产品详细介绍北京华科天成科技有限公司是国内光谱类分析仪器的专业制造厂家，公司是集研发、生产、销售、技术服务为一体的高科技企业。拥有雄厚的技术力量，精良的检测手段，先进的生产工艺，完善的质保体系。由我公司研发制造的PRIDE100型及HK-9600型电感耦合等离子体原子发射光谱仪（ICP-AES/ICP-OES），具有高精密度，高灵敏度，稳定性高等优势。采取全自动控制。已被国内多家质量技术监督局及高等院校实验室采购作为检测仪器。PRIDE100型及HK-9600型ICP光谱仪，被广泛应用于稀土分析、贵金属分析、环境保护、水质检测、新材料检测、有色金属、钕铁硼合金等行业。深受用户的好评。为了更好的满足客户需求，我公司陆续研发了HK-7500型光电全谱直读光谱仪，以及HK-3000SFG型原子吸收分光光度计等系列产品，均引进国内外先进技术。以精良的制造工艺，完善的售后服务为客户提供优质的实验室检测仪器。    我公司始终坚持“工于精，诚于心，迅于行”的企业理念，以技术为先导，以创新为核心，为企业用户和各科研单位提供优质的产品和服务。

产品详细介绍主要技术指标 1.光路程式： 不对称Czerney--Turner装架，平面闪耀光栅（1200g/mm）多色仪 2.准直物镜和成像物镜的焦距：200mm 3.光谱范围：200—700nm 4.进口狭缝宽度：0.15—2.5mm，分档可调换 5.成像光谱平面配接CCD的接口尺寸：φ=50mm 6.工作方式：单波段、二波段或多波段 注：  可根据用户对光谱带宽的要求和所选的CCD而设计制作  E-mail： zhu123@suda.edu.cn  电话：13862069677 技术负责人：朱先生

功能特性 HY-60系列是一种适用于野外作业、具备自动摆扫/自动推扫功能的光谱成像系统。 支持可见近红外（400-1000nm)或近红外(900-1700nm)高光谱相机； 内置推扫型号可实现自动对焦， 自动完成推扫成像，扫描范围>60°； 外摆扫型号可实现360度全景扫描，配合大仰角调节模块，覆盖超大扫描范围；支持ROI区域框选自动扫描； 积分时间和帧频可调，扫描速度自动匹配； 便携式三脚架，快速架设，易于携带；  应用领域 农业林业：病虫害监测，旱情预估，树种识别，草原长势 生态环境：水体监测，大气环境监测，土壤营养测定 考古文物：遗址确定，壁画，国画，材质鉴别，颜料分辨 地质勘探：探油，探矿，矿物填图 

功能特性  高质量成像光谱数据 适用于实验室环境，具备良好光源条件，辐射校正准确度高，并集成调焦功能的推扫式高光谱成像系统； 检测范围不低于220mm×300mm×100mm（样品高度）  全谱段光源 光源通常为碘钨灯，谱段范围为200-2500nm，可具有不同的形式：带反射片的灯管、线性聚焦光源、穹顶光源等。  专利高光谱数据时空校正 时间反射率及空间反射率双重校准，数据精度高。   应用领域 真伪鉴定：文物鉴定、艺术品鉴定等; 物质研究：烟草、药品、食品、矿石等; 刑侦文检：文件修改涂抹、笔迹鉴定等。 

非线性光学开关材料是非线性光学材料的一个重要分支，指的是在某种外界条件（如：光、热、化学环境变化等）变化下，能够在非线性光学 “开”、“关”两种状态间切换的物质。先前的大多数研究主要集中于液态材料，但其易失谐以及不稳定等特点，使得液态开关材料难以获得实际应用。而固态非线性开关材料具备非线性性质优良、性能稳定、易于调控等优势；但是目前具备固态非线性开关特性的材料却还很匮乏，这是因为其不仅要求其结构构筑基元是强响应非线性活性基团，而且环境变化下具备基元间对称性的可逆重排特性。目前，已经报道的固态非线性开关材料在状态间切换依赖于材料本身的相变温度Tc，正因如此，已报道材料只能在一个固定温度点下使用，这严重限制了固态非线性材料在温度响应方面的应用。 2018年吴立明课题组从理论上预测具不对称性的单氟磷酸根PO3F2-有望成为新的DUV NLO功能基团，并提出氟磷酸盐可作为深紫外非线性光学材料；进而通过实验合成获得(NH4)2PO3F，NaNH4PO3F∙H2O，(C(NH2)3)2PO3F等新型单氟磷酸盐深紫外非线性光学材料，并对其非线性光学性能进行了系统研究。（Chem. Mater. 2018, 30, 7823-7830.）。对其中非线性晶体材料(NH4)2PO3F相变特性深入研究发现：该化合物可在温度变化下发生低温相（P21/n、无非线性信号）和高温相（Pna21、有非线性信号）的相互转变。通过单晶结构表征分析证实，该相转变需要克服氢键网络重排的能垒。基于此，该工作提出，如果能调控(NH4)2PO3F中的氢键结构，有望实现对该化合物相变能垒和相变温度的调控。据此，该工作利用K+与NH4+的半径相似但不存在氢键环境的特点，设计合成了一系列化合物Kx(NH4)2-xPO3F (x = 0.0 – 2.0)。研究表明，随着K+含量x的增加，由于Kx(NH4)2-xPO3F结构中氢键网络不断被削弱，发生相转变所需克服的能垒也逐步降低，在材料性能上则表现为非线性开关激发温度Tc的不断降低。因此，通过调控材料中K+离子的含量，固态非线性开关材料Kx(NH4)2-xPO3F (x = 0 – 0.3)可实现激发温度Tc在270–150 K大温度范围内的连续可调。这是首次实现对固态非线性开关材料激发温度的调控，并且根据K+离子含量的控制，可实现在120摄氏度范围内的宽温度连续可调。通过理论计算高温相与低温相的自由能证实当K+含量高于30%时，由于氢键结构的过度削弱，该相转变消失，这与实验结果相符。该工作系统深入地探究了内部微观结构与宏观非线性光学开关性质之间的内在机制，不仅打破了传统非线性开关局限在特定温度的壁垒，而且为今后研究氢键机制作用下调控宏观性质提供了有益的参考。

