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表面振动压实试验仪（河北路仪）
产品详细介绍表面振动压实试验仪（河北路仪）
本仪器是采用表面振动压实法测定无粘性自由排水粗粒土和巨粒土（包括堆石料）的最大干密度的试验仪器。
1、电源电压：380V；
2、耗电功率：≤looow；
3、振动频率：47.5Hz；
4、激振力二2.5-4.2KN；
5、夯板作用在试样表面静压力：13、8Kpa；
6、试筒规格：铝制大筒一个内径280mm，铝制小筒一个内径152mm；
河北路仪公路仪器有限公司
2021-08-23
AMMT-312环氧低表面处理底漆
产品概述：由特种环氧树脂、渗透剂、活性防锈颜料、聚酰胺树脂等制成的双组份防腐底漆。
特 点：
优异的防锈、防腐性能
减轻带锈底材的除锈劳动强度
优异的附着力、耐冲击性能
优异的柔韧性
良好的配套性
用 途：可直接用于有残余锈蚀但必须除去松动浮锈的钢铁表面，用于石油化工装置、采油设施、重型机械、管道外壁等钢结构的带锈涂装。
青岛海洋新材料科技有限公司
2021-09-03
一种 GNSS 与激光测距相结合的测量系统及测量方法
当待定点无法用 GNSS 方法直接测定时，本发明提供一种 GNSS 与激光测距相结合的测量系统及测 量方法，其装置成本低廉、便于携带，方案简单易行。激光测距装置仅需提供距离观测值，摆脱了对于 方位、角度观测值的依赖，测程可达数百米，可实现多个已知点上快速作业，最少只需在两个点上进行 测量，通过最小二乘和合理定权，最终能获得待定点坐标的最优解。本发明有效弥补了现有技术的缺陷， 具有广阔的应用前景。
武汉大学
2021-04-13
一种支撑轴弯曲间隙及刚度自动测量装置及其测量方法
本发明公开了一种支撑轴弯曲间隙及刚度自动测量装置及其测量方法。本发明通过测量杆将微小弯曲间隙放大，以气缸配合气动滑·788·台为动力机构，连接带动施力构件对测量杆施加压力，并通过位移传感器及压力传感器实时采集测量杆的位移数据及受力数据，进一步计算出支撑轴的弯曲间隙角及刚度。本发明通过两个位移传感器实现对弯曲间隙的精确测量，消除了由扭矩输入时弯曲间隙的顶点相对于轴心的径向窜动带来的不利影响；气缸带动施力构
华中科技大学
2021-04-14
声压测量传感器及多纵模光纤激光器声压测量系统
本发明公开了一种声压测量传感器及多纵模光纤激光器声压测 量系统。声压测量传感器包括金属圆桶、薄膜和光纤；金属圆桶的侧 壁中部有开孔，内壁设有吸音棉；薄膜位于金属圆桶的上端开口处， 形成密封结构；光纤两端固定，呈紧绷状态，中部粘贴在薄膜的表面。 多纵模光纤激光器声压测量系统包括 980nm 泵浦光源、多纵模激光谐 振腔、光纤隔离器、光电转换模块和频谱分析仪；多纵模激光谐振腔 包括声压测量传感器、波分复用器、掺铒光纤、可
华中科技大学
2021-04-14
基于釜底压力测量的多相搅拌釜搅拌器气泛转速测量装置
本实用新型公开了一种基于釜底压力测量的多相搅拌釜搅拌器气泛转速测量装置。包括釜体以及置于釜体内的挡板、搅拌器和气体分布器，釜体内壁设有挡板，釜体内的搅拌器经转速测量仪和电机的输出轴连接，电机与控制柜连接；釜体底部安装有压力变送器，搅拌器正下方的釜体内设有气体分布器，空气压缩机依次经稳压阀、转子流量计和开关阀后与气体分布器连接，压力变送器和数字显示仪表连接。本实用新型装置使得测量条件降低低，不受外界因素干扰，能适应各种恶劣的测量环境，测量误差小，具有较好的适应性。
