环氧树脂作为电子封装技术的重要支撑材料，需要同时满足电子元件高集成度、信号传递低衰减、底部封装（underfill）工艺、材料耐疲劳和高可靠性等要求。利用高导热填料与环氧树脂复合，并通过多尺度微纳米填充、分散优化、界面强化、构筑有序结构等方法赋予了环氧树脂封装材料优异的导热性能、高流动和高阻燃性、低热膨胀和低吸潮率、电绝缘性能，是大功率、高集成ICs快速发展的保障。

有机电致发光器件（OLED）具有对比度高、厚度薄、视角广、反应速度快、使用温度范围广、构造简单并可用于挠曲性面板等优异特性，被认为是新一代的 显示技术，在智能手机及各类未来智能终端领域应用潜力巨大。柔性OLED是实现曲面显示，乃至未来柔性显示的基础。由于金属和玻璃封装都不适合柔性器件的封装，薄膜封装技术的突破是柔性OLED产业化进程推进的关键，也是柔性OLED发展的主要课题之一。在聚合物基板和OLED上采用多层薄膜包覆密封（也称之为Barix技术：基于真空镀膜工艺制备的有机-无机交替多层膜结构），不仅具有低成本、更轻、更薄的优点，而且可以延长OLED器件的寿命。适用于柔性OLED封装技术的工艺路线如图1所示。本项目开发的封装材料适用于此工艺路线中的聚合物多层薄膜封装。

本发明公开了一种玻璃芯片封装方法，通过在玻璃片的厚度方向预制贯穿导电金属极，采用超快激光对玻璃芯片进行激光焊接封装。本发明利用超短脉冲激光超强光强特性，在透明介质内会产生非线性吸收效应并在焦点处熔融，实现在透明材料空间内进行选择性微焊接。超短脉冲激光加工的结构尺寸可以突破光学衍射极限，实现小于激光波长的精密焊接。此外，激光和材料相互作用时间极短，能有效避免材料因不同热膨胀系数产生的裂纹和溅射物，有助于提高焊接封装的

陶瓷基板由于具有热导率高、耐热性好、高绝缘、耐腐蚀、抗辐射等技术优势，广泛应用于功率半导体和高温电子器件封装。 一、项目分类 关键核心技术突破 二、成果简介 电子封装是将构成半导体器件的各个部件（芯片、基板和导线等）按规定要求合理布置，通过贴片、打线与焊接等工艺，达到保护芯片，实现器件功能的目的。随着芯片功率的不断增加和封装集成度的不断提高，散热成为影响器件性能与可靠性的关键。对于半导体器件而言，通常温度每升高10℃，器件有效寿命降低30-50%。由于芯片一般贴装在封装基板（又称电路板、线路板）上，因此，基板除具备基本的机械支撑与布线（电互连）功能外，还要求具有较高的导热、耐热、绝缘、耐压能力与热匹配性能。目前常用封装基板主要分为树脂基板（印刷线路板、PCB）、金属基板（MCPCB）和陶瓷基板。其中，陶瓷基板由于具有热导率高、耐热性好、高绝缘、耐腐蚀、抗辐射等技术优势，广泛应用于功率半导体和高温电子器件封装。

