高等教育领域数字化综合服务平台
云上高博会服务平台 高校科技成果转化对接服务平台 大学生创新创业服务平台 登录 | 注册
|
搜索
搜 索
  • 综合
  • 项目
  • 产品
日期筛选: 一周内 一月内 一年内 不限
一种基于 FPGA 的永磁同步电机电流环带宽扩展装置
本发明公开了一种永磁同步电机电流环带宽扩展装置,包括电 流采样模块,读取 A 相和 B 相电流采样值 ia、ib;Clark 变换模块,将 ia、ib 变换到αβ坐标系中,得到 iα、iβ;Park 变换模块,将 iα、i β变换到 dq 坐标系,得到直轴电流 id 和交轴电流 iq;PI 模块,根据 指令电流<img file=DDA0000439745310000011.GIF wi=178 he=101 /> 与反馈电流 id、iq 比较得电流偏差值,运算得到 dq 轴指令电压 Vd、 Vq;iPark 变换模块,将 Vd、Vq 变换到αβ坐标系中,得到 Vα、V β;SVPWM 模块,根据 Vα、Vβ计算三相 PWM 占空比,并产生六 路 PWM 波形;时序控制模块,根据电流控制时序开启和关闭相应模 块,完成永磁同步电机电流的控制。本发明通过对控制时序的优化以 及基于 FPGA 的电流控制器的设计,大大减小了电流控制环路中的延 时,从而提高了电流环带宽。
华中科技大学 2021-04-11
一种基于电离层探测仪的功率和电流检测系统
本实用新型涉及功率和电流测量技术领域,具体涉及一种基于电离层探测仪的功率和电流检测系统, 一种基于电离层探测仪的功率和电流检测系统,包括单片机、射频信号,还包括与单片机相连的功率检 测模块、电流检测模块和显示模块;所述功率检测模块包括 π 型衰减网络电路、阻抗匹配电路、功率检 测电路、低通滤波电路 I;所述电流检测模块包括电流检测电路、低通滤波电路 II 和分流电阻器 R9。该 检测系统结构简单、可靠,操作方便,可以适用于多种场合的功率和电流检测和监控,方便观察,能让 用户了解设备当前工作状态。
武汉大学 2021-04-13
一种阶段式电流保护整定方法及发电机模型
本发明公开了一种阶段式电流保护整定方法及发电机模型,包 括下述步骤:当进行瞬时电流速断保护的整定时,采用时间段为[0, Δt]的发电机模型,根据瞬时电流速断保护的整定原则,获得线路 i 首 端瞬时电流速断保护的一次电流整定值,当进行限时电流速断保护的 整定时,采用时间段为<img file=""DDA0000599275030000011.GIF"" wi=""366""he=""75"" />的发电机模型,根据限时电流速断保护的整定 原则,获得线路 i 首端限时电流速断保护的一次电流整
华中科技大学 2021-04-14
一种基于 FPGA 的永磁同步电机电流环带宽扩展装置
本发明公开了一种永磁同步电机电流环带宽扩展装置,包括电流采样模块,读取A相和B相电流采样值i<sub>a</sub>、i<sub>b</sub>;Clark 变换模块,将 i<sub>a</sub>、i<sub>b</sub>变换到αβ坐标系中,得到 i<sub>α</sub>、i<sub>β</sub>;Park 变换模块,将 i<sub>α
华中科技大学 2021-04-14
一种平顶脉冲磁场产生装置及平顶脉冲电流产生装置
本发明提供了一种平顶脉冲磁场产生装置及平顶脉冲电流产生 装置,其中平顶脉冲磁场产生装置包括变压器,由变压器的原边线圈、第一电容器、第一开关和磁体依次串联构成的第一回路,以及由变压 器的副边线圈、第二电容器和第二开关依次串联构成的第二回路;第 一回路还包括并联在第一电容器两端的第一续流回路;第二回路还包 括并联在第二电容器两端的第二续流回路。第一续流回路包括依次连 接在第一电容器两端的第一电阻和第一单向导通元件。第二续流回路 包括依次连接在第二电容器两端的第二电阻和第二单向导通元件。本 发明通过电压器
华中科技大学 2021-04-14
实现转矩和效率优化的感应电机全速度域电流分配方法
本发明公开了一种实现转矩和效率优化的感应电机全速度域电流分配方法,该方法综合考虑了电压限制、电流限制以及电机自身的物理特性限制,在不同速度域分别推导得到转矩和效率优化的励磁电流矢量给定值和转矩电流矢量给定最大值。应用本发明可以大幅提高感应电机驱动系统的电流利用率和效率,提升全速度域转矩输出能力。