非线性光学开关材料是非线性光学材料的一个重要分支，指的是在某种外界条件（如：光、热、化学环境变化等）变化下，能够在非线性光学 “开”、“关”两种状态间切换的物质。先前的大多数研究主要集中于液态材料，但其易失谐以及不稳定等特点，使得液态开关材料难以获得实际应用。而固态非线性开关材料具备非线性性质优良、性能稳定、易于调控等优势；但是目前具备固态非线性开关特性的材料却还很匮乏，这是因为其不仅要求其结构构筑基元是强响应非线性活性基团，而且环境变化下具备基元间对称性的可逆重排特性。目前，已经报道的固态非线性开关材料在状态间切换依赖于材料本身的相变温度Tc，正因如此，已报道材料只能在一个固定温度点下使用，这严重限制了固态非线性材料在温度响应方面的应用。 2018年吴立明课题组从理论上预测具不对称性的单氟磷酸根PO3F2-有望成为新的DUV NLO功能基团，并提出氟磷酸盐可作为深紫外非线性光学材料；进而通过实验合成获得(NH4)2PO3F，NaNH4PO3F∙H2O，(C(NH2)3)2PO3F等新型单氟磷酸盐深紫外非线性光学材料，并对其非线性光学性能进行了系统研究。（Chem. Mater. 2018, 30, 7823-7830.）。对其中非线性晶体材料(NH4)2PO3F相变特性深入研究发现：该化合物可在温度变化下发生低温相（P21/n、无非线性信号）和高温相（Pna21、有非线性信号）的相互转变。通过单晶结构表征分析证实，该相转变需要克服氢键网络重排的能垒。基于此，该工作提出，如果能调控(NH4)2PO3F中的氢键结构，有望实现对该化合物相变能垒和相变温度的调控。据此，该工作利用K+与NH4+的半径相似但不存在氢键环境的特点，设计合成了一系列化合物Kx(NH4)2-xPO3F (x = 0.0 – 2.0)。研究表明，随着K+含量x的增加，由于Kx(NH4)2-xPO3F结构中氢键网络不断被削弱，发生相转变所需克服的能垒也逐步降低，在材料性能上则表现为非线性开关激发温度Tc的不断降低。因此，通过调控材料中K+离子的含量，固态非线性开关材料Kx(NH4)2-xPO3F (x = 0 – 0.3)可实现激发温度Tc在270–150 K大温度范围内的连续可调。这是首次实现对固态非线性开关材料激发温度的调控，并且根据K+离子含量的控制，可实现在120摄氏度范围内的宽温度连续可调。通过理论计算高温相与低温相的自由能证实当K+含量高于30%时，由于氢键结构的过度削弱，该相转变消失，这与实验结果相符。该工作系统深入地探究了内部微观结构与宏观非线性光学开关性质之间的内在机制，不仅打破了传统非线性开关局限在特定温度的壁垒，而且为今后研究氢键机制作用下调控宏观性质提供了有益的参考。

本发明属于激光表面改性技术领域，公开了一种宽光束、可调送粉角的快速高效半导体激光熔覆装置，包括半导体激光器(1)、光束整形与菲涅尔聚焦系统(2)、可调宽光带送粉头(3)、送粉器(6)、高速机床(5)、六轴联动机器人(4)及中央控制系统(9)，光束整形与菲涅尔聚焦系统(2)用于将激光整形并聚焦成宽光带激光；可调宽光带送粉头(3)用于向待处理的大型轴型工件表面输送粉末及宽光带激光；工件直径大于1000mm，长度不低于10m。

本发明公开了一种频率及脉宽可调的微波信号产生方案，基于由一个宽带光源、一个可调的差分群时延元件，一个带宽可调的光滤波器，及一个频域到时域映射模块构成的微波产生装置；微波信号产生方法为：将光源产生的宽谱光注入光谱构造模块中，使用可调的差分群时延模块及光滤波器构造目标光谱，最后利用频域到时域映射装置产生指定频率及脉宽的微波信号。本发明方法在保证了产生微波信号高频性能的基础上，实现了信号频率及脉冲宽度的可调性，增强了一般微波信号生成方法的灵活性。

一种具有温度补偿的宽温度全ＭＯＳ电压基准源，设有启动电路、基准核心电路、由温度检测电路、温度逻辑开启电路和高低温温度补偿电路构成的温度补偿电路。启动电路向基准核心电路注入电流使其正常工作，基准核心电路基于阈值电压和热电压的一阶温度补偿原理，采用ＣＭＯＳ型自偏置电流产生电路产生电流并经过有源负载产生基准电压ＶＲＥＦ，温度检测电路提取ＭＯＳ器件的阈值电压进行温度检测，经温度补偿逻辑开启电路进行逻辑处理后输出给高低温温度补偿电路，高低温温度补偿电路针对对不同的工作温度范围进行补偿并将补偿结果反馈耦合到基准核心电路输出的基准电压中，实现宽温度工作条件下低温度系数和高电源抑制比的全ＭＯＳ电压基准源。

天津大学地科院全自动热释光/光释光测年仪采购项目竞争性磋商