本发明公开了一种可提高延展性的柔性电子流体封装方法，包括：制得下层和上层封装结构，这两个封装结构保持对称并在其中央部位各自具有凹陷延展的区域；制作延性互连结构，该延性互联结构的整体呈波形分布的曲线结构；将上下层封装结构对应贴合，同时将延性互连结构封装在中空微腔体中；最后，将绝缘性流体注射至微腔体内，使其完全填充微腔体并包裹所述延性互连结构，由此完成整体的流体封装操作。通过本发明，能够显著提高互连结构的拉伸延展性能，避免面外翘曲现象，并在便于质量操控的同时有效提高互连结构的稳定性。

本发明公开了一种 LED 倒装芯片的圆片级封装结构、方法及产品，包括 LED 倒装芯片、硅基板、透镜、印刷电路板和热沉；硅基板正面加工有放置芯片的凹腔，凹腔底部的长度与芯片的长度相同；硅基板的反面加工有两组通孔，两通孔与凹腔相连通；在凹腔和两通孔的表面沉积有绝缘层；凹腔表面的绝缘层上沉积有散热金属层和反光金属层；两通孔内填充有金属体，通孔内的金属体与凹腔表面的散热金属层相接；凹腔内底部的两金属层存在一开口，用于将该金属层隔离为两部分；硅基板的反面沉积有绝缘层，该绝缘层表面布线用于电极连接的金属层；凹

西安科技大学煤矿支护研发中心王晓利教授创新团队多年从事井下支护及材料研究，开发出的速联胶凝材料，具有完全自主产权。在神东煤炭集团公司布尔台煤矿、补连塔煤矿底板快速硬化中得到了应用。

航空航天器、飞机、导弹、火箭、超低温冷冻机、极寒冷地区工程机械和 高速列车等设备，在极低温度条件下运行时，对密封材料要求很高，一旦出现 密封效果不佳或不可靠情况，会出现严重后果，极端情况会造成机毁人亡等重 特大事故，形成严重的财产和人员损失。密封材料大多采用有机高分子材料， 在低温条件下，密封材料中分子热运动减少，分子链段会变得僵硬甚至冻住， 使之失去弹性，导致密封效果差甚至失去密封作用。因此密封材料应用于上述 设备和地域时，必须采用特殊制备的耐低温硅橡胶才能保证安全及设备的稳定 运行。这就要求密封材料必须具备优良的耐低温性能，使其具有耐低温稳定性， 才能达到相应的密封要求。 本研究开发的耐超低温有机硅密封胶，采用特殊原料和工艺，克服了传统 密封材料的弱点，使有机硅密封胶在-100℃以上时具有良好的密封性能。 

本技术基于生物预处理技术，以秸秆、木屑等农林固废为原料，通过白腐菌的生物降解与转化过程实现对秸秆、木屑的无胶沾粘，并通过简单热压工艺即制备出无胶沾粘剂中高密度纤维板。 一、项目分类 关键核心技术突破 二、成果简介 纤维板以低制备成本、高资源利用率等优势快速占据人造板产业市场，但由于木材来源日益匮乏，且在常规生产过程中含甲醛胶黏剂的添加而导致原料短缺、成本高昂、甲醛污染等问题。开发可持续、清洁、低耗的纤维板材合成技术迫在眉睫。本技术基于生物预处理技术，以秸秆、木屑等农林固废为原料，通过白腐菌的生物降解与转化过程实现对秸秆、木屑的无胶沾粘，并通过简单热压工艺即制备出无胶沾粘剂中高密度纤维板。 【技术优势】 1、使用秸秆、木屑等农林固废替代原木和次小薪材，节省成本、来源广泛，实现可持续化； 2、 采用生物法代替化学沾粘剂产生无胶沾粘，拒绝环境污染因子，温和、环保与低耗； 3、所制备的中高密度纤维板满足纤维板国家标准； 4、制备的中高密度纤维板具有良好的耐火性。

航空航天器、飞机、导弹、火箭、超低温冷冻机、极寒冷地区工程机械和高速列车等设备，在极低温度条件下运行时，对密封材料要求很高，一旦出现密封效果不佳或不可靠情况，会出现严重后果，极端情况会造成机毁人亡等重特大事故，形成严重的财产和人员损失。密封材料大多采用有机高分子材料，在低温条件下，密封材料中分子热运动减少，分子链段会变得僵硬甚至冻住，使之失去弹性，导致密封效果差甚至失去密封作用。因此密封材料应用于上述设备和地域时，必须采用特殊制备的耐低温硅橡胶才能保证安全及设备的稳定运行。这就要求密封材料必须具备

