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高性能红外光电探测器件
红外光电探测器在国防军事方面有重要的应用前景，比如红外制导、红外追踪、夜视仪等等。目前国外使用的主流红外光电探测器是基于碲镉汞的制冷型探测器和氧化钒/非晶硅的非制冷型探测器。对于碲镉汞探测器来说，一方面在高质量的材料生长上存在很大的挑战；另一方面它需要辅助制冷装置来提供 77 K 的低温环境，极大地限制了其便携性和广泛使用性。而基于氧化钒/非晶硅的非制冷型探测器由于其热辐射引发电阻变化的机制极大地限制了探测率（小于 10
南京大学
2021-04-14
高压大功率半导体器件IGCT
1. 痛点问题
功率半导体是支撑能源领域发展的核心部件。为实现3060双碳目标，我国正在超常规推动新能源发电、大容量输配电和电气化交通等领域，对电压等级4.5kV以上的功率器件需求急速增长。提高器件电压和容量可以减少器件串并联数量、缩减装备体积和成本，是解决城市用地紧张、降低海上风电平台建设成本的关键。然而，受工作机理和制备工艺限制，IGBT器件最大功率等级为4.5kV/3kA和6.5kV/0.75kA，已接近瓶颈，无法满足能源发展需求。因此，亟需更高电压、更大容量、更高可靠性和更低制造成本的功率半导体器件解决方案。
2020年，中国功率半导体市场规模达2000亿元，但90%以上依赖进口，尤其是4.5kV以上器件，近乎全部进口。亟需寻求自主可控的功率半导体器件国产替代方案。
2. 解决方案
本技术面向新能源发电和输配电领域大容量、高可靠的需求，提出了自主化IGCT器件（集成门极换流晶闸管）的设计、制备和驱动控制方案，可以提高阻断电压和关断电流能力、降低器件运行损耗，且可以结合应用工况开展定制优化，如改善器件防爆特性、解决高压装置中的驱动供电问题等，从而实现大容量、高可靠、低成本、高效率的能量管理和功率变换。
目前团队已研制出4.5kV/5kA和6.5kV/4kA的IGCT器件，功率等级全面覆盖IGBT，且具有向更大容量发展的潜力。与IGBT、MOSFET等晶体管器件相比，本技术提出的IGCT具有通态损耗低、耐受电压高、可靠性高、抗干扰能力强等突出优势，符合能源发展趋势，且制造工艺沿用基本沿用传统的晶闸管路线，制造成本低，国内工艺基础好。
清华大学
2021-10-26
二维半导体材料与器件
提出了层数调制、栅极电压调制和自组装单分子层调制等物理、化学改性策略，显著调控了MoS2载流子浓度和功函数，为开发低接触电阻的高性能纳电子器件提供了手段，研究成果发表于ACS Nano、APL等知名期刊，应邀为Adv. Mater.撰写综述一篇。
哈尔滨工业大学
2021-04-14
一种 MEMS 器件的封装方法
本发明公开了一种 MEMS 器件的封装方法，包括 S1 在框架基 板与封盖的内表面上对称附着图形化的过渡金属化层和钎料层；S2 在 框架基板的钎料层上附着图形化的自蔓延多层膜；S3 将芯片键合固定 在框架基板上并实现信号互连；S4 将固定有芯片的框架基板与封盖进 行除气除湿处理后对准堆叠形成封装结构；S5 对封装结构施加压力、 预热后引燃自蔓延多层膜，自蔓延多层膜燃烧并熔化钎料层实现冶金 互连。本发明将封盖直接与框架
华中科技大学
2021-04-14
光谱仪器光栅分光器件与部件
中阶梯光栅的刻划： ICP光谱仪的分光核心部件主要是中阶梯光栅，中阶梯光栅的二维分光系统，具备更高的分辨能力，使光谱仪具有分析精准、多元素同时检测以及检测速度快等优点。 √ 分辨力高 √ 制作难度大
上海理工大学
2021-04-13
二维材料中红外发光器件
中红外光谱技术被广泛应用于医疗诊断、军事侦察、工业控制、环境监测等领域。其中，中红外光源是实现中红外技术的核心部件之一。作为二维层状材料家族的新兴成员，黑磷（BP）已因其独特的性能而得到广泛研究。
南方科技大学
2021-04-14
用于换热管内检测的磁致伸缩导波传感器及其检测方法
本发明公开了一种用于换热管内检测的磁致伸缩导波传感器及其检测方法，该传感器包括：外壳；与外壳一端相固定的端盖；与外壳的另外一侧相连的导电钢刷；设置在外壳内部并与其相连的内壳；安装在端盖上，通过穿过内壳的直流导线与导电钢刷实现电连接的航空插座；分别设置在内壳的不同位置上的第一聚磁器和第二聚磁器；以及第一交流线圈和第二交流线圈，该第一交流线圈和第二交流线圈分别缠绕在所述第一聚磁器与第二聚磁器上，并分别与航空插座电连接。按照本发明，由于整个检测过程是通过磁场实现的，属于非接触式检测，因此对被检测换热管内表面状况要求低，无需打磨等特别处理，从而提高了检测效率以及适用性。
华中科技大学
2021-04-11
一种基于磁致伸缩导波短吊杆索力测量装置及方法
一种基于磁致伸缩导波短吊杆索力测量装置及方法。该装置包 括激励偏置磁化器、接收偏置磁化器、激励线圈、接收线圈、导波测 量仪等组成，根据磁致伸缩效应原理，通过激励线圈长时间激励在短 吊杆内部形成稳态振动，在接收线圈基于逆磁致伸缩效应获得感应信 号，对感应信号进行分析计算得到短吊杆索力。该方法利用磁致伸缩 导波长时间频率激励，在短吊杆中产生稳态振动，停止激励后，通过 提取短吊杆从停止激励到衰减为 0 时段的振动信号，进行频谱分析得 到短吊杆纵向固有频率，通过纵向固有频率与索力的对应关系，得出 短吊杆索力
华中科技大学
2021-04-14
一种改善磁致伸缩导波测距盲区的信号跟随方法及装置
本发明公开了一种改善磁致伸缩导波测距盲区的信号跟随方法及装置，涉及的导体由主导波丝和副导波丝通过连接导线相接而成，主导波丝上运行有激励电脉冲产生的电磁信号和导波信号，通过套于主导波丝上的线圈采集由该电磁信号和导波信号构成的合成信号；合成信号通过连接导线传输给副导波丝，传输过程中经过连接导线两端与主、副导波丝的相接点的反射，衰减掉合成信号中的导波信号，使得副导波丝上仅有电磁信号，通过套于副导波丝上的线圈采集电磁信号；对合成信号和电磁信号做差分运算以滤除电磁信号，差分运算结果即为盲区改善后的信号。本发明
华中科技大学
2021-04-14
一种提高磁致伸缩导波检测灵敏度的装置及方法
本发明公开了一种提高磁致伸缩导波检测灵敏度的装置，以及 利用该装置提高磁致伸缩导波检测灵敏度的方法，中心处理器控制信 号发生器产生激励信号，通过功率放大器输入激励传感器，在待检测 区域激励产生超声导波并沿轴向传播；经信号增强元件的反射，超声 导波叠加增强后输入接收传感器，经信号预处理器输入到 A/D 转换器， 转换成数字信号输入中心处理器；中心处理器通过对数字信号的分析， 得出缺陷在待检测区域上的位置。本发明通过在传统的磁致伸缩导波 的检测装置中引入了信号增强元件，实现缺陷多次回波信号幅值增强，
华中科技大学
2021-04-14