华中科技大学 2021-04-14
基于配电网物理模型中的线路零序电流模拟与检测方法
本发明公开了一种基于配电网物理模型中的线路零序电流模拟 与检测方法,属于电力系统配电自动化领域;现有的检测方法实际负 载阻抗和零序电流互感器的容量不一致时将会出现较大的误差;本发 明提供的方法将三相线路和副方绕组绕在同一个环形铁芯上,通过磁 平衡原理大大提高了零序电流互感器的二次电流值和测量精度。 
华中科技大学 2021-04-14
一种入耳式微电流与声音治疗耳鸣系统及治疗仪
该疗法是一项创新的、高效的、服务于耳鸣病人的具有良好前景的智能便携式医疗设备。 一、项目分类 显著效益成果转化 二、成果简介 耳鸣(Tinnitus)是指在无内在或外界声源时感知的声音。耳鸣的发生率大约为10%-15%,其中,约10%-20%人口的生活深受耳鸣影响,部分耳鸣患者伴有焦虑和抑郁症状。另外,耳鸣不仅降低患者个体的生活质量,还加重社会经济负担。很多研究者在探寻有效治疗耳鸣的方法,如耳鸣习服治疗,但这些治疗方法对耳鸣症状的改善效果不佳,且个体之间的疗效存在很大差异。目前仍没有完全有效治疗耳鸣的方法,这可能是因为耳鸣确切的神经生理机制仍不清楚。    近年来,随着对耳鸣中枢机制的深入研究,根据耳鸣旁抑制障碍中枢机制学说产生了切迹滤波音乐治疗。该治疗通过滤除以耳鸣频率为中心的一段频率范围,引起切迹范围内频率相应听觉皮层神经活动减弱,而邻近的神经元会被激活并通过旁抑制方式对耳鸣频率相关神经元进行抑制。 有研究表明该方法具有较满意的临床治疗效果,蔡跃新团队早期研究也发现了短期切迹音乐治疗能有效改善耳鸣的主观症状。    迷走神经刺激( vagus nerve stimulation,VNS) 是通过外科手术将线圈放在左颈部内的迷走神经上,调整电刺激参数与模式,自动刺激迷走神经来达到调节大脑皮质兴奋性的作用。Hyvarinen 等研究发现,VNS可以成功调节与耳鸣相关的β波(频率为12~30 Hz)和γ波(频率为30~48Hz),因此可能作为治疗耳鸣的新方法。同时先前研究通过fMRI 和脑电路已经证明迷走神经耳支刺激可以激活迷走神经系统。Ylikoski 等分析了97例接受经皮 VNS 刺激15~60 min前后心率变异性( heart rate variability,HRV) 的变化。因为严重耳鸣患者常常表现出自主神经系统紊乱,而自主神经系统失衡往往表现出 HRV 的降低,所以 HRV 可以反映出VNS的治疗效果。研究发现,约3 /4患者的交感神经优势降低,即其对自主神经系统平衡的恢复起到了促进作用。曾祥丽等通过对 64 例慢性耳鸣患者的经皮VNS,发现经皮VNS能减轻患者焦虑障碍,改善睡眠质量,有超过 80% 的患者获得一定程度的主观症状改善。经典的VNS术是在颈部植入迷走神经刺激器,需要手术植入,手术取出,部分患者出现声嘶等并发症。具有一定的手术风险,成本较高。 蔡跃新团队早期研究设计外耳道经皮迷走神经刺激器,结合个性化切迹声治疗方案,是为国际首创,具有独立的知识产权。前期声治疗临床试验表明,在经过3个月治疗后,患者耳鸣严重程度明显降低,且具有较高的接受程度、依从性以及安全性。该疗法是一项创新的、高效的、服务于耳鸣病人的具有良好前景的智能便携式医疗设备。
中山大学 2022-08-12
喷嘴喷射独立可控的阵列化电流体喷印头及其实现方法
本发明公开了一种喷嘴喷射独立可控的阵列化电流体喷印头, 包括设置在阵列化喷嘴与接收板之间的导引电极层,该导引电极层上 设有与喷嘴数目对应的多个圆孔,各圆孔的中心与喷嘴的中心共线, 在导引电极层上的各圆孔外周均同轴环绕有一圈导电环,且各导电环 均与一个电压源连接,阵列化喷嘴与喷射电压源相连,通过调整各个 电压源处合适电压值使得需要喷印的喷嘴与对应的导电环形成的电压 差大于其他喷嘴电压差,进而使待喷射喷嘴处的场强大于喷射启动所 需场强,其他不喷射的喷嘴处场强小于喷射启动所需场强,即可实现 各喷嘴的独立控制。本发明还公开了其实现方法。本发明可以解决目 前存在的对喷印头独立喷射控制存在的结构复杂、无法大规模集成使 用的问题。 
