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一种仿人工雾霾监测系统与方法
本发明公开了一种仿人工雾霾监测系统与方法，包括透气不透光的前端箱体和后台计算机，前端箱 体内设目标物、恒定光源、图像采集设备和数据传输单元，目标物为红黑相间的棋盘格阵列图片，恒定 光源置于前端箱体内侧顶部;图像采集设备与目标物相对设置，图像采集设备通过数据传输单元向后台 计算机传输数据。后台计算机计算目标图像的颜色特征、形状特征和纹理特征，获得各特征相对于无雾 霾时目标图像对应特征的变化率，根据各特征变化率获得雾霾指数，基于雾霾指数通过映射函数获得雾 霾浓度。本发明从一个新角度实现了雾霾监测，成本低，易部署，能实现整个区域的全面雾霾监测，从 而为空气污染防治提供更加丰富的信息。
武汉大学
2021-04-13
关于自发对称破缺微腔激光的研究
高性能的相干光源是基础光物理研究和集成光子学应用的关键前提之一。近年来，具有超高品质因子的回音壁模式光学微腔已经成为研究各种新型高效光源的重要平台，实验上已经获得了包括宇称-时间反演对称激光、轨道角动量激光和微腔光学频率梳等。然而，回音壁微腔模式存在的固有手征对称性导致腔中激光场通常是等强度相向传输的，严重阻碍了诸多光子学器件应用的发展，例如单向光发射、全光寄存器和非互易光传输等。迄今，要获得具有单向性的回音壁微腔手征激光，通常需要直接打破光学谐振腔的几何手征对称性。这种方法得到的激光方向性是固定的，难以动态调控其出射性质，且对谐振腔的形状设计和工艺制备要求较高。
北京大学
2021-04-11
等分分度装置及对称加工工作台
本项目是2001年授权的国家发明专利。 1、等分分度装置：在工厂中工作台最常用的分度角度为180°，90°，45°，30°等，用以保证零件孔加工的同轴度（如掉头镗孔）垂直度，平面间的平行度，垂直度以及键槽加工的对称度，孔面间的角度公差等，具有高定位精度的机床如坐标镗床，加工中心等的分度工作台在这些等分角度，特别是在2×180°，4×90°位置的定位精度一般都比其他位置的定位精度要高，且直径稍大（如1m）并在2×180°，4×90°位置达到秒级（5″左右）的工作转台价格十分昂贵。 本技术从原理上区别于传统的分度方法，它是利用多个小范围高精度传感器进行分度定位，其定位精度仅取决于小范围高精度传感器的精度，即本技术是将小范围测量的高精度沿展至整个大范围测量，从而使分度系统的绝对测量精度得以极大地提高，此外分度装置装置还有如下特点： 1）可在现有的分度转台上进行方便的改造，并可进行分度精度的系列升级。 2）无零漂问题。因为传感器所在的任何位置均可作为起始零点，对传感器而言没有回零问题，故测量装置无零漂问题。 3）温度等因素的影响微乎其微。 4）不需象其它分度转台那样进行定期调整。2、对称加工工作台：在工厂中，孔﹑平面及键槽加工的对称度等位置精度有时要求很高，往往要在具有高位置精度的机床如坐标镗床，加工中心及专用机床上进行加工，成本一般较高，若能在现有的加工条件下对工作台进行适当的改造，来达到以往要靠在具有高位置精度的机床上才能达到的精度要求，就会有可观的效益。基于等分分度新技术及特殊的对称处理新技术而发明的对称加工工作台恰好可以满足这种需求。
北京科技大学
2021-04-13
基于 FPGA 的专用星载交换单元
团队长期从事星载专用定制交换方面的研究与开发工作，自主掌握交换核心技术，并自行研制了基于 FPGA 平台的星载交换 IP 核，技术成熟稳定，处于国内领先地位，团队已经与多家航天、中电等行业科研院所开展并完成了相关合作。