产品详细介绍   名称 托马斯氟碳（聚四氟乙烯等）塑料高温胶（THO4096） 概述 本品系杂环体系改性胶粘剂，单组份，加热固化型，固化后表面平整、无气泡。快速固化，粘接强度高，流动性好，操作简单。 适用 范围 适合于聚四氟乙烯（PTFE）、四氟乙烯（TFE）、氟化乙烯丙烯（FEP）、乙烯-四氟乙烯（ETFE）、氯化氟乙烯（CTFE）、乙烯-氯代三氟乙烯共聚物（E-CTFE）、二氟乙烯（PVF2）、聚氟乙烯（PVF）、聚丙烯（PP）、聚乙烯（PE）等应用于性能要求较高的耐腐蚀的管道、容器、泵、阀以及制雷达、高频通讯器材、无线电器材等与金属、合金的自粘与互粘后在室外以及潮湿或水下工作的环境等工艺。 性   能   特   点 ·外观：单组透明或者多色粘稠液体。（颜色、黏度可调） ·固化速度快，90℃，3分钟浸胶，120℃加热，2分钟完全固化。 ·粘接强度高，韧性好、抗冲击、耐久性好。 ·耐热性、耐大气性、超低收缩率。 ·耐温性能好，适应温度范围广，粘接后在较高的温度下仍有较好的粘接效果。 ·胶水黏度适中、无气泡、流平性能良好，固化后表面光洁度良好。 ·粘接表面无需严格处理，使用方便。 ·耐介质性能优良，耐油、水、酸、煤油、碱、辐射等。 ·安全及毒性特征：有极轻微异味，无吸入危险，实际无毒。产品达到ROHS标准指令。 ·贮存稳定性较好，贮存期为6月。 主要技术性能指标如下：耐温范围:-50－+400℃（黑灰色） 100℃，RH100% ，1000h后取出测试值：耐电压20-24kV/mm 25℃不均匀拉伸强度：50Nq/cm 90°拉伸强度45N/cm 180°拉伸强度42N/cm   硬度 shore D 80 使用 方法 1、将被粘物放到公司特配置的塑料处理剂A中浸泡5分钟，然后取出，以冷水冲洗，再以蒸馏水清洗干净，暖空气烘干。再将金属材质表面以180—240目砂纸正反时针打磨20次，最后再将特配置的处理剂B在两个被粘接材质表面反复擦拭10次即可。处理好的材料需及时使用。 2、将胶水薄且均匀地喷于被粘结表面，然后贴合并稍加外力协助被粘接材质不移动并排除气泡，静置。以90℃3分钟浸胶，120℃加热，2分钟完全固化。  注意  事项 1、操作环境注意通风。 2、胶液如触及皮肤，可及时用肥皂水冲洗。 3、未用完的胶应盖好，置于阴凉通风处。 该版权属于成都托马斯科技2005-2010所有

