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两级式无变压器光伏并网发电逆变器
该成果采用两级式电路，两级式光伏并网逆变器一般是在逆变器前级加入一个 DC/DC变换器。前级 DC/DC 变换器主要完成最大功率点跟踪功能，通过控制太阳能电池板的输出电压 UPV 跟踪基准 Umppt，进而实现太阳能电池板最大功率输出， PI 调节器的输出与载波比较生成 PWM 信号控制 DC/DC 变换器的开关管。后级 DC/AC 环节主要实现并网功能和稳定直流母线电压功能。成果中两级式拓扑结构是由前级一个 Boost 变换器和后级一个全桥逆变器构成。
扬州大学
2021-04-14
反射式空间光调制器FSLM-2K39-A02
西安中科微星光电科技有限公司
2022-06-27
烫光机托布带、烫光机毛毯带
托布带：克重4600g/㎡，厚度10mm
吸油毡：厚度10~20mm
适用于：人造毛皮行业，毛纺行业，烫光机、烫剪机以及各类进口、国产机械以上产品规格根据客户需求均可定制。
上海芸英工业皮带有限公司
2025-01-09
一种宽量程高精度集成双膜电容式压力传感器及制作方法
本发明涉及压力传感器技术领域，特指一种宽量程高精度集成双膜电容式压力传感器及制作方法，包括玻璃衬底，玻璃衬底上设有浅槽一与浅槽二，浅槽一与浅槽二通过细槽连通，浅槽二中心位置设有浅槽通孔，浅槽通孔从浅槽二底面延至玻璃衬底底面，浅槽一上设有可测量低压差的电容Ｃ１，浅槽二上设有可测量高压差的电容Ｃ２，可测量低压差的电容Ｃ１包括底电极板与薄压力敏感膜，可测量高压差的电容Ｃ２包括厚压力敏感膜与顶电极板，浅槽通孔通过细槽与可测量低压差的电容Ｃ１对应设置，浅槽通孔通过浅槽二与可测量高压差的电容Ｃ２对应设置。本发明通过可测量低压差的电容Ｃ１与可测量高压差的电容Ｃ２分别实现了压力在低压段与高压段的高精度测量。
东南大学
2021-04-11
一种基于 USB3.0 的电离层探测系统控制器
本实用新型涉及电子通信领域，具体涉及一种基于 USB3.0 的电离层探测系统控制器，包括 A/D 采 集，恒温晶体振荡器；包括依次连接的 USB3.0 通讯接口、FPGA 模块，与所述 FPGA 模块连接的 SPI 总线、I/O 控制线，与所述 SPI 总线连接的本振 DDS 与发射通道 DDS、频率调节器，以及与所述 I/O 控 制线连接的开关阵列；所述 FPGA 模块连接所述 A/D 采集；所述频率调节器连接所述恒温晶体振荡器； 所述 USB3.0 通讯接口连接所述上位机。该控制器用于电离层探测系统其数据传输速率快，实时性好， 传输稳定，指令与回波数据传输互不干涉，支持热插拔即插即用。
武汉大学
2021-04-13
一种可调的自动对中宽板夹具
本发明公开了一种可调的自动对中宽板夹具，包括夹具体，所述夹具体的凹槽内固定有转盘，所述的转盘中央设有导轨，所述的导轨关于转盘的中心呈对称分布，导轨上设有对称分布的第一滑块与第二滑块，所述的第一滑块与第二滑块分别与第一夹板及第二夹板固定连接，所述第一夹板与第二夹板的端面均设有若干用于固定试验件的螺纹孔。本发明的夹具制造成本低、结构紧凑、操作便捷，对厚度在一定范围内的宽板可自动适应，并且定位夹紧后，该宽板即为自动对中夹持，对以宽板为研究对象且需要夹持的测试或试验而言，提高了试验精度和效率。
东南大学
2021-04-11
近阈值到宽电压集成电路设计技术
1.本成果突破了1项关键技术（近阈值集成电路设计技术体系）、2项关键指标领先（工作电压最低、处理能效最高）、实现了3类应用（近阈值单元库、低功耗芯片、定制流程），解决了我国物联网芯片，低功耗近阈值设计关键技术不再受制于人。 2.近阈值技术已经应用于国内多家集成电路企业，新增产值6.3亿元，新增利润1.7亿元。标准单元库电源电压从1.1V降低到0.6V，读写能耗降低了80%。大幅度提成了国产工艺在物联网芯片方面的竞争力。 3.该成果在保证良率的前提下，降低电源电压至阈值电压附近。