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02002打孔器
宁波浪力仪器有限公司(余姚市朗海科教仪器厂) 2021-08-23
防尘盖五孔插座
防尘盖五孔插座,实验室专用!! 备注:以上是防尘盖五孔插座的详细信息,如果您对防尘盖五孔插座的价格、型号、图片有什么疑问,请联系我们获取防尘盖五孔插座的最新信息。 咨询电话:0577-67473999
温州市育人教仪制造有限公司 2021-08-23
碳化硅紫外光电探测器
现今,高响应度光电倍增管(PMT)为最广泛应用于微弱紫外信号的探测器,然而由于其体积大、易损坏、需要高精度高压电源、无法实现阵列探测和价格高等因素的制约,研制碳化硅紫外雪崩光电探测器取代光电倍增管已经成为近年来国际上光电探测领域的研究热点。与光电倍增管相比,碳化硅紫外光电探测器具有体积小、可制作焦平面阵列探测、结构简单、可在室温下工作、成本低等优点。随着碳化硅材料和其器件制备技术的不断发展,其紫外光电探测器性能指标有望达到甚至超过光电倍增管。本研究小组已就肖特基势
厦门大学 2021-01-12
氮化硅超细粉流态化制备技术
氮化硅陶瓷是一种耐高温耐磨材料,广泛用于冶金、化工、能源等领域,氮化硅粉是制备氮化硅的原材料。实验室提出了一种流态化直接氮化制备超细粉方法,可低成本生产晶相和非晶相氮化硅粉。
北京科技大学 2021-04-13
一种孔形自适应的内孔圆柱度气动复合检测装置
本实用新型公开了一种孔形自适应的内孔圆柱度气动复合检测装置。包括气动测量组件及其配套的校准规,气动测量头上开有四组锥度气动喷嘴和四个直线度气动喷嘴。本实用新型公开的复合式气动检测装置,可用于有效判别各种内孔孔形,适用工况范围广,可实现工件的现场检测,大幅度提高测量效率。
浙江大学 2021-04-13
利用新型介孔二氧化钛晶体的钌原子单分散以及电化学高效析氢
一种独特的仿生矿化刻蚀法,合成钌原子单分散的介孔单晶TiO 2 ,析氢性能极其优异。高分辨透射电子显微镜与元素面扫描测试结果表明,单个钌原子的均匀分散在具有介孔结构的TiO 2 晶体中。结合X射线光电子能谱与电子顺磁共振测试结果,首次证实,钌表现出异常的+5高价态而非+4价,而晶格中的部分钛原子接收来自钌的电子形成Ti 3+ 。在0.1 M KOH电解液中,Ru-TiO 2 的起始过电势仅为82 mV,通过铝还原调节样品的电子结构,其析氢性能得到了进一步的加强,起始过电势降低至45 mV,10 mA/cm 2 的电流密度下过电势仅为150 mV。通过第一性原理的密度泛函计算证明,Ru 5+ 与Ti 3+ 协同作用降低了氢吸附能,使得其与氢吸附火山顶更为接近,从而获得优异的电化学析氢性能。
北京大学 2021-04-11
防火电缆专用陶瓷化硅橡胶材料
近些年来,国内几家大型公共娱乐场所、化工、煤矿、商厦火灾造成的惨重的人民生命和 财产的重大损失,人们对消防、防火安全有了更加深刻的认识。如何在火灾的情况下,在一定 时间内保障电力和通讯的畅通,从而最大限度的赢得宝贵的时间,减少人员的伤亡和降低生命 财产的损失,是人们一直在不断探索的课题。目前,国内外在电线电缆方面采用的大多是氧化 镁矿物防火绝缘电缆和云母带缠绕的耐火电缆,成本很高,在实际应用方面受到一定程度的限 制,再加上铜护套氧化镁矿物防火绝缘电缆的在生产加工、运输、线路的敷设安装和使用等过 程中的特殊要求,及自身固有的缺陷很难大规模的使用。 国外研发了一种陶瓷化高分子复合耐火硅橡胶,可以在500℃以上的高温和火焰烧蚀下, 烧结成坚硬的陶瓷状物体,而且烧蚀时间越长、温度越高,陶瓷化效果越明显,陶瓷化高分子 复合耐火硅橡胶可以使用常规的橡胶加工设备进行生产,具有良好的加工性。这种陶瓷化高分 子复合耐火硅橡胶,从严格的意义上讲,既不是阻燃胶,也不是难燃胶。陶瓷化高分子复合耐 火硅橡胶,在被火焰烧蚀的情况下,有机成分在很短的时间内经过烧蚀后很快加入陶瓷化的反 应过程中,转化成坚硬的陶瓷状物质,形成一层良好的隔绝层,阻挡火焰的继续燃烧,起到很 好的防火效果。陶瓷化高分子复合耐火硅橡胶,在常温下无毒、无味,具有很好的柔软性和弹 性,具备了硅橡胶的特质,是一种完全具备了消防、防火要求的新型高分子复合防火材料,由 于用它生产的防火电线电缆加工工艺简单、价格低、不需要增加投入,是一种应用前景很广的 新型高分子复合防火材料。
华东理工大学 2021-04-11
通讯波段碳化硅色心的室温自旋操控
郭光灿院士团队的李传锋、许金时、王俊峰等人与其合作者在国际上首次实现了碳化硅中氮-空位(NV)色心的室温相干操纵,并且实现了单个NV色心的可控制备和光探测磁共振谱的探测。这种色心的发光波长在通讯波段,在量子通信和量子网络中具有重要用途,基于这种色心自旋的量子器件十分适合光电集成以及产业化。该成果于2
中国科学技术大学 2021-01-12
碳化硅材料外延关键技术研究
小试阶段/n本项目研究的碳化硅外延技术有其特殊性,不同于一般的半导体外延技术, SiC 外延生长技术在生长温度、生长速率、缺陷和均匀性控制的具体指标要求以及实现 途径上都突出了电力系统应用的特点。目前,国际上已经形成了从碳化硅衬底材料、 外延材料到器件制备的一整套产业体系。高质量 SiC 外延材料是 SiC 功率器件的基 础材料,目前的国内外电力电子器件需要的碳化硅外延材料的发展趋势都是向大直 径、低缺陷、高度均匀性等方向发展。 目前,几乎所有的碳化硅器件都是在碳化硅外延层上制备的。高质量的碳化硅
中国科学院大学 2021-01-12
一种氮化硅微米管制造方法
本发明公开了一种氮化硅微米管的制备方法,该方法将去除保 护层的光纤表面涂覆一层均匀的石墨粉后在 300~600℃的温度区间内 热解,使光纤表面形成均匀厚度的碳膜;再将光纤在氮气条件下以 1100~1600℃的温度区间高温加热,使碳膜与光纤表面的二氧化硅产 生反应生成硅,然后硅与氮气发生反应在光纤表面形成氮化硅薄膜将形成氮化硅薄膜的光纤刻蚀掉,形成中空的氮化硅微米管。该氮化 硅微米管与炭黑进行混合,使氮化硅微米管增强导电性,然后在其中 加入热熔型粘结剂形成混合物,再均匀涂在洗净的铜箔表面,可得到 氮化
华中科技大学 2021-04-14
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