产品详细介绍压电陶瓷电话：0451-86268790  芯明天科技——压电纳米定位行业领导者！产品定制服务我们更专业！每年参加展会：LASER World of PHOTONICS CHINA慕尼黑上海光博会、北京光电周ILOPE、深圳光博会CIOE。 哈尔滨芯明天科技有限公司专业致力于压电纳米定位系统的研发生产与销售。十余年的行业经验、专业的研发团队、雄厚的研发实力、完善的管理体系、可靠的品质保障为您提供最佳压电纳米定位技术解决方案！主营产品包括压电陶瓷材料、压电陶瓷片、叠堆压电陶瓷、精密压电促动器、压电马达、压电直线电机、纳米定位台、压电纳米定位台、微米纳米定位台、压电平移台、压电运动台、压电位移台、压电平移台、1-3维纳米精度偏转台/旋转台、压电偏转镜、压电物镜定位器、六自由度并联机构、压电陶瓷驱动电源、压电陶瓷驱动器、压电陶瓷驱动电源、电感/电容/激光测微仪等产品，同时提供压电点胶阀维修服务等。压电陶瓷芯明天压电陶瓷产品按照生产工艺的不同分为三种类型，叠堆共烧型，复合结构型，单晶体型。      叠堆共烧型压电陶瓷所谓的叠堆共烧是指将单层极化后的压电陶瓷基片与电极层交替叠加后经过高温烧结，形成整块的压电陶瓷，这种工艺生产的压电陶瓷我们称之为叠堆共烧压电陶瓷。叠堆共烧型压电陶瓷的主要特点为驱动电压低≤200V、位移行程大、出力大、重复生产一致性好、性能稳定、使用寿命长等特点。复合结构压电陶瓷通过对压电元件进行叠加、粘接、电极处理等方式制成的压电陶瓷产品，我们称之为复合结构压电陶瓷，芯明天复合结构的压电陶瓷主要包括高压压电陶瓷、压电纤维片、压电双晶片。高压压电陶瓷是通过对单晶体压电陶瓷片与金属电极层叠加再进行电极连接处理制成的。高压陶瓷的驱动电压为500V 或1000V，高压陶瓷形状柱形，环形。产品主要优点为大出力最大可达50000N，可以高动态操作。压电纤维片，是通过很细的压电纤维棒排列、拼接、极化、覆膜而制成厚度为0.3mm左右的薄片，可以横向伸缩或斜向伸缩，与其他金属板粘接可以带动金属片弯曲。可以作为致动器或传感器。广泛用于减震抑振或形变测量等。三维压电陶瓷是将可以XY运动的压电剪切片与轴向运动压电陶瓷片叠加形成多维压电陶瓷结构。压电双晶片是通过单晶体陶瓷片与金属结构结合，实现上下摆动的压电陶瓷片。                               单晶体压电陶瓷：单晶体压电陶瓷为共烧压电陶瓷以及复合结构压电陶瓷的基础元件，是将压电陶瓷粉末经过配料，预烧，混合粉碎，成型排塑，烧结，极化等系列工序而制成各种形状尺寸的压电元件。单晶体压电陶瓷的驱动电压受陶瓷片的厚度所影响，通常极化方向厚度1mm的压电陶瓷，最大驱动电压为1000V特点：方形、环形直线运动最大位移可达180μm最大出力可达50000N最小尺寸1×1×0.2mm放形、环形压电弯曲片压电纤维片应用：光纤拉伸•压电点胶阀•原位测试•机翼减震•光纤传感•压电钳哈尔滨芯明天科技有限公司致力于压电纳米定位产品的研发、生产与销售，主要服务于制造高端精密设备的的客户。自2004年起，经过十多年的快速发展，公司已获得高新企业认定，获得产品相关专利以及软件著作权、全部产品拥有自主知识产权、公司产品已覆盖全国各地知名高校、科研院所以及高端精密设备制造企业，并远销欧、美、日、韩等地。公司与中国高科技企业、国家重点实验室建立了合作伙伴关系，已经成为中国最专业的精密定位产品生产商。更多信息，请访问芯明天官网  www.coremorrow.com 或拨打电话：0451-86268790/17051647888 哈尔滨芯明天科技有限公司产品已广泛应用于半导体技术、光电子、通信与集成光学、光学仪器设备、医疗生物显微设备、生命科学、精密加工设备、新药设计与医疗技术、数据存储技术、纳米技术、纳米制造与纳米自动化、航空航天、图像处理等领域。芯明天正在为中国的工业自动化、国防、航天事业的发展贡献着自己的力量。

本发明提供一种超导磁分离废水处理装置，包括磁种和絮凝剂投放器、混合器和超导磁分离器;所述磁种和絮凝剂投放器用于向混合器投放磁种和絮凝剂;所述混合器接有入水管，用于将所述磁种和絮凝剂与废水充分混合;所述磁分离器的一端与所述混合器通过管道连接，另一端接出水管，所述磁分离器中具有铁素体不锈钢材料制作的过滤装置。本发明预先加入磁种，使本身无磁性的有害物质与磁种充分结合，从而实现超导磁分离净化废水，因此能够广泛应用于工业和生活废水处理。同时，本发明成本低、效率高、耗电量小、可实现无人值守自动运行。

体-边对应关系是拓扑物态的一个基本特征。近期新发现的高阶拓扑物态由于呈现出新型的体-边对应关系而受到广泛关注。特别地，由于高阶拓扑超导体允许马约拉纳零模直接出现在二维和三维系统的边界上，这为寻找马约拉纳零模和实现拓扑量子计算提供了新的思路。近两年来，虽然已提出一系列实现高阶拓扑超导体的理论方案，但这些方案或要求超导转变前的正常态具有拓扑非平凡的性质，比如，拓扑绝缘体，或要求混合宇称的超导配对。如果正常态只是普通的金属，而超导配对只有奇宇称或偶宇称型的配对，是否能实现高阶拓扑超导体仍是一个重要的开放问题。

本发明公开了一种超导可控电抗器，超导控制线圈、工作线圈、 低温杜瓦和磁屏蔽铁芯均为空心圆筒状；高导磁铁芯由圆柱状的上、 下导磁铁芯构成，分别固定在低温杜瓦的上、下盖板上；两块铁芯之 间通过环氧树脂材料进行填充和支撑；环氧树脂的填充高度为工作线 圈高度的 1/2 到 1/3 之间；各超导控制线圈位于低温杜瓦内，且从里到 外同轴或近似于同轴布置；工作线圈