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高效、节能、低碳内燃机余热能梯级利用基础研究
从内燃机能量平衡来看，动力输出功率一般只占燃油燃烧总热量的30%~45%（柴油机）或20%~30%（汽油机），除了不到10%用于克服摩擦等功率损失之外，其余的余热能没有得到利用，主要通过冷却回路的散热以及排气被排放到大气中。因此，将内燃机的余热能回收再利用是提高总能效率、降低油耗的一个有效途径。本项目从提高内燃机总能效率，降低油耗和CO2排放的目的出发，开展内燃机余热能梯级利用的研究，探索新理论和新方法。重点解决：①内燃机联合热力循环非稳态热能流转化规律和效率协同优化；②内燃
天津大学
2021-04-14
（2S,3S,4R,9E）-2-[(2、-R)- 2-羟基-二十九碳酰胺]-十八碳-1，3，4-三醇
本发明公开了一种源于东洋参的新化合物(2S,3S,4R,9E) 2 [(2′R) 2′ 羟基 二十九碳酰胺] 十八碳 1,3,4 三醇，其结构式为该化合物对胆固醇酰基转移酶具有选择性抑制的作用，能够有效用于预防和治疗血脂、动脉粥样硬化、冠心病等疾病，具有良好的研究开发和应用前景；该化合物的制备方法步骤少及操作简便，得到的化合物天然无毒性。
青岛大学
2021-04-13
科技部、北京市共同召开北京国际科技创新中心建设现场推进会
4月16日上午，部市共建北京国际科技创新中心现场推进会召开。北京市委书记蔡奇主持，科技部党组书记、部长王志刚出席并讲话。科技部、北京市、教育部、工业和信息化部、财政部、人力资源和社会保障部、国务院国资委、中国科学院、中国工程院、国家自然科学基金委等中央有关部门负责同志参加。
科技部战略规划司
2022-04-18
空间中心发现明安图射电频谱日像仪图像位置校准新方法
中国科学院国家空间中心明安图野外科学观测研究站研究员颜毅华带领的研究团队，探索出一种新的可用于明安图射电频谱日像（MUSER）图像位置校准的方法。近日，相关研究成果发表在Research in Astronomy and Astrophysics上。
国家空间科学中心
2022-10-26
脑智卓越中心发现注意力对大脑前额叶价值编码的调控机制
研究采用清醒猕猴电生理记录的手段，揭示了眶额叶脑区的价值编码主要受到自下而上的奖赏显著性的影响，而不受自上而下注意力的调控，为科学家理解价值抉择的神经机制提供了帮助。
脑科学与智能技术卓越创新中心
2022-10-26
动态云服务请求下数据中心多能源的在线控制方法和系统
本发明公开了一种动态云服务请求下数据中心多能源的在线控 制系统，包括系统状态监控模块、负载调度模块和多源供能系统管理 模块，负载调度模块包括延时敏感型请求调度子模块和延时容忍型作 业调度子模块，系统状态监控模块用于每隔一段时间接收来自用户的 云服务请求，判断云服务请求是延时敏感型请求还是延时容忍型作业， 并在云服务请求是延时敏感型请求时将该云服务请求发送到负载调度 模块的延时敏感型请求调度子模块，在云服务请求是延时容忍型作业 时将该云服务请求发送到负载调度模块的延时容忍型作业调度子模 块。本发明能够优化数据中心供能系统的长期运营开销，并且不需要 提前获取任何系统数据或者假设任何的稳态分布。 完成人：金海、刘方明、邓维
华中科技大学
2021-04-11
一种云服务分布式数据中心系统及其负载调度方法
本发明公开了一种云服务分布式数据中心系统，包括系统状态 监控模块、负载接纳控制模块、负载路由分发模块、负载调度模块和 多源供能管理模块，系统状态监控模块用于获取来自不同用户的云服 务请求，记录云服务请求与云服务请求相关的信息，并将云服务请求 传送到负载接纳控制模块，负载接纳控制模块用于根据接收到的云服 务请求的数量选择部分云服务请求，并将这些云服务请求发送到负载 路由分发模块，负载路由分发模块用于将接收到的云服务请求分发到 对应的数据中心进行处理。本发明能够解决现有系统中存在的数据中 心供能系统的长期运营开销大，新能源供应不稳定、电价波动、需要 提前获取系统数据或者稳态分布的问题。
华中科技大学
2021-04-11
【教育现代化成果推介】人大实现以学生为中心的智慧教学改革
守正创新·教育现代化成果展
中国高等教育学会
2022-09-20
一种基于计算相关度的多数据中心数据布局优化方法
一种基于计算相关度的多数据中心数据布局优化方法，根据执行计算处理数据集的情况，生成计算 集和数据集集合的访问关联矩阵，计算出任意两个数据集之间的计算相关度，生成对应的计算相关度矩 阵;计算每个数据中心的基本容量，定义布局关联矩阵，根据计算相关度部署数据集。本发明通过构建 访问关联矩阵和布局矩阵，给出计算相关度的具体数学表示，根据建立的计算相关度矩阵，以低复杂度 的方法实现数据布局，并将新数据和中间数据动态部署至合适的数据中心，可以有效减少跨数据中心数 据调度，提高系统的访问性能。
武汉大学
2021-04-13
先导中心8 寸平台上制造绝缘体上张应变锗（TSGOI）晶圆
已有样品/n实现了工艺过程中对Ge的诱导应变微调，使Ge的带隙改变为0.7eV。以此类Ge衬底制备的PMOS器件实现了506cm2V-1s-1的高空穴迁移率。
中国科学院大学
2021-01-12