南京埃尔法液压系统，90%属于进口零件。 1、自诊断功能，                                                    2、故障报警显示 3、模具补偿功能，                                                4、夹钳保护功能， 5、参数编程功能，                                                6、多工件加工功能， 7、断点加工计件显示等功能，                            8、具有自动、手动操作方式， 9、单冲、步冲、连冲功能，                                10、快速定位功能， 11、具有G代码编程功能，                                   12、具有软限位保护功能， 13、具有加工图形摸拟显示加工轨迹，              14、自动优化加工路径、操作方便快捷，更加人性化， 15采用博世力士乐高频响比例伺服阀NG6，      16、可快速定位，响应频率80-100Hz，易控，易维护， 17、重复定位精度±0.01mm，                             18、管式高压过滤器， 19、集成挠度补偿功能；床身超宽导轨间距大，机床跨度大、水平性、支撑性更好，充分保证加工大板时的精度， 在高速送料情况下更平衡，毛刷辅助平台与主平台一体化设计，辅助平台可随板材一起前后运动；采用了闭式钢板焊接机身，经壁炉回火处理去除应力，稳定性好，外形设计动感美观，维修方便，镶套机构厚转塔，导向好精度高，直线导轨、滚珠丝杠－台湾上银、台湾TBI；自动集中润滑装置，减少各运动付的摩擦，提高机器使用寿命，配置标准模具24套；配置全自动浮动夹钳及毛刷结构台面，避免板材划伤。

本发明提出一种无深度反转的集成成像3D投影显示装置，该装置由投影机和微反射镜阵列组成，投影机将微图像阵列直接投影到微反射镜阵列的后方，微反射镜阵列包含的反射单元个数与微图像阵列包含的图像元个数相同，且反射单元与图像元中心对齐，微反射镜阵列的反射单元对投影机投影的光线进行反射并聚集还原，再现出无深度反转的3D图像。

本发明公开了一种铜纳米线的铜铜键合工艺。在基片表面依次 沉积粘附层和种子层；在种子层上制备一层光刻胶，并在光刻胶上制 作圆孔；在圆孔中电镀铜，得到铜凸点；利用水热法在铜凸点表面生 长 Cu(OH)2 纳米线；去除残余的光刻胶；对 Cu(OH)2 纳米线进行热分 解，得到 CuO 纳米线；对 CuO 纳米线进行还原，得到铜纳米线；利 用上述步骤分别在两个基片上制得铜纳米线，通过热压方式对这两个 基片上的铜纳米线进行键合。本发明通过还原制得铜纳米线，直接应于后续键合，避免了额外的去氧化层步骤，能在较低的

