SiC/Al 复合材料具有高导热、低膨胀、高模量、低密度等优异的综合性能，在电子封装领域具有广阔的应用前景。目前广泛采用工艺复杂、设备昂贵的压力浸渗制备 SiC/Al 复合材料。课题组在历经近十年的研发过程中，采用无压浸渗法在空气环境下，成功制备出了电子封装用 SiC/Al 复合材料。该制备技术工艺过程简单，设备要求不高，成本低廉，所制备的复合材料的热物理性能可在较宽范围内调节，具有较好的市场应用前景。于 2010 年获得国家发明专利授权。

磁性液体密封是磁性液体最重要的应用之一，它是一种非接触式的液体密封，同传统的机械密封相比，具有密封性能好、泄漏率低、摩擦力矩小、寿命长等特点，在许多场合具有不可替代的作用。本项目系统研究了磁性液体的制备技术，建立了磁性液体密封设计理论与方法，不仅成功的解决了一般工况下的磁性液体密封问题，而且在特殊工况下的磁性液体密封方面取得了许多创新性成果。

磁性液体密封是磁性液体最重要的应用之一，它是一种非接触式的液体密封，同传统的机械密封相比，具有密封性能好、泄漏率低、摩擦力矩小、寿命长等特点，在许多场合具有不可替代的作用。本项目系统研究了磁性液体的制备技术，建立了磁性液体密封设计理论与方法，不仅成功的解决了一般工况下的磁性液体密封问题，而且在特殊工况下的磁性液体密封方面取得了许多创新性成果，具体如下： （1）发现了影响复杂工况下磁性液体密封启动力矩的主要因素，建立了复杂工况下磁性液体旋转密封启动力矩的表达式，解决了磁性液体旋转密封低温启动力矩大的难题，该项技术成功的应用于我国先进雷达等现代军事装备上。 （2）揭示了磁性液体静密封中磁性颗粒的凝聚规律；发现了磁性液体静密封的破坏机理；建立了大直径磁性液体静密封设计方法和密封结构；解决了大直径（指密封直径大于1.5m）的静密封问题。该成果应用于核爆炸关键设备上。 （3）揭示了磁性液体往复密封的失效机理；建立了往复轴磁性液体被携带量公式及往复轴磁性液体密封耐压公式；发明了往复轴磁性液体密封的设计方法和新结构，解决了真空镀膜机等设备的往复密封难题。 （4）制得了多种不同基载液的磁性液体，特别是制得了高性能耐酸耐碱的氟碳化合物基磁性液体，拓宽了磁性液体的应用领域。至今为止，国内外二百多家单位使用研制的氟碳基磁性液体。 北京交通大学磁性液体研究所设计的磁性液体密封装置，密封介质为气体或部分液体，泄漏率小于10-12Pa•m3•S-1，单级耐压能力一般为0.2个大气压，温度适用范围-40℃~200℃,寿命可达10年。在国内首次解决了罗茨真空泵CJ-150、CJ-300、CJ-600和单晶硅炉TDR-62、TDR-70、TDR-80及美国8600型等型号的磁性液体密封问题；多次修复美国、德国等国家生产的设备上的磁性液体密封装置；为总装和国防科工委设计了数十种具有特殊要求的磁性液体密封结构。 目前，磁性液体研究所已具有了国内最完备最先进的磁性液体制备和磁性液体密封的加工生产设备，能够生产出性能和国外产品相媲美甚至超越的各种磁性液体及磁性液体密封装置。生产的密封产品已被国内外上百家单位所采用，广泛用于单晶硅炉、真空镀膜机、甩带机、军用雷达、坦克等器件上。和国内外同类产品相比，已处于国内领先，国际先进的水平。在特殊工况磁性液体密封方面，处于国际领先的水平。

已有样品/n这项封装技术是利用芯片本身的衬底和封装材料作为封装基板，简化发光二极 管的工艺路径，降低全工艺成本，提供最小的发光二极管封装体积，全角度发光特 性，降低器件封装热阻，实现对发光二极管电学和光学性能更好的控制，并具有简 单、成本低等优点。与传统工艺封装相比成本降低 30%左右，发光效率与传统封装 相当。 随着LED技术的进步，外延与芯片工艺在发光二极管成本中所占的比例相对降 低，而封装步骤由于耗费材料和工艺步骤较多且技术含量较低，其成本难以降低。 作为现有封装结构与晶圆级封装结构的中间阶段

