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光收发芯片
光收发芯片是光收发模块中的集成电路,并不包括激光芯片,是指光纤宽带网络物理层的主要基础芯片,包括跨阻放大器、限幅放大器、激光驱动器三种。它们被用于光纤传输的前端,来实现高速传输信号的光电、电光转换,这些功能被集成在光纤收发模块中。
东南大学 2021-04-11
芯片研发技术
围绕自主通用处理器,研发操作系统及其之上的核心 API 软件,支撑国家信息化建设,并致力于构建区别于 Wintel 和 AA 之外的世界第三套信息化生态体系 。
中国科学技术大学 2021-04-14
SFP+芯片
产品详细介绍   概述:   1.0625Gbps至4.25Gbps单芯片集成的低功耗SFP+多速率限幅   放大器和VCSEL驱动器高速光收发芯片(EP110)   EP110为高度集成的限幅放大器和VCSEL驱动器,设计用于数据传输速率高达8.5Gbps的1x/2x/4x/8x光纤通道传输系统以及10.3125Gbps数据传输速率的10GBASE-SR传输系统。器件采用+3.3V单电源供电,这款低功耗、集成限幅放大器、VCSEL驱动器和微控制器三合一的高集成单芯片。平均光功率由平均功率控制环路(APC)控制,该控制环路通过连接至VCSEL驱动器的3线数字接口控制、所有差分I/O为50欧姆传输线PCB设计提供最佳的背板短接。EP110集成一个微处理器,可以实现SFF8472协议的数字监控接口要求,可通过固件实现高级Rx设置(模式选择、LOS门限、LOS极性、CML输出电平、信号通道极性)和Tx设置(调制电流、偏置电流、极性、眼图交叉点调制),无需外部微处理器和外部元件。   EP110采用无铅、5mm*5mm、40引脚QFN封装。   1.0625Gbps至10.32Gbps单芯片集成的低功耗SFP+多速率限幅   放大器和VCSEL驱动器高速光收发芯片(EP112)   EP112为高度集成的限幅放大器和VCSEL驱动器,设计用于数据传输速率高达8.5Gbps的1x/2x/4x/8x光纤通道传输系统以及10.3125Gbps数据传输速率的10GBASE-SR传输系统。器件采用+3.3V单电源供电,这款低功耗、集成限幅放大器、VCSEL驱动器和微控制器三合一的高集成单芯片。平均光功率由平均功率控制环路(APC)控制,该控制环路通过连接至VCSEL驱动器的3线数字接口控制、所有差分I/O为50欧姆传输线PCB设计提供最佳的背板短接。EP112集成一个微处理器,可以实现SFF8472协议的数字监控接口要求,可通过固件实现高级Rx设置(模式选择、LOS门限、LOS极性、CML输出电平、信号通道极性)和Tx设置(调制电流、偏置电流、极性、眼图交叉点调制),无需外部微处理器和外部元件。   EP112采用无铅、5mm*5mm、40引脚QFN封装。   1.0625Gbps至14Gbps单芯片集成的低功耗SFP+多速率限幅   放大器和VCSEL驱动器高速光收发芯片(EP116)   EP116是一款低功耗、集成限幅放大器、VCSEL驱动器和微控制器三合一的16G SFP+高集成高速光收发芯片,工作在高达14Gbps的数据速率、非常适合以太网和光纤通道应用。在EP116的发射和接收路径上集成了CDR功能,解决了大多数高速系统存在的信号失真问题。平均光功率由平均功率控制环路(APC)控制,该控制环路通过连接至VCSEL驱动器的3线数字接口控制、所有差分I/O为50欧姆传输线PCB设计提供最佳的背板短接。EP116集成一个微处理器,可以实现SFF8472协议的数字监控接口要求,可通过固件实现高级Rx设置(模式选择、LOS门限、LOS极性、CML输出电平、信号通道极性、去加重)和Tx设置(调制电流、偏置电流、极性、可编程去加重、眼图交叉点调制),无需外部微处理器和外部元件。   EP116采用无铅、6mm*6mm、48引脚QFN封装。   特点:   3.3供电时,功耗仅为500mW   工作速率高达10.32Gbps   10.32Gbps下,具有5mVp-p接收灵敏度   Rx和Tx极性选择   可调节触发LOS报警电平   LOS极性选择   能够向100欧姆差分负载提供高达12mA的调制电流   偏置电流高达19mA   Rx输出可选择去加重   支持SPI EEPROM和IIC EEPROM   可调节调制输出的眼图交叉点   工作温度: -40度 到 90度