华中科技大学 2021-04-11
压接型IGBT器件封装的电热力多物理量均衡调控方法
1. 高压IGBT器件封装绝缘测试系统 针对高压IGBT器件内部承受的正极性重复方波电压以及高温工况,研制了针对高压IGBT器件、芯片及封装绝缘材料绝缘特性的测试系统(如图1所示),可实现电压波形参数、温度和气压的灵活调控,用于研究电压类型(交、直流、重复方波电压)、波形参数、气体种类、气体压力等因素对绝缘特性,具备放电脉冲电流测量、局部放电测量、放电光信号测量、漏电流测量及紫外光子测量等功能(如图2所示),平台相关参数:频率:DC~20kHz,电压:0~20kV,上升沿/下降沿:150ns可调,占空比:1%~99%,温度:25℃~150℃,气压:真空~3个大气压。  2.压接型IGBT器件并联均流实验系统 针对高压大功率压接型IGBT器件内部的芯片间电流均衡问题,研制了针对压接型IGBT器件的多芯片并联均流实验系统(如图3所示),平台具有灵活调节IGBT芯片布局,栅极布线,温度和压力分布的能力,可开展芯片参数、寄生参数以及压力和温度等多物理量对压接型IGBT器件在开通/关断过程芯片-封装支路瞬态电流分布影响规律的研究,以及瞬态电流不均衡调控方法的研究;平台相关参数:电压:0~6.5kV,电流:0~3kA,温度:25℃~150℃,压力:0~50kN。   图3 压接型IGBT多芯片并联均流实验 3.高压大功率IGBT器件可靠性实验系统 随着高压大功率 IGBT 器件容量的进一步提升,对其可靠性考核装备在测量精度、测试效率等方面提出了挑战。针对柔性直流输电用高压大功率 IGBT 器件的测试需求,自主研制了 90 kW /3 000 A 功率循环测试装备和100V/200°C高温栅偏测试装备(如图4所示)。功率循环测试装备可针对柔性直流输电中压接型和焊接式两种不同封装形式的IGBT开展功率循环测试,最多可实现12个IGBT器件的同时测试。电流等级、波形参数、压力均独立可调,功率循环周期为秒级,极限测试能力可达 300 ms,最高压力达220 kN,虚拟结温测量精度达±1°C,导通压降测量精度达±2mV。高温栅偏测试装备可实现漏电流和阈值电压的实时在线监测,最多可实现32个IGBT器件的同时测试。 4. 压接器件内部并联多芯片电流及结温测量方法及实现 高压大功率压接型IGBT器件内部芯片瞬态电流及结温测量是器件多物理量均衡调控及状态监测的基本手段,针对器件内部密闭封装以及密集分布邻近支路引起的干扰问题,提出了PCB罗氏线圈互电感的等效计算方法,实现了任意形状PCB罗氏线圈绕线结构设计,设计了针对器件电流测量的方形PCB罗氏线圈(如图5所示),实现临近芯片电流造成的测量误差小于1%;针对器件内部多芯片并联芯片结温测量,提出了压接型IGBT器件结温分布测量的时序温敏电参数法,通过各芯片栅极的时序单独控制(如图6所示),在各周期分别进行单颗IGBT芯片结温的测量,进而等效获得一个周期内各IGBT芯片的结温分布。在此基础上,完成了集成于高压大功率器件内部的多芯片并联电流测试PCB罗氏线圈以及时序温敏电参数测量驱动板的设计(如图7所示)。 5. 自主研制高压大功率电力电子器件 面向电力系统用高压大功率电力电子器件自主研制的需求,开展了芯片建模与筛选、芯片并联电流均衡调控、封装绝缘特性及电场建模以及器件多物理场调控等方面工作,相关成果支撑了国家电网公司全球能源互联网研究院有限公司3.3kV/1500A、3.3kV/3000A以及4.5kV/3000A硅基IGBT器件的自主研制,并通过柔直换流阀用器件的应用验证实验,同时也支撑了世界首个18kV 压接型SiC IGBT器件的自主研制。
华北电力大学 2021-05-10
首页 上一页 1 2
  • ...
  • 41 42 43
  • ...
  • 68 69 下一页 尾页
    热搜推荐:
    1
    云上高博会企业会员招募
    2
    64届高博会于2026年5月在南昌举办
    3
    征集科技创新成果
    中国高等教育学会版权所有
    北京市海淀区学院路35号世宁大厦二层 京ICP备20026207号-1