移液枪头封装机，包括上料机构、还包括送料机构和装盒机构，装盒机构包括用于从所述送料机构处取枪头的取枪头机构、用于放置枪头盒的枪头盒平台、用于推动枪头盒在枪头盒平台上运动的电动推杆、用于搭载枪头盒平台并可带动枪头盒平台沿两个互为垂直的方向运动的水平工作台；枪头盒平台的边缘设置有扣盖机构。其中，上料机构完成移液枪头的逐个上料，送料机构将上料后的移液枪头进一步输送，取枪头机构从送料机构处取移液枪头，并逐个置于枪头盒中，电动推杆完成枪头盒的推送，过程中扣盖机构完成扣盖。本发明提供了一种集输送、装盒、封装功能于一体的移液枪头自动封装系统，装盒封装过程中，不需人工干预，可极大的提高移液枪头装盒操作的效率。

出于环境保护及人类健康的考虑，电子工业中逐渐限制并禁上使用含铅钎料不可避免。美国、日本等通过立法禁上铅等有毒元素的使用，欧盟已于2006年停止使用含铅钎料。作为世界贸易组织成员国的一员，提高我国电子产品在国际上的竞争力，尽早开发具有自主知识产权的无铅钎料，并早日实现产业化是急需而必要的。我们开发的无铅钎料合金具有优良的力学性能和可焊性，可满足电子工业、家电行业的需要，成本合理，技术成熟。目前，Sn-Pb合金国内用量约3万吨，可见无铅钎料市场十分广阔，抓住机遇，使无铅料产业

光热耦合可靠性研究，通过建立LED热阻网络，提出了荧光粉光热耦合模型，进而设计了高发光效率、低工作温度、高可靠性的LED 一、项目分类 关键核心技术突破 二、成果简介 LED被誉为21世纪绿色照明光源和第四代光源。LED封装是LED产业链中关键的一个环节，是连接芯片和应用的桥梁。本技术的研究工作和成果包括：1）封装工艺设计优化，研究了各种封装参数对出光的影响规律，并根据涂覆的流动特性提出了多种控制涂覆形貌的涂覆新工艺，进而提升取光效率及光色品质；2）光热耦合可靠性研究，通过建立LED热阻网络，提出了荧光粉光热耦合模型，进而设计了高发光效率、低工作温度、高可靠性的LED；3）复杂应用下的光学设计，以高光效、高空间颜色均匀度为目标，提出了实现能量任意映射的非成像光学普适性透镜算法，并据此开发了透镜设计软件；4）量子点封装，提出多种高光热性能的量子点制备方法和封装工艺，首创封装内热管理方案，解决量子点散热瓶颈。

近些年LED照明技术革命引起世界各国的普遍重视，市场潜力巨大，其中LED封装胶是LED应用的关键材料之一，其主要功能在于负载荧光粉并为供芯片提供足够的保护，使其发光更亮、更持久。封装胶材料对LED芯片的功能发挥具有重要的影响，散热不畅或出光率低均会导致芯片的功能失效，目前市场上高端LED封装胶主要由道康宁、信越等国外公司垄断。 本项目研制了新一代LED封装胶，并建立了新的胶联理论和方法，解决了以往封装胶合成过程中需要金属催化剂而引起的金属残留问题，提高了封装胶材料的性能和寿命，相对于现用的市场上的国外标杆产品，北航自主开发的新一代LED封装胶在耐老化性能、抗黄变性能方面通过了更为苛刻的实验测试，且原材料成本低廉，极具市场竞争力。

本发明公开了一种玻璃芯片封装方法，通过在玻璃片的厚度方向预制贯穿导电金属极，采用超快激光对玻璃芯片进行激光焊接封装。本发明利用超短脉冲激光超强光强特性，在透明介质内会产生非线性吸收效应并在焦点处熔融，实现在透明材料空间内进行选择性微焊接。超短脉冲激光加工的结构尺寸可以突破光学衍射极限，实现小于激光波长的精密焊接。此外，激光和材料相互作用时间极短，能有效避免材料因不同热膨胀系数产生的裂纹和溅射物，有助于提高焊接封装的

陶瓷基板由于具有热导率高、耐热性好、高绝缘、耐腐蚀、抗辐射等技术优势，广泛应用于功率半导体和高温电子器件封装。 一、项目分类 关键核心技术突破 二、成果简介 电子封装是将构成半导体器件的各个部件（芯片、基板和导线等）按规定要求合理布置，通过贴片、打线与焊接等工艺，达到保护芯片，实现器件功能的目的。随着芯片功率的不断增加和封装集成度的不断提高，散热成为影响器件性能与可靠性的关键。对于半导体器件而言，通常温度每升高10℃，器件有效寿命降低30-50%。由于芯片一般贴装在封装基板（又称电路板、线路板）上，因此，基板除具备基本的机械支撑与布线（电互连）功能外，还要求具有较高的导热、耐热、绝缘、耐压能力与热匹配性能。目前常用封装基板主要分为树脂基板（印刷线路板、PCB）、金属基板（MCPCB）和陶瓷基板。其中，陶瓷基板由于具有热导率高、耐热性好、高绝缘、耐腐蚀、抗辐射等技术优势，广泛应用于功率半导体和高温电子器件封装。