在国内首次系统性研究低电压（近阈值）集成电路设计方法，突破了低电压片上静态存储器、同步电路的弹性设计方法、模拟/射频低功耗主从结构等三项关键技术，研制的40nm 0.6V低电压标准单元和存储器获得中芯国际的任何，研制的0.6V 6mW低电压导航芯片获得国内领先移动互联芯片设计企业-珠海全志的认可。 4.本成果应用效果显著：1）江苏东大集成电路系统工程技术有限公司整体应用本项目技术，以低功耗核心技术提升物联网终端产品竞争力，研制并规模量产65nm低功耗系统芯片，开发工业级物联网终端产品竞争力，研制并且规模量产65nm低功耗系统芯片，开发工业级物联网移动终端7系列共474580台，近两年新增销售额45976万元，新增利润13793元，在国内物流快递领域应用于顺丰等行业领军企业，取代国外竞争对手优势地位。2)深圳市国微电子采用本项目技术，研发国内最大容量低功耗军用存储芯片，近两年新增销售额5000万元。
东南大学
2021-04-13
宽禁带半导体 ZnO 和 AlN 单晶生长技术
中试阶段/n作为第三代半导体的核心基础材料之一的 ZnO 晶体既是一种宽禁带半导体，又 是一种具有优异光电性能和压电性能的多功能晶体。中国科学院半导体研究所的科 研人员研究掌握了一种生长高质量、大尺寸 ZnO 单晶材料的新型技术方法-化学气 相传输法（CVT 法）。III 族氮化物 GaN、AlN 及其三元组合化合物是制造波长为 190nm-350nm 的发光器件和新型大功率电子器件的基础材料。AlN 具有高热导率 （3.4W/cmK），与高 Al 组份的 AlGaN 材料和 GaN 材料晶格匹配等
中国科学院大学
2021-01-12
幅值、频率、脉宽可调的全固态脉冲电源
围绕功率半导体技术的发展，以体积小、重频高、易触发、可控性强、寿命 长、可靠性高等优点，逐渐取代气体开关而成为了脉冲功率源中的主导开关，脉 冲功率发生器全固态化也成为脉冲功率技术的研究热点和发展趋势。由于高功率 快脉冲源高幅值、快速上升沿下降沿，其在工业应用、环保和医疗领域中的应用 也越来越广泛。基于半导体开关的全固态脉冲电压倍增技术，及其多种拓扑的实 现方案，可以轻松实现单极性和双极性的方波高压脉冲;同时，利用半导体开关的移相控制技术和截尾技术，可实现快速下降沿和脉宽可调节的方波脉冲。
上海理工大学
2021-01-12
工厂普及型低价激光测径测宽仪
成果与项目的背景及主要用途：
工厂普及型通用激光非接触测径仪适于在生产现场的计量室或车间检测工位使用，本身是独立的仪器，适于测量轴类部件、宽度工件和线缆类产品，对材料不敏感，只要是不透明的工件均可以测量。具有集成显示及键盘控制，测速超过每秒 300 次，具有现场标定功能，可以设定被测标准值、上下报警偏差值。具有 RS232/485 接口，可以与上位机或 SPC 系统通信，集成网络数据收集功能。
技术原理与工艺流程简介：采用半导体激光器、扩速准直光路、CCD 光电传感器和单片机技术相结合.
特点及性能参数：
技术水平及专利与获奖情况：处于国内同类型先进技术水平，具有巨大的成本优势，具有很强的市场竞争力。已经申请适用新型专利。
应用前景分析及效益预测：在机械加工业、线缆业等需对产品尺寸进行可靠、高效率控制的行业中广泛的使用，可以完全替代如卡尺等传统量具，避免人为误差等因素对产品质量的影响。目前该技术的成熟程度达到可工业化批量生产，因为属于工厂低价型激光测量设备，具有巨大的市场需求。如初期月产 20～40 台，生产成本 0.8 万/台，市场售价 1.8 万/台，年销平均 200 台，产值 360 万，利润近 200 万。
应用领域：可广泛应用于机械制造业，特别适合机械加工中的质量控制，也适用于线缆等线材工业生产中在线测量和监控产品外形尺寸及其变化。技术转化条件（包括：原料、设备、厂房面积的要求及投资规模）：
所需原材料：
均为市场上可采购原材料，无特殊要求，例如：电子元器件、光学部件等；设备及环境要求：AC220V 电源、普通示波器及电压表；所需厂房面积：普通厂房 100 平方米；
人员要求：具有电子工厂工作经历的工人及若干光、机、电专业人员；
初期投资规模：除以上条件外需流动资金 50～80 万。
合作方式及条件：技术转让，转让费：人民币 50～70 万元。
天津大学
2021-04-11