提示,详细提示吹气错误的具体原因(吹气量过大、吹气量不足),以便训练者及时改正。 ■ 按压与人工呼吸比:新生儿3:1,婴儿30:2单人,或者15:2双人。 ■ 操作周期:先按压再吹气,按压与人工吹气比新生儿3:1,婴儿30:2或15:2五个循环周期CPR操作。 ■ 操作频率:100-120次/分(可自行设置频率100次/分或120次/分)。 ■ 操作方式:训练操作、考核操作。 ■ 瞳孔观察示教:一侧瞳孔散大,一侧瞳孔正常直观对比。 ■ 气道管理技术:逼真的口腔、气道和食管,可练习经口气管插管、吸痰法和氧气吸入法。 ■ 插胃管:支持听诊检测插管位置,用于胃肠减压、鼻饲、洗胃等。 ■ 静脉输液与穿刺训练:手臂静脉包括手背浅静脉;头皮静脉包括:额上静脉、颞浅静脉、股静脉,能进行静脉输液与穿刺训练。 ■ 骨髓穿刺训练:可经胫骨穿刺,有模拟骨髓流出,可注入模拟药物。 ■ 检查肱动脉反映:手捏压力皮球,模拟肱动脉、桡动脉搏动。 ■ 脐带静脉注射与插管训练。 ■ 其它护理功能:更换尿布、穿换衣服、洗浴、口腔护理、冷热疗法、包扎等。 ■ 听诊功能:可听诊心音、呼吸音、肠鸣音。 ■ 除颤起搏功能:可进行模拟除颤起搏,可与用户自备的不同厂家、不同型号的真实除颤起搏器配套使用,实现真实除颤起搏。 ■ 心电监护功能:可进行模拟心电监护,可与用户自备的不同厂家、不同型号的真实心电监护仪配套使用,实现真实心电监护。   二、标准配置: ■ 高级全功能新生儿模拟人:1台 ■ 电子显示器:1台 ■ 听诊模块:1套 ■ 除颤起搏:1套 ■ 心电监护:1套 ■ 可更换手臂皮肤:1个 ■ 骨髓穿刺模块:1个 ■ 护理用物:1套 ■ 电源适配器:1个 ■ CPR操作垫:1条 ■ 一次性呼吸面膜:1盒 ■ 手提箱:1个 ■ 说明书:1册 ■ 保修卡合格证:1张
上海欣曼科教设备有限公司 2021-08-23
宽禁带半导体碳化硅电力电子器件技术
宽禁带半导体碳化硅(SiC)材料是第三代半导体的典型代表之一,具有宽带隙、高饱和电子漂移速度、高临界击穿电场、高热导率等突出优点,能满足下一代电力电子装备对功率器件更大功率、更小体积和更恶劣条件下工作的要求,正逐步应用于混合动力车辆、电动汽车、太阳能发电、列车牵引设备、高压直流输电设备以及舰艇、飞机等军事设备的功率电子系统领域。与传统硅功率器件相比,目前已实用化的SiC功率模块可降低功耗50%以上,从而减少甚至取消冷却系统,大幅度降低系统体积和重量,因此SiC功率器件也被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源”器件。 本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验,能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。目前基于国内工艺平台制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶体管(图1,有源区面积0.9mm2);4000V/30A的SiC PiN二极管(图2);击穿电压>5000V的SiC JBS二极管(图3)。 a b c 图1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件:(a)晶圆照片(b)正向IV测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图2 4kV/30A SiC PiN器件:(a)晶圆照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图3 5kV SiC JBS器件:(a)显微照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线
电子科技大学 2021-04-10
宽禁带半导体碳化硅电力电子器件技术
本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验,能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。
电子科技大学 2021-04-10
一种基于电子信息技术的标签检测设备
成果描述:本实用新型公开了基于电子信息技术的标签检测设备,包括安装底板,安装底板的上方焊接有罩壳,罩壳的两端均设有物料通道,物料通道的开口处铰接有盖板,罩壳的顶部内壁安装有驱动装置,驱动装置上安装有取料机构,安装底板上方还安装有调节装置,调节装置的一侧安装有物料存放盘,调节装置包括与安装底板固定连接的矩形安装板,安装板的一侧侧边焊接有第一限位柱,安装板与第一限位柱相邻的一侧侧边焊接有第二限位柱,安装板远离第一限位柱的一侧下方安装有第一定位机构。本实用新型结构简单、操作调节简单、适用于各种型号的电子信息技术的标签的定位操作,为电子信息技术的标签自动化检测提供基础。市场前景分析:本实用新型结构简单、操作调节简单、适用于各种型号的电子信息技术的标签的定位操作,为电子信息技术的标签自动化检测提供基础。与同类成果相比的优势分析:国内领先
成都大学 2021-04-10
一种基于电子信息技术的自动冲模装置
成果描述:本实用新型公开了一种基于电子信息技术的自动冲模装置,包括机架和开关控制装置,所述机架的顶部中央位置焊接有下模座,且下模座的顶部匹配有上模座,所述上模座的两侧分别竖直设有导杆,且两个导杆的底端分别焊接在机架的顶部两侧,每个导杆上开设有矩型放置腔,且矩型放置腔的两侧内壁上均开设有矩型开口,所述矩型放置腔的内部竖直设有金属杆,且金属杆焊接上模座的一侧水平焊接有与矩型开口内壁滑动连接的连接杆,所述连接杆靠近上模座的一端焊接在上模座的中央位置。本实用新型经济实用,冲模装置通过对推杆电机的正反转进行智能控制,以此来带动上模座对下模座上的物料进行冲模操作,使得冲模装置的工作效率高。市场前景分析:本实用新型经济实用,冲模装置通过对推杆电机的正反转进行智能控制,以此来带动上模座对下模座上的物料进行冲模操作,使得冲模装置的工作效率高。与同类成果相比的优势分析:国内领先