武汉芯光云信息技术有限责任公司 2021-08-23
超低功耗、高可靠和强实时微控制器芯片
本项目重点研究面向物联网极低功耗微控制器关键技术,包括宽电压标准单元和片上存储器设计技术、工艺-电压-温度(PVT)偏差检测技术与自适应动态电压和频率调节技术、快速响应的宽负载高效率电源转换技术、低功耗高精度模数转换电路设计技术、极低功耗快速启动晶体振荡器技术;面向工业控制微控制器关键技术,包括高可靠处理器架构、低延时访问存储策略、纳秒级中断响应处理技术、容错型自纠错SRAM 设计技术、高精度时钟基准电路设计技术。
东南大学 2021-04-11
一种RFID读写器芯片中测系统及方法
本技术成果涉及集成电路测试技术领 域,公开了一种RFID读写器芯片中测系 统及方法
中山大学 2021-04-10
万兆网络多核处理器 SOC 芯片产业化
本项目是用 28 纳米 FPGA 器件实现了一枚《万兆网络多核处理器》SOC 芯 片。该芯片目标客户是路由器、交换机、防火墙网络设备整机厂商和网络技术 科研、监管机构。该芯片用于拓展网络带宽到 10Gbps,支持 Open Flow 协议, 兼容 IPV4/IPV6 协议,是 SDN 控制器的基础载体,NFV 的运行平台。该芯片是 互联网产业的核心器件、重要的战略物资,国内空白,国家急需。该项目的产 业化包含 SOC 芯片推广,FPGA→ASIC 转化、网络设备整机生产 3 部分。适合 创办的企业为 Fabless 模式集成电路芯片设计为主和网络装备整机生产为辅的电 43 子信息类股份制高科技企业。
山东大学 2021-04-13
电生理信号传感器芯片及专用集成电路
已有样品/n针对各种生物医用仪器对心电、脑电、肌电、神经电等电生理信号采集与分析的需求,研制出了一系列专用集成电路芯片。其中包括:1、一款适合大多数生理信号的通用前端集成电路,完成从电生理传感器输出市场预期:市场需求量:芯片300万颗/年,传感器3000万-5000万颗/年;可应用系统:小型化便携式电生理检测设备、移动健康产品、穿戴式健康产品。的原始信号到CMOS或TTL等标准数字电平信号之间的转换,这款前端电路的功能包括跟随、前放、A/D、滤波等基本功能。2、多款专用的信号处理后端集
中国科学院大学 2021-01-12
大功率半导体激光器外延与芯片制备
成果简介本项目在国家973计划、863计划等研究成果基础上,跟踪国际趋势,形成9**nm 大功率单发光条半导体激光器,输出功率大于12W,寿命1万小时。主要优势:(1 )填补国内空白。(2 )易于光纤耦合。(3 )多种波长可选。应用简介所处研发阶段:中试阶段适合应用领域:直接光加工、
北京工业大学 2021-04-14
一种磁光电混合存储系统及其数据获取和存储方法
本发明公开了一种磁光电混合存储系统,该系统包括内存、固 态盘存储区、磁盘存储区和光盘存储区。上述三个存储区区域在逻辑 上构成统一的存储空间,维护一个全局文件地址映射表,使得用户或 者外部程序能够以统一一致性的方式进行数据寻址和存取。当存储数 据时,该系统存储管理区根据数据的存取行为,自动在上述三个存储 区选择合适的物理存储位置和数据组织方式。当存取模式发生变化时, 存储管理区动态地选择合适的物理存储位置和数据组织方式
华中科技大学 2021-04-14
安全云存储及共享系统
本项目针对用户对隐私和数据安全存储和共享的需求,重点研究用户独有密钥的密钥生成和密钥分级管理机制和数据安全存储和共享方法,开发推出一款安全云存储及共享系统(SecCloud)。该系统拥有用户自己产生和独有密钥、密钥分级管理、数据密态存储和共享、无需安装插件、支持多平台等5大功能,即可作为公有云为人们提供安全存储及共享服务,也可作为私有云为各大企业、军工、政府部门提供整套解决方案。并且本项目将在SecCloud基础上开发SecCloud国密版、公共云存储服务的加密接口API、SecCloud属性加密
西安电子科技大学 2021-04-14
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