285mm×100mm×55mm，三件潜望镜组合接口。

南京埃尔法液压系统，90%属于进口零件。 1、自诊断功能，                                                    2、故障报警显示 3、模具补偿功能，                                                4、夹钳保护功能， 5、参数编程功能，                                                6、多工件加工功能， 7、断点加工计件显示等功能，                            8、具有自动、手动操作方式， 9、单冲、步冲、连冲功能，                                10、快速定位功能， 11、具有G代码编程功能，                                   12、具有软限位保护功能， 13、具有加工图形摸拟显示加工轨迹，              14、自动优化加工路径、操作方便快捷，更加人性化， 15采用博世力士乐高频响比例伺服阀NG6，      16、可快速定位，响应频率80-100Hz，易控，易维护， 17、重复定位精度±0.01mm，                             18、管式高压过滤器， 19、集成挠度补偿功能；床身超宽导轨间距大，机床跨度大、水平性、支撑性更好，充分保证加工大板时的精度， 在高速送料情况下更平衡，毛刷辅助平台与主平台一体化设计，辅助平台可随板材一起前后运动；采用了闭式钢板焊接机身，经壁炉回火处理去除应力，稳定性好，外形设计动感美观，维修方便，镶套机构厚转塔，导向好精度高，直线导轨、滚珠丝杠－台湾上银、台湾TBI；自动集中润滑装置，减少各运动付的摩擦，提高机器使用寿命，配置标准模具24套；配置全自动浮动夹钳及毛刷结构台面，避免板材划伤。

本发明公开了一种同时具有水平与俯仰多视场的全景空间三维显示装置。该装置包括高速投影机、选择性透射式定向散射屏、反射镜系统和转动装置。选择性透射式定向散射屏可控制出射光在不同方向上的发散角度，使得观察者在水平方向及垂直方向的不同位置均能看到不同视角的双目视差图像，实现三维物体在全景空间上的三维显示。本发明提出的同时具有水平与俯仰多视场的全景空间三维显示装置可显示出三维场景的360°水平周视图像，同时在俯仰方向也能提供多环带视场的图像，实现三维显示。基于本发明的三维显示系统，可以实现真实的供多人360°环绕裸眼观看且具有空间消隐功能的空间三维的完美显示。

本发明公开了一种用于旋转机械在线振动监测的趋势曲线图显示方法，包括以下步骤：1)选择数据时间段及振动指标；2)读取数据库中的基础监测数据；3)选定绘图策略：将基础监测数据按点集密度绘图或按统计策略绘图；4)分坐标系绘制趋势曲线图。本发明通过选择数据时间段及振动指标，获取基础监测数据，选定绘图策略，并按照绘图策略处理数据，将处理所得分区域绘制趋势曲线图。本发明在趋势曲线图生成过程中，增加了数据处理，包括数据筛选和运算，使趋势曲线图更加直观、明确；再显示过程中分区域显示，便于进行数据对比。

本发明公开了一种新型聚磁式盘式电机，包括定子和转子；定子包括定子铁芯和电枢绕组；转子包括三层结构，外层包括多块交替设置的外层永磁体和外层转子铁芯，中间层中对应外层转子铁芯的位置设有中间层永磁体，内层包括内层转子铁芯，外层永磁体为切向充磁，中间层永磁体为径向充磁，相邻外层永磁体充磁方向相反，相邻中间层永磁体充磁方向也相反，外层转子铁芯相邻的两块外层永磁体以及中间层永磁体的充磁方向均相对于外层转子铁芯向外或者向内，外层永磁体所占外层周长的比例为0.1～0.55。本发明有效提高了电机的空间利用率和功率密度。

复合功能脑深部刺激器及 MEMS 脑电极：本课题组针对 MEMS 脑电极及其配套脑起搏器极端制造技术中的诸多关键难题，开展了如下研究：环形脑电极的键合、封装等工艺，制造了环形脑电极样品；MEMS 硅基脑电极的结构设计及制造工艺、键合方法和封装工艺，制造了硅基脑电极样品；螺旋微导线和转接线的制造工艺，制造了样品；植入式颅内压传感器的制造和封装工艺，制造出颅内压微传感器样品；经皮无线能量传输供电的关键技术和方法，制造出稳定地无线供电装置；植入装置与体外控制装置之间的无线通讯方法研究及其实用装置；脑深部神经核团信号采集方法研究及其实用装置；植入式脑起搏器的封装工艺和方法。