1. 高压IGBT器件封装绝缘测试系统 针对高压IGBT器件内部承受的正极性重复方波电压以及高温工况，研制了针对高压IGBT器件、芯片及封装绝缘材料绝缘特性的测试系统（如图1所示），可实现电压波形参数、温度和气压的灵活调控，用于研究电压类型（交、直流、重复方波电压）、波形参数、气体种类、气体压力等因素对绝缘特性，具备放电脉冲电流测量、局部放电测量、放电光信号测量、漏电流测量及紫外光子测量等功能（如图2所示），平台相关参数：频率：DC~20kHz，电压：0~20kV，上升沿/下降沿：150ns可调，占空比：1%~99%，温度：25℃~150℃，气压：真空~3个大气压。  2.压接型IGBT器件并联均流实验系统 针对高压大功率压接型IGBT器件内部的芯片间电流均衡问题，研制了针对压接型IGBT器件的多芯片并联均流实验系统（如图3所示），平台具有灵活调节IGBT芯片布局，栅极布线，温度和压力分布的能力，可开展芯片参数、寄生参数以及压力和温度等多物理量对压接型IGBT器件在开通/关断过程芯片-封装支路瞬态电流分布影响规律的研究，以及瞬态电流不均衡调控方法的研究；平台相关参数：电压：0~6.5kV，电流：0~3kA，温度：25℃~150℃，压力：0~50kN。   图3 压接型IGBT多芯片并联均流实验 3.高压大功率IGBT器件可靠性实验系统 随着高压大功率 IGBT 器件容量的进一步提升，对其可靠性考核装备在测量精度、测试效率等方面提出了挑战。针对柔性直流输电用高压大功率 IGBT 器件的测试需求，自主研制了 90 kW /3 000 A 功率循环测试装备和100V/200°C高温栅偏测试装备（如图4所示）。功率循环测试装备可针对柔性直流输电中压接型和焊接式两种不同封装形式的IGBT开展功率循环测试，最多可实现12个IGBT器件的同时测试。电流等级、波形参数、压力均独立可调，功率循环周期为秒级，极限测试能力可达 300 ms，最高压力达220 kN，虚拟结温测量精度达±1°C，导通压降测量精度达±2mV。高温栅偏测试装备可实现漏电流和阈值电压的实时在线监测，最多可实现32个IGBT器件的同时测试。 4. 压接器件内部并联多芯片电流及结温测量方法及实现 高压大功率压接型IGBT器件内部芯片瞬态电流及结温测量是器件多物理量均衡调控及状态监测的基本手段，针对器件内部密闭封装以及密集分布邻近支路引起的干扰问题，提出了PCB罗氏线圈互电感的等效计算方法，实现了任意形状PCB罗氏线圈绕线结构设计，设计了针对器件电流测量的方形PCB罗氏线圈（如图5所示），实现临近芯片电流造成的测量误差小于1%；针对器件内部多芯片并联芯片结温测量，提出了压接型IGBT器件结温分布测量的时序温敏电参数法，通过各芯片栅极的时序单独控制（如图6所示），在各周期分别进行单颗IGBT芯片结温的测量，进而等效获得一个周期内各IGBT芯片的结温分布。在此基础上，完成了集成于高压大功率器件内部的多芯片并联电流测试PCB罗氏线圈以及时序温敏电参数测量驱动板的设计（如图7所示）。 5. 自主研制高压大功率电力电子器件 面向电力系统用高压大功率电力电子器件自主研制的需求，开展了芯片建模与筛选、芯片并联电流均衡调控、封装绝缘特性及电场建模以及器件多物理场调控等方面工作，相关成果支撑了国家电网公司全球能源互联网研究院有限公司3.3kV/1500A、3.3kV/3000A以及4.5kV/3000A硅基IGBT器件的自主研制，并通过柔直换流阀用器件的应用验证实验，同时也支撑了世界首个18kV 压接型SiC IGBT器件的自主研制。

本发明公开了一种基于SOI封装的六轴微惯性器件，包括单片集成的六轴微惯性器件、玻璃衬底、金属电极、金属引线、SOI盖帽和SOI密封墙；六轴微惯性器件通过阳极键合工艺键合在玻璃衬底上；金属电极为一个以上，均匀设置在玻璃衬底一侧，金属电极通过金属引线与六轴微惯性器件相接，SOI盖帽设在玻璃衬底正上方，SOI密封腔设在SOI盖帽和SOI密封墙之间，形成空腔结构；每个金属电极正上方的SOI盖帽上设有梯形电极孔，梯形电极孔正下方的SOI密封墙上设有垂直贯通；梯形电极孔、垂直贯通与金属电极一一对应。本发明具有全解耦、质量小、结构精巧、成本低和便于批量生产等优点，在单个器件内同时实现了对三轴的加速度和角速度的检测，应用范围广，有着良好的市场前景。

本发明属于电子元器件的封装设备技术领域，并公开了一种用 于片式元器件编带封装的双路同步热压装置，包括水平工作台、热压 机构、驱动机构和调距机构等，其中热压机构被设计为双路结构，并 用于实现料带的封合，保证压力的一致性，进而完成料带的良好热封； 驱动机构用于驱动热压机构实现垂直方向的上下运动；调距机构用于 调节工作台两侧的间距以及两侧压头的间距，进而实现适应不同宽度 的料带的热封。通过本发明，能实现单侧压头的温度均匀分布，两侧 压头温度和压力的一致性以及不同宽度的料带的良好热封，同时具备 结构紧凑，便