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面向大功率开关电源器件的铁硅粉芯关键生产工艺开发
：铁硅粉芯是一种新型复合软磁材料，主要用于 替代传统开了气隙的硅钢、铁氧体及非晶等材料，作为电感器 和电抗器的磁芯，用于对直流叠加要求较高的大功率光伏逆变 器、风电变流器、电动汽车充电机、变频空调、有源滤波器、 UPS 电源等新能源与节能电力电子系统。 铁硅粉芯在器件中的作用是实现电磁能量转换，其与绕制 线圈一起组成的各种磁性器件在电力电子系统中起到功率因数 校正和滤波
合肥工业大学
2021-04-14
一种多点接触模式下的大面积纳米压印硅模具加工方法
一种多点接触模式下的大面积纳米压印硅模具加工方法，它将硅(100)单晶片置于多微球的多点接触板垂直下方位置，再使硅片与多点接触板两者垂直相对运动至发生接触，并达到一定接触载荷F；使多点接触板和硅片按照既定轨迹相对运动，进行刻划；刻划后，将硅片放入质量分数为15～25％的KOH溶液中腐蚀一段分钟，即可得到具有预先设定结构的纳米压印硅模具。该方法在多点接触模式下进行，可以方便地控制所加工纳米压印硅模具的图案、排列方式等；刻划过程中硅片与多点接触板始终保持平行状态。该方法的设备和原材料成本低，操作简便、步骤简单，能一次性完成大面积的硅(100)单晶片纳米压印模具加工，具有明显的低成本、高效率的特点。
西南交通大学
2016-10-20
一种掺杂硅量子点发光二极管器件及其制备方法
本发明公开了一种掺杂硅量子点发光二极管，包括硅衬底，沉 积银纳米颗粒层，以及在银纳米颗粒结构上沉积多层分布均匀且包含 掺杂硅量子点的 SiNx 薄膜，透明导电薄膜 AZO 层以及 Si3N4 钝化层。 还公开了该发光二极管的制备方法，利用掺杂硅量子点-SiNx 薄膜的电 致发光特性，构成发光二极管的发光有源层；利用掺杂可以钝化量子 点，同时掺杂硅量子点与硅衬底形成的 p-n 结增强电子空穴的辐射复 合。此外，利用银纳
华中科技大学
2021-04-14
一种有机硅改性剂在改性热固性酚醛树脂中的应用
本发明公开了一种有机硅改性剂在改性热固性酚醛树脂中的应用，该有机硅改性剂制备容易，经过该有机硅改性剂改性的酚醛树脂体系均一性好，产品质量稳定。以苯酚，甲醛溶液和该有机硅改性剂为原料，经碱催化缩合可制得一类热固性酚醛树脂，其结构特征在于酚醛树脂分子中化学键合了聚二甲基硅氧烷链段。本发明制备的改性酚醛树脂不易受潮，固化后的材料韧性和耐热性能优异，将其应用于浸渍料制备的材料韧性要优于一般的酚醛树脂制品，亦可作为制备高性能摩擦材料等复合材料的粘合剂，能有效提高粘结处的剪切强度，不易脱胶。
浙江大学
2021-04-13
甲基硅氧烷大气转化导致低挥发性物种及高产率甲醛的形成
该研究发现一种新的过氧自由基自氧化机制，阐明甲基硅氧烷大气转化会生成甲醛，增加其释放的环境风险。该研究不仅拓展了对大气过氧自由基化学的理解，还为甲基硅氧烷环境行为模拟和风险评估提供了重要的基础数据。
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大连理工大学
2021-01-12
低成本非真空铜铟硒（CIGS）薄膜太阳电池制造技术
CIGS 薄膜太阳电池具有效率高，无衰退、抗幅射、寿命长等特点，采用非真空技术可以进一步降低这种电池的成本，预计可达到0.3$/W。 本项目产品结构为：衬底/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al；其中光吸收层 CIGS 薄膜为 p 型半导体，其表面贫 Cu 呈 n 型与缓冲层CdS 和 i-ZnO 共同成为 n 层，构成浅埋式 p-n 结。太阳光照射在电池上产生电子与空穴，被 p-n 结的自建电场分离，从而输出电能。工艺流程：普通钠钙玻璃清洗→Mo 的溅射沉积→非真空法分步电沉积Cu-In-Ga 金属预置层→快速加热硒硫化处理（RTP）→化学水浴法沉积 CdS 或 ZnS→本征 ZnO 溅射沉积→ZnO:Al 透明导电膜的溅射沉积→Ni/Al 电极沉积，等。