交换软件主要基于 FPGA 平台实现，整体采用共享缓存或 Crossbar 交叉网络结构实现专用帧格式的存储转发，支持二层标签及三层 IP 分组交换，具体实现了对专用数据流的接口输入输出处理、流分类与分组处理、高性能队列缓存管理、多级队列调度、Crossbar 交换、输出端口流量控制等复杂功能。
团队与合作科研院所的多个项目成果已经完成交付，其中搭载卫星如中电“02 星”升空运行，至今工作稳定正常，目前团队正在承担着 4 个星载交换及一个空间站交换的研制任务，基本都已经完成联合调试任务。
主要技术指标
（1）交换容量：5-160Gbps；
（2）端口速率；100Mbps-40Gbps；
（3） 接 口 类 型：1G 以 太 网 电 口（RJ45）、10G 以 太 网 光 口、GTX（Serdes）、LVDS、SpaceWire 接口等；
接口协议：MII、GMII、RGMII、SGMII、Aurora、RapidIO 以及其他专用接口协议等；
（4）交换单元支持二层以太网或三层 IP 交换，也可支持专用帧格式的专用网络交换，支持多个自定义查找表配置转发功能；
（5）支持 8 个优先级的数据业务流区分服务；
（6）支持高效队列管理机制；
（7）支持多种形式的多级调度算法；
（8）采用 Crossbar 交换结构实现无阻塞的分组交换；
（9）提供 PCIe/IOSN CPU 接口，支持 CPU 插入捕获功能；
（10）支持交换单元输出端口虚通道流量控制功能。
（11）除上述主要技术指标外，团队还可根据合作方需求进行专用功能的定制实现。
相关成果
团队星载交换方向项目成果主要以软件（RTL 级代码或比特流）形式交付合作方，并配合合作方在其提供的硬件平台上共同完成联调与测试。
西安电子科技大学
2023-04-19
朗星领航者数字展示台
产品详细介绍 高清晰度85万像素PS CCD；支持至XGA高分辨率；RGB数字输出显示;USB通用串行接口；12倍光学变焦；9画面图像存储；3X3同屏显示；15帧/秒图像刷新；4种操控方式；8种预设置模式。
天津市朗星光学机器有限公司
2021-08-23
天津三星电子有限公司
天津三星电子有限公司(TSEC)是三星电子在天津投资建设的第一家企业，由三星电子、中环电子信息集团和通信广播集团共同出资设立的中外合资企业,坐落于天津经济技术开发区西区。企业现有职工3,000余人，拥有近千名科技人才队伍。 20多年来通过不断的技术创新、人才培养和持续的投资，TSEC现已发展成为了生产智能电视、显示器、LCM(液晶模组)等高端电子产品的综合性的电子企业。其中显示器产品连续十多年占据中国品牌机市场占有率第一名，平板智能电视机产品多年来占有中国市场重要份额，LCM出口欧美市场。 TSEC在做好生产经营的同时，注重社会公益和员工保护，近年来先后荣获天津市最佳外商投资企业、天津市AAA级劳动关系和谐企业、中国政府友谊奖等荣誉称号，为天津市的社会经济发展做出了贡献。 为了应对全球经济环境的变化及企业持续发展的需要，TSEC于2013年巨资建设了现代化的生产工厂，全面整合资源、提高生产效率和物流效率，显著提高了企业竞争力。新工厂占地面积达31.5万平方米，一期建筑面积为11万平方米。企业还为员工设有温馨整洁的公寓设施、健身中心、球类馆、医务室、阅览室、培训教室等，既创造了舒适、高效的生产环境，还向员工提供了宽敞、方便的生活环境。 公司将乘风破浪，秉承“变化、速度、革新”的经营主旨，延续超强的持续创新能力，不断前行！
天津三星电子有限公司
2021-01-15
湖南比邻星科技有限公司