1. 高压IGBT器件封装绝缘测试系统 针对高压IGBT器件内部承受的正极性重复方波电压以及高温工况，研制了针对高压IGBT器件、芯片及封装绝缘材料绝缘特性的测试系统（如图1所示），可实现电压波形参数、温度和气压的灵活调控，用于研究电压类型（交、直流、重复方波电压）、波形参数、气体种类、气体压力等因素对绝缘特性，具备放电脉冲电流测量、局部放电测量、放电光信号测量、漏电流测量及紫外光子测量等功能（如图2所示），平台相关参数：频率：DC~20kHz，电压：0~20kV，上升沿/下降沿：150ns可调，占空比：1%~99%，温度：25℃~150℃，气压：真空~3个大气压。  2.压接型IGBT器件并联均流实验系统 针对高压大功率压接型IGBT器件内部的芯片间电流均衡问题，研制了针对压接型IGBT器件的多芯片并联均流实验系统（如图3所示），平台具有灵活调节IGBT芯片布局，栅极布线，温度和压力分布的能力，可开展芯片参数、寄生参数以及压力和温度等多物理量对压接型IGBT器件在开通/关断过程芯片-封装支路瞬态电流分布影响规律的研究，以及瞬态电流不均衡调控方法的研究；平台相关参数：电压：0~6.5kV，电流：0~3kA，温度：25℃~150℃，压力：0~50kN。   图3 压接型IGBT多芯片并联均流实验 3.高压大功率IGBT器件可靠性实验系统 随着高压大功率 IGBT 器件容量的进一步提升，对其可靠性考核装备在测量精度、测试效率等方面提出了挑战。针对柔性直流输电用高压大功率 IGBT 器件的测试需求，自主研制了 90 kW /3 000 A 功率循环测试装备和100V/200°C高温栅偏测试装备（如图4所示）。功率循环测试装备可针对柔性直流输电中压接型和焊接式两种不同封装形式的IGBT开展功率循环测试，最多可实现12个IGBT器件的同时测试。电流等级、波形参数、压力均独立可调，功率循环周期为秒级，极限测试能力可达 300 ms，最高压力达220 kN，虚拟结温测量精度达±1°C，导通压降测量精度达±2mV。高温栅偏测试装备可实现漏电流和阈值电压的实时在线监测，最多可实现32个IGBT器件的同时测试。 4. 压接器件内部并联多芯片电流及结温测量方法及实现 高压大功率压接型IGBT器件内部芯片瞬态电流及结温测量是器件多物理量均衡调控及状态监测的基本手段，针对器件内部密闭封装以及密集分布邻近支路引起的干扰问题，提出了PCB罗氏线圈互电感的等效计算方法，实现了任意形状PCB罗氏线圈绕线结构设计，设计了针对器件电流测量的方形PCB罗氏线圈（如图5所示），实现临近芯片电流造成的测量误差小于1%；针对器件内部多芯片并联芯片结温测量，提出了压接型IGBT器件结温分布测量的时序温敏电参数法，通过各芯片栅极的时序单独控制（如图6所示），在各周期分别进行单颗IGBT芯片结温的测量，进而等效获得一个周期内各IGBT芯片的结温分布。在此基础上，完成了集成于高压大功率器件内部的多芯片并联电流测试PCB罗氏线圈以及时序温敏电参数测量驱动板的设计（如图7所示）。 5. 自主研制高压大功率电力电子器件 面向电力系统用高压大功率电力电子器件自主研制的需求，开展了芯片建模与筛选、芯片并联电流均衡调控、封装绝缘特性及电场建模以及器件多物理场调控等方面工作，相关成果支撑了国家电网公司全球能源互联网研究院有限公司3.3kV/1500A、3.3kV/3000A以及4.5kV/3000A硅基IGBT器件的自主研制，并通过柔直换流阀用器件的应用验证实验，同时也支撑了世界首个18kV 压接型SiC IGBT器件的自主研制。

本发明涉及一种半导体发光与显示器件的制备方法，具体地说，是涉及一种基于紫外光激发的白光发射器件及其制备方法，属光电集成技术领域。该制备方法包括如下步骤：清洗硅片、在清洗后的硅片上制备多孔硅、在多孔硅上沉积氮化铝薄膜、用紫外光照射氮化铝薄膜，得到在可见光区发光的白光发射器件。 技术推广意向：半导体发光与显示领域技术创新：本发明具有如下的有益效果：器件结构简单，无污染，制备成本低；不需要荧光粉，发光效率高；发光性能稳定，光谱波长范围宽。

本发明公开了一种用于高可靠性WLCSP器件焊接的无铅钎料，属于金属材料类及冶金领域钎焊材料。该种无铅钎料中的纳米Al颗粒的含量为0.01~1%，纳米CeO2的含量为0.01~1%，Ag的含量为0.5~4.5%，Cu的含量为0.2~1.5%，余量为Sn。使用市售的Sn锭、Sn-Cu合金、Sn-Ag合金，按设计所需成分配比，预先熔化，然后加入纳米颗粒，采用高能超声搅拌的制造工艺冶炼无铅钎料，为防止元素的烧损在惰性气体保护气氛中冶炼、浇铸成棒材，然后通过挤压、拉拔即得到所需要的钎料丝材，也可将新钎料制备成焊膏使用。本无铅钎料对应无铅焊点的抗疲劳特性和抗跌落特性得到显著提高。