浙江大学
2021-04-13
一种宽光束、可调送粉角的高效半导体装置
本发明属于激光表面改性技术领域，公开了一种宽光束、可调送粉角的快速高效半导体激光熔覆装置，包括半导体激光器(1)、光束整形与菲涅尔聚焦系统(2)、可调宽光带送粉头(3)、送粉器(6)、高速机床(5)、六轴联动机器人(4)及中央控制系统(9)，光束整形与菲涅尔聚焦系统(2)用于将激光整形并聚焦成宽光带激光；可调宽光带送粉头(3)用于向待处理的大型轴型工件表面输送粉末及宽光带激光；工件直径大于1000mm，长度不低于10m。
华中科技大学
2021-04-10
多元化合物半导体单晶的制备方法与生长装置
一种多元化合物半导体单晶的制备方法,工艺步骤为:①清洁坩埚,②装料并除气封结,③晶体生长,④退火与冷却。与该方法配套的单晶生长装置含有可移动下炉加热器及含有中部辅助加热器的单晶生长炉,它可以灵活根据多元化合物的结晶习性,实现对结晶温度梯度区的温场调节,获得化合物单晶生长所需的窄温区、大温梯的结晶温场分布,维持固-液界面的稳定,实现单晶体的平界面生长。使用该生长装置,采用坩埚下降法可成功生长出外观完整、结晶性能好的多种多元化合物半导体单晶体。
四川大学
2021-04-11
基于金属氧化物的复合半导体光催化剂
将纳米级尺寸石墨烯量子点修饰到超薄ZnO纳米片表面，同样可大提高ZnO纳米片的光催化性能。
上海理工大学
2021-04-10
晶圆级二维半导体单晶薄膜外延生长的研究
主流硅基芯片CMOS（互补金属氧化物半导体）技术正面临短沟道效应等物理规律和制造成本的限制，需要开发基于新材料和新原理的晶体管技术来延续摩尔定律。高迁移率二维半导体因其超薄的平面结构和独特的电子学性质，有望成为“后摩尔时代”高性能电子器件和数字集成电路的理想沟道材料，进一步缩小晶体管的尺寸和提高其性能。为满足集成电路加工工艺和器件成品率对沟道材料的苛刻要求，二维半导体单晶薄膜的大面积制备尤为关键与重要。然而，现有二维半导体材料体系（过渡金属硫族化合物、黑磷等）薄膜制备仍未满足现实要求，因此亟需实现晶圆级二维半导体单晶薄膜制备技术的突破。 该研究瞄准二维半导体材料的晶圆级单晶制备，率先实现了同时具有高电子迁移率、合适带隙、环境稳定的二维半导体（硒氧化铋，Bi2O2Se)单晶晶圆的外延生长。他们基于自主设计搭建的双温区化学气相沉积系统，在商用的钙钛矿单晶基底【SrTiO3，LaAlO3，或(La, Sr)(Al,Ta)O3】上，利用Bi2O2Se与钙钛矿完美的晶格匹配性及较强的界面相互作用，促使Bi2O2Se晶核同一取向外延并融合生成晶圆级单晶薄膜。Bi2O2Se单晶薄膜在晶圆尺寸上表现出优异的材料和电学均匀性，可被用于批量构筑高性能场效应晶体管。基于晶圆级二维Bi2O2Se单晶薄膜的标准顶栅型场效应晶体管展现了高的室温表观迁移率（>150 cm2/V s）、大的电流开关比（>105）和较高的开态电流（45μA/μm）。相关成果发表在Nano Letters (Wafer-Scale Growth of Single-Crystal 2D Semiconductor on Perovskite Oxides for High-Performance Transistors. Nano Lett. 2019, 19, 2148)。
北京大学
2021-04-11