成都大学 2021-04-10
磁流体热磁对流在电子器件散热中的应用
项目概况 针对小型化、集成化、高频率和高运算速度的电子器件,应用磁流体的热磁对流效应,把磁流体作为新一代高效传热冷却技术用于高密度高功率电子器件设备中。 主要特点 1. 选择合适的外加磁场和屏蔽技术。 2.温度区内磁场梯度条件和粒子浓度的准确控制 3.磁流体微型热管散热过程的磁场的准确定位。 技术指标     建立适合电子器件密集环境下适用磁流体散热技术及相应的磁场条件和屏蔽技术,提高了磁流体在磁场、热场和重力场协同作用下的流动传热效果。促进节能环保技术的发展,达到节能减排的绿色材料应用。市场前景 目前该项目已通过现场的工业化证明,散热效果好,能达到电子器件冷却要求,满足工业生产的需求,在生产过程中无污染,无三废排放。该项目可应用于高密度、高功率电子器件密集环境下的散热设备中,具有较好的经济效益和社会效益。
南京工程学院 2021-04-11
三维光电子集成研究上的重要进展
近几年,硅基集成电路的速度遭遇瓶颈、停滞不前,解决的办法之一是引入光子学器件,部分取代电子学集成电路中的信号处理和互联器件,这就要求光子学器件具有像电子学集成那样的小尺度和三维集成能力,同时具有和电子学集成兼容的制备工艺。这些要求使得光电混合集成面临巨大的挑战,是一个世界性的难题。 光学所张家森教授团队与信息科学学院彭练矛教授团队合作,提出了基于表面等离激元和碳纳米管的三维光电混合集成系统,该系统与现有的COMS制备工艺兼容,可以实现光子学和电子学的三维集成和互联,为解决集成电路的速度瓶颈提供了一种方法。他们演示了几种集成回路,包括在片光操控回路、波长和偏振复用回路和具有COMS信号处理电路的集成模块。Fig. 1. Integration of plasmonic-enhanced detector with carbon nanotube (CNT) complementary metal oxide semiconductor (CMOS) signal processing circuits. a, Schematic of the 3D integrated circuits, consisting of bottom-layer passive WFSAs and metal connection lines, in-between HfO2 dielectrics and Au cross-layer connection lines, and top-layer plasmonic receiver and CNT CMOS signal processing circuits. b, Output characteristics of the plasmonic-enhanced barrier-free-bipolar diode (BFBD) and the normal BFBD under the illumination at "λ" =1200 nm. c, Electric field pattern of the La=320-nm SA. d-e, Transfer (d) and output (e) characteristics of the CMOS. f, VTC curves of the CMOS (blue line) and the 3D integrated circuits (red line). Inset is the corresponding equivalent circuit diagram of the 3D integrated circuits. g-i, Statistical figures of merit of the deep-subwavelength modules, including photocurrent (g) and photovoltage (h) of the BFBD as well as on-state current of the CMOS (i). 这种三维集成系统的优点包括:1. 使用低温COMS兼容制备工艺,可以在单片集成回路中集成光子学模块、电子学信号处理系统和存储系统;2. 利用具有原子厚度的碳纳米管材料以及金属工艺,使得光子学集成和电子学集成在材料上兼容;3. 基于表面等离激元使得光子学器件尺度可以和电子学器件尺度相近,便于集成;4. 碳纳米管的工作波段可以覆盖整个通讯波段,这是硅材料无法做到的;5. 光电探测器工作于光伏模式,可以减小能耗。该工作是首次利用原子厚度材料实现三维光电混合集成,可以实现更小的尺寸、更快的速度和更多的功能,同时,有可能解决电子学集成回路在速度上的瓶颈。 上述实验结果近期发表于最新一期《自然 电子学》杂志。 相关文献:Yang Liu, Jiasen Zhang, and Lian-Mao Peng, Three-dimensional integration of plasmonics and electronics. Nature Electronics 1, 644-651 (2018).Yang Liu, Jiasen Zhang, Huaping Liu, Sheng Wang, and Lian-Mao Peng, Electrically-driven monolithic subwavelength plasmonic interconnect circuits. Science Advances 3, e1701456 (2017).
北京大学 2021-04-11
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