湖南比邻星科技有限公司是由睿图智能、湖南大学、岳麓区政府、岳麓山大学科技城联合发起设立。比邻星科技主要为智能制造、智慧教育、智慧交通等行业提供智能机器人产品，以及数字化、网络化智能化的行业整体解决方案。
公司作为王耀南院士成果转化基地，汇聚了清华大学、湖南大学等国内一流大学的硕博人才，特聘教授4名。团队成员获得100余项授权发明专利，有超过20年的技术研究和产品应用经验。
比邻星科技现已获得千万级种子轮融资，并与机器人视觉感知与控制技术国家工程研究中心、湖南工业大学、湖南科技大学、湖南工程学院达成产学研合作，建立了长沙市专家工作站、湖南省校企合作创新创业教育基地。公司产品和解决方案获得了央视、湖南卫视、湖南经视、湖南日报等众多权威媒体报道。
湖南比邻星科技有限公司
2023-05-15
一种基于选权迭代的星敏感器在轨几何定标方法及系统
一种基于选权迭代的星敏感器在轨几何定标方法及系统，利用星敏感器拍摄多张恒星背景，获取恒 星控制点的方向矢量和量测矢量，构建星敏感器在轨几何定标模型，利用选权迭代与最小二乘方法解算 定标参数，获取定标结果。本发明可以有效的抑制由于星敏感器相机参数存在偏差造成的星图误识别引 入的错误恒星控制点信息，有效的提高星敏感器在轨几何定标的可靠性与稳定性，提高卫星测量精度。
武汉大学
2021-04-14
过渡金属催化的不对称环异构化
成功发展了Rh(I)-SegPhos-PCy3催化体系，首次实现1,6-联烯-炔不对称环异构化反应，该反应通过新颖的5-exo-dig环化，可高效、高选择性制备一类具有氮杂5/6环系产物。值得一提的是，该反应也可适应于联烯末端含环状片段的底物，可一步制备高度挑战性的5/6/6或5/6/5环系产物，在复杂天然产物和药物合成中具有潜在的应用价值。 在此基础上，他们对该反应机理进行了系统的理论计算研究。结果表明，该反应经过一条不同寻常的环化途径，即Rh正离子作为π酸活化炔基，经5-exo-dig环化形成5/3并环Rh卡宾中间体，随后经一系列扩环、Rh辅助的C-H键活化/烯基异构化、C-C键活化、还原消除等过程完成催化循环，得到目标产物。在该过程中C-H键活化/烯基异构化过程是决速步骤，同位素标记实验也证实了这一点。该研究不仅首次实现了Rh（I）催化的不对称联烯-炔环异构化反应，展现了Rh（I）独特的催化活性和应用价值，理论计算研究也为此类反应提供了新的认识，为新的催化体系的设计提供了依据。
南方科技大学
2021-04-13
一种仿壁虎脚微纳分级结构及其制造工艺
本发明公开了一种用于仿壁虎脚微纳分级结构的制造工艺，包括：S1、使用 LPCVD 设备在洁净的硅片上热生长一层 SiO2 薄膜；S2、 在有 SiO2 层的硅片表面旋涂光刻胶并进行光刻，制备出圆孔阵列图 形；S3、使用缓冲氢氟酸溶液对暴露出的 SiO2 进行刻蚀，将光刻胶上 的图形转移到 SiO2 层；S4、在样品表面镀一层 Cu 膜；S5、在丙酮或 乙醇中进行超声，通过溶脱剥离工艺去除表面的光刻胶及光刻胶表面 的 Cu；S6、利用 CVD-VLS 生长工艺，以上述工艺制备的 Cu 为催化 剂，以 SiCl4 为硅源，以 H2 为载气，生长 Si 微米线阵列；S7、在硅 线表面镀一层 Cu 膜；S8、利用 CVD-VLS 生长工艺，以 S7 制备的 Cu 膜为催化剂，以 SiCl4 为硅源，以 H2 为载气，在 Si 微米线表面生长 Si 纳米线。本发明提供的微纳分级结构中 Si 微米线的表面分布有 Si 纳米线，即一种仿壁虎脚微纳分级结构，为干性黏附材料的设计与制 造提供了一种解决方案。
华中科技大学
2021-04-11