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垂直结构大功率白光 LED
成果简介对于大电流注入下的高功率 LED 而言， 光衰是 LED 普遍存在的问题。 主要原因有载流子在多量子阱（MQW） 上的溢出（overflow）； LED 芯片的晶体内部的缺陷导致的非辐射复合； 在大注入条件下， 载流子分布的不均匀； 以及 LED 结构设计合理性等原因； 这些因素在 LED 材料生长过程中（采用 MOCVD 技术） 就已经决定。 而大功率 LED 在实际应用过程中另外一个瓶颈就是芯片的热输运处理问题。 在大注入条件下， 过高的 pn 结结温， 导致
安徽工业大学
2021-04-14
大功率光纤激光技术及应用项目
Ø 成果简介：该项目采用高功率高效半导体单管激光器做为泵浦源，利用掺杂双包层光纤、光子晶体光纤、双包层光纤光栅，采用特有的高效驱动电源技术，为大功率光纤激光技术产业化提供最佳的解决方案。大功率光纤激光器是近年来发展的最新激光技术之一，是大功率激光器小型化、全固化、集成化发展的一个重要方向和趋势，是继灯泵固体激光器、半导体泵浦固体激光器之后的第三代激光器，是当前国际上着力开发的新型激光器件，已成为激光在军事和商业应用中的重要技术。该项目将实现532nm、1064nm、1540nm
北京理工大学
2021-04-14
大功率光纤激光技术及应用项目（技术）
成果简介：该项目采用高功率高效半导体单管激光器做为泵浦源，利用掺杂 双包层光纤、光子晶体光纤、双包层光纤光栅，采用特有的高效驱动电源技 术，为大功率光纤激光技术产业化提供最佳的解决方案。大功率光纤激光器是近年来发展的最新激光技术之一，是大功率激光器小型化、全固化、集成化发展的一个重要方向和趋势，是继灯泵固体激光器、半导体泵浦固体激光 器之后的第三代激光器，是当前国际上着力开发的新型激光器件，已成为激 光在军事和商业应用中的重要技术。该项目将实现 5
北京理工大学
2021-04-14
微波/毫米波大功率计
微波毫米波大功率计主要完成微波/毫米波领域大功率测试，是监测微波毫米波器件性能的关键测试仪器/设备。 团队研制的微波/毫米波大功率计可以完成平均功率20kW以上电磁波能量的测定。
电子科技大学
2021-04-10
微波/毫米波大功率计
微波毫米波大功率计主要完成微波/毫米波领域大功率测试，是监测微波毫米波器件性能的关键测试仪器/设备。
电子科技大学
2021-04-10
高速机床主轴、高速大功率电机
高速大功率电机主要应用于空气压缩机、制冷机、鼓风机、MVR 蒸发器(Mechanical Vapor Recompression) 和燃气余热发电等领域，由于采用“电机-叶轮”直驱结构，省去了传统的增速箱等中间传动环节，相比于“电动机-增速箱-叶轮”结构，具有结构紧凑、振动噪声小、传动效率高、易于实现自动调速等优点。液体静压（电）主轴主要应用于高速精密磨床领域，如轴承磨床、外圆磨床、内圆磨床、平面磨床、凸轮轴磨床、曲轴磨床、立式磨床等。其主要特点在于高速度、高精度、高刚性，支撑磨床实现高效精密加工。
湖南大学
2021-04-11
大功率氦氖激光器
氦氖激光器是应用最为广泛的一种气体激光器件，目前已有很多品种规格，满足不同用途的需要。大功率氦氖激光器是指输出功率大于5毫瓦的器件，可用于激光全息摄影、喇曼光谱、射散研究、激光通讯和激光印刷等方面，产品具有结构紧凑、单模输出、功率大、寿命长、稳定性好、线偏振和防震性好等特点。
上海理工大学
2021-04-11
高速高刚度大功率电主轴
在主轴结构设计与制造、内装电机设计与制造、润 滑理论与轴承技术、轴承转子系统动力学、动平衡 理论与应用、主轴热稳定性分析与温升抑制、主轴 精密装配与检测等方面，拥有雄厚的技术积累和强 大的创新研发能力，可以按照客户个性化要求，实 现电主轴的定制化设计与制造，高速、高效、最大 限度地满足客户需求。服务项目 机械主轴、高速磨削电主轴、铣削电主轴、车铣复合电主轴等设计与制造。
西安交通大学
2021-04-11
大功率LED照明灯具
本实用新型公开了一种大功率LED照明灯具，包括散热铜基板、盖板和透镜，其特征在于：还包括覆铜板、LED芯片和散热鳍片，在散热铜基板上侧开设有圆形凹槽，在圆形凹槽中横向设置有覆铜板，在覆铜板内部对称设置有两个LED芯片，两个LED芯片内部通过金线连接导通，两个LED芯片的正负极分别与导线相连接，在两个LED芯片上方分别竖向安装有光学罩，在圆形凹槽的上方设置有将凹槽整个罩住的透镜，透镜的边缘处用盖板压紧固定，所述散热铜基板下侧安装有多层散热鳍片。本实用新型解决了现有技术中LED照明灯具散热和密封效果较差的问题，提供了一种结构简单，具有较好散热密封效果，且不易破裂损害的大功率LED照明灯具。
南京工程学院
2021-04-13
高压大功率半导体器件IGCT
1. 痛点问题
功率半导体是支撑能源领域发展的核心部件。为实现3060双碳目标，我国正在超常规推动新能源发电、大容量输配电和电气化交通等领域，对电压等级4.5kV以上的功率器件需求急速增长。提高器件电压和容量可以减少器件串并联数量、缩减装备体积和成本，是解决城市用地紧张、降低海上风电平台建设成本的关键。然而，受工作机理和制备工艺限制，IGBT器件最大功率等级为4.5kV/3kA和6.5kV/0.75kA，已接近瓶颈，无法满足能源发展需求。因此，亟需更高电压、更大容量、更高可靠性和更低制造成本的功率半导体器件解决方案。
2020年，中国功率半导体市场规模达2000亿元，但90%以上依赖进口，尤其是4.5kV以上器件，近乎全部进口。亟需寻求自主可控的功率半导体器件国产替代方案。
2. 解决方案
本技术面向新能源发电和输配电领域大容量、高可靠的需求，提出了自主化IGCT器件（集成门极换流晶闸管）的设计、制备和驱动控制方案，可以提高阻断电压和关断电流能力、降低器件运行损耗，且可以结合应用工况开展定制优化，如改善器件防爆特性、解决高压装置中的驱动供电问题等，从而实现大容量、高可靠、低成本、高效率的能量管理和功率变换。
目前团队已研制出4.5kV/5kA和6.5kV/4kA的IGCT器件，功率等级全面覆盖IGBT，且具有向更大容量发展的潜力。与IGBT、MOSFET等晶体管器件相比，本技术提出的IGCT具有通态损耗低、耐受电压高、可靠性高、抗干扰能力强等突出优势，符合能源发展趋势，且制造工艺沿用基本沿用传统的晶闸管路线，制造成本低，国内工艺基础好。
清华大学
2021-10-26