1. 高压IGBT器件封装绝缘测试系统 针对高压IGBT器件内部承受的正极性重复方波电压以及高温工况，研制了针对高压IGBT器件、芯片及封装绝缘材料绝缘特性的测试系统（如图1所示），可实现电压波形参数、温度和气压的灵活调控，用于研究电压类型（交、直流、重复方波电压）、波形参数、气体种类、气体压力等因素对绝缘特性，具备放电脉冲电流测量、局部放电测量、放电光信号测量、漏电流测量及紫外光子测量等功能（如图2所示），平台相关参数：频率：DC~20kHz，电压：0~20kV，上升沿/下降沿：150ns可调，占空比：1%~99%，温度：25℃~150℃，气压：真空~3个大气压。  2.压接型IGBT器件并联均流实验系统 针对高压大功率压接型IGBT器件内部的芯片间电流均衡问题，研制了针对压接型IGBT器件的多芯片并联均流实验系统（如图3所示），平台具有灵活调节IGBT芯片布局，栅极布线，温度和压力分布的能力，可开展芯片参数、寄生参数以及压力和温度等多物理量对压接型IGBT器件在开通/关断过程芯片-封装支路瞬态电流分布影响规律的研究，以及瞬态电流不均衡调控方法的研究；平台相关参数：电压：0~6.5kV，电流：0~3kA，温度：25℃~150℃，压力：0~50kN。   图3 压接型IGBT多芯片并联均流实验 3.高压大功率IGBT器件可靠性实验系统 随着高压大功率 IGBT 器件容量的进一步提升，对其可靠性考核装备在测量精度、测试效率等方面提出了挑战。针对柔性直流输电用高压大功率 IGBT 器件的测试需求，自主研制了 90 kW /3 000 A 功率循环测试装备和100V/200°C高温栅偏测试装备（如图4所示）。功率循环测试装备可针对柔性直流输电中压接型和焊接式两种不同封装形式的IGBT开展功率循环测试，最多可实现12个IGBT器件的同时测试。电流等级、波形参数、压力均独立可调，功率循环周期为秒级，极限测试能力可达 300 ms，最高压力达220 kN，虚拟结温测量精度达±1°C，导通压降测量精度达±2mV。高温栅偏测试装备可实现漏电流和阈值电压的实时在线监测，最多可实现32个IGBT器件的同时测试。 4. 压接器件内部并联多芯片电流及结温测量方法及实现 高压大功率压接型IGBT器件内部芯片瞬态电流及结温测量是器件多物理量均衡调控及状态监测的基本手段，针对器件内部密闭封装以及密集分布邻近支路引起的干扰问题，提出了PCB罗氏线圈互电感的等效计算方法，实现了任意形状PCB罗氏线圈绕线结构设计，设计了针对器件电流测量的方形PCB罗氏线圈（如图5所示），实现临近芯片电流造成的测量误差小于1%；针对器件内部多芯片并联芯片结温测量，提出了压接型IGBT器件结温分布测量的时序温敏电参数法，通过各芯片栅极的时序单独控制（如图6所示），在各周期分别进行单颗IGBT芯片结温的测量，进而等效获得一个周期内各IGBT芯片的结温分布。在此基础上，完成了集成于高压大功率器件内部的多芯片并联电流测试PCB罗氏线圈以及时序温敏电参数测量驱动板的设计（如图7所示）。 5. 自主研制高压大功率电力电子器件 面向电力系统用高压大功率电力电子器件自主研制的需求，开展了芯片建模与筛选、芯片并联电流均衡调控、封装绝缘特性及电场建模以及器件多物理场调控等方面工作，相关成果支撑了国家电网公司全球能源互联网研究院有限公司3.3kV/1500A、3.3kV/3000A以及4.5kV/3000A硅基IGBT器件的自主研制，并通过柔直换流阀用器件的应用验证实验，同时也支撑了世界首个18kV 压接型SiC IGBT器件的自主研制。

本发明涉及一种半导体发光与显示器件的制备方法，具体地说，是涉及一种基于紫外光激发的白光发射器件及其制备方法，属光电集成技术领域。该制备方法包括如下步骤：清洗硅片、在清洗后的硅片上制备多孔硅、在多孔硅上沉积氮化铝薄膜、用紫外光照射氮化铝薄膜，得到在可见光区发光的白光发射器件。 技术推广意向：半导体发光与显示领域技术创新：本发明具有如下的有益效果：器件结构简单，无污染，制备成本低；不需要荧光粉，发光效率高；发光性能稳定，光谱波长范围宽。