南开大学
2021-02-01
低温柔性大面积 CIGS（铜铟镓硒）太阳电池
以轻质高分子聚合物聚酰亚胺（简称 PI）为柔性衬底的 CIGS 电池不但保持着玻璃衬底太阳电池的一些优良性能，同时还具备不怕摔碰、可卷曲折叠、在制作中可按要求剪裁等特点，具有更广阔的应用前景。PI 薄膜不吸水、绝缘性能好、重量轻（70g/m2）、厚度薄（仅为 0.05mm）、表面光滑及可弯曲等特点，是高功率重量比太阳电池的首选衬底材料，其功率重量比可高达 2000W/Kg（未封装），并且由于 PI 衬底 CIGS 电池可实现大面积卷－卷（Roll-to-Roll）连续化生产，为进一步降低光伏电池成本开辟了有效途径。通过研究低温生长CIGS 薄膜中 Na 掺杂对材料生长及器件复合机制的影响，改善了器件光电性能。柔性聚酰亚胺（PI）CIGS 太阳电池大面积单体电池 2cm×2cm 与 4cm 4cm×4cm 柔性大面积 PI 衬底 CIGS 太阳电池效率分别达 8%与 7%（由中科院太阳光伏发电系统和风力发电系统质量检测中心鉴定）。
南开大学
2021-02-01
低成本非真空铜铟硒（CIGS）薄膜太阳电池制造技术
CIGS 薄膜太阳电池具有效率高，无衰退、抗幅射、寿命长等特 点，采用非真空技术可以进一步降低这种电池的成本，预计可达到 0.3$/W。 本项目产品结构为：衬底/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al；其 中光吸收层 CIGS 薄膜为 p 型半导体，其表面贫 Cu 呈 n 型与缓冲层 CdS 和 i-ZnO 共同成为 n 层，构成浅埋式 p-n 结。太阳光照射在电池 上产生电子与空穴，被 p-n 结的自建电场分离，从而输出电能。工艺 流程：普通钠钙玻璃清洗→Mo的溅射沉积→非真空法分步电沉积CuIn-Ga 金属预置层→快速加热硒硫化处理（RTP）→化学水浴法沉积 CdS 或 ZnS→本征 ZnO 溅射沉积→ZnO:Al 透明导电膜的溅射沉积→ Ni/Al 电极沉积，等。
南开大学
2021-04-11
CDTE薄膜的表面腐蚀及用此法制备CDTE太阳电池
CdTe薄膜的表面腐蚀及用此法制备CdTe太阳电池，属于半导体器件加工领域。采用硝酸、冰乙酸、NaAc和去离子水的混合液作为腐蚀液，其中，NaAc作为缓冲剂，以保持溶液的pH值不变，使反应更稳定，通过CdTe和硝酸发生反应生成富碲层；清洗吹干后，沉积含Cu或不含Cu背接触层，最后沉积背电极以制备CdTe太阳电池。沉积背接触材料，可增加pn结附近的载流子浓度，降低肖特基势垒高度，避免直接沉积Cu形成比较复杂的CuxTe结构。采用这种方法腐蚀并制备CdTe太阳电池，可显著提高太阳电池的性能，并保证器件性能的稳定性和重复性。
四川大学
2021-04-11
低成本非真空铜铟硒（CIGS）薄膜太阳电池制造技术
CIGS薄膜太阳电池具有效率高，无衰退、抗幅射、寿命长等特点，采用非真空技术可以进一步降低这种电池的成本，预计可达到0.6$/W。 本项目产品结构为：衬底/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al；其中光吸收层CIGS薄膜为p型半导体，其表面贫Cu呈n型与缓冲层CdS和i-ZnO共同成为n层，构成浅埋式p-n结。太阳光照射在电池上产生电子与空穴，被p-n结的自建电场分离，从而输出电能。工艺流程：普通钠钙玻璃清洗→Mo的溅射沉积→非真空法沉积CIGS薄膜预置层→快速
南开大学
2021-04-14