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技术需求：金属表面处理的研发、生产
金属表面处理的研发、生产
济宁市鲁环表面处理工业有限公司
2021-08-18
比表面积及孔径分析仪
金埃谱科技是国内率先推出集完全自动化、智能化、高精度、高稳定性及高性价比于一体的比表面积及孔径分析设备供应商，相继推出F-Sorb X400（动态法）及V-Sorb X800（静态法）两大系列产品，不仅符合国家及国际标准，而且创建了国内齐全、完善的比表面积及孔径分析仪产品线。此外，随着真密度仪G-DenPyc X900系列和高温高压吸附仪H-Sorb X600系列的问世，使得我司气体吸附仪领域的产品线更加完善。
北京金埃谱科技有限公司
2021-02-01
XM-BCX表面血管结扎止血操作模型
XM-BCX表面血管结扎止血操作模型
功能特点：
■ XM-BCX表面血管结扎止血操作模型采用高分子材料制成，仿真度高。
■ 模型上有16个出血点，当训练或考核时，16个出血点同时向外涌血，模拟真实流血状态，练习多处血管出血时的结扎止血操作。
上海欣曼科教设备有限公司
2021-08-23
XM-BCX表面血管结扎止血操作模型
XM-BCX表面血管结扎止血操作模型
功能特点：
■ XM-BCX表面血管结扎止血操作模型采用高分子材料制成，仿真度高。
■ 模型上有16个出血点，当训练或考核时，16个出血点同时向外涌血，模拟真实流血状态，练习多处血管出血时的结扎止血操作。
上海欣曼科教设备有限公司
2021-08-23
表面振动压实试验仪（河北路仪）
产品详细介绍表面振动压实试验仪（河北路仪）
本仪器是采用表面振动压实法测定无粘性自由排水粗粒土和巨粒土（包括堆石料）的最大干密度的试验仪器。
1、电源电压：380V；
2、耗电功率：≤looow；
3、振动频率：47.5Hz；
4、激振力二2.5-4.2KN；
5、夯板作用在试样表面静压力：13、8Kpa；
6、试筒规格：铝制大筒一个内径280mm，铝制小筒一个内径152mm；
河北路仪公路仪器有限公司
2021-08-23
AMMT-312环氧低表面处理底漆
产品概述：由特种环氧树脂、渗透剂、活性防锈颜料、聚酰胺树脂等制成的双组份防腐底漆。
特 点：
优异的防锈、防腐性能
减轻带锈底材的除锈劳动强度
优异的附着力、耐冲击性能
优异的柔韧性
良好的配套性
用 途：可直接用于有残余锈蚀但必须除去松动浮锈的钢铁表面，用于石油化工装置、采油设施、重型机械、管道外壁等钢结构的带锈涂装。
青岛海洋新材料科技有限公司
2021-09-03
宽禁带半导体碳化硅电力电子器件技术
宽禁带半导体碳化硅(SiC)材料是第三代半导体的典型代表之一，具有宽带隙、高饱和电子漂移速度、高临界击穿电场、高热导率等突出优点，能满足下一代电力电子装备对功率器件更大功率、更小体积和更恶劣条件下工作的要求，正逐步应用于混合动力车辆、电动汽车、太阳能发电、列车牵引设备、高压直流输电设备以及舰艇、飞机等军事设备的功率电子系统领域。与传统硅功率器件相比，目前已实用化的SiC功率模块可降低功耗50%以上，从而减少甚至取消冷却系统，大幅度降低系统体积和重量，因此SiC功率器件也被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源”器件。 本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验，能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。目前基于国内工艺平台制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶体管（图1，有源区面积0.9mm2）；4000V/30A的SiC PiN二极管（图2）；击穿电压>5000V的SiC JBS二极管（图3）。 a b c 图1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件：(a)晶圆照片(b)正向IV测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图2 4kV/30A SiC PiN器件：(a)晶圆照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图3 5kV SiC JBS器件：(a)显微照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线
电子科技大学
2021-04-10
宽禁带半导体碳化硅电力电子器件技术
本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验，能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。
电子科技大学
2021-04-10
双层标准鼠笼导体转子高转矩密度永磁调速器
本发明公开了一种双层标准鼠笼导体转子高转矩密度永磁调速器，包括同一中心轴设置的输入轴和输出轴，所述输入轴上穿设有导体转子，所述输出轴上穿设有可相对同心旋转的第一永磁转子和第二永磁转子；所述第一永磁转子、导体转子和第二永磁转子三者沿径向依次同心套设，其中第一永磁转子和导体转子之间相隔有第一气隙，导体转子和第二永磁转子之间相隔有第二气隙。本发明通过旋转第一永磁转子或者第二永磁转子，改变第一永磁转子和第二永磁转子之间的相对旋转角度，实现永磁调速器的调速功能；在调速过程中仅需克服齿槽转矩，还区别于现有技术中采用调整磁转子与导体转子之间的轴向气隙实现调速功能，有效减小了永磁调速器的轴向长度。
东南大学
2021-04-11
一种用于识别半导体纳米结构形貌的方法
本发明公开了一种基于支持向量机的纳米结构形貌识别方法。首先生成训练光谱，确定支持向量机的核函数与训练方式；生成测试光谱及多种不同的支持向量机；利用测试光谱对支持向量机进行特征形貌识别准确率测试，找出识别准确率、训练光谱数目和核函数之间的关系，作为支持向量机训练的指导原则；对测试光谱添加不同量级的噪声影响，将含有不同量级噪声的测试光谱用于支持向量机中进行测试，找到在能保证正确识别率较高情形下所能添加的最大噪声量级，作为另一指导原则；利用两个指导原则，训练得到最优的支持向量机；对真实待识别结构对应的测量光谱进行映射，识别其形貌。本发明可以对半导体纳米结构的形貌特征进行快速、精确地识别。
华中科技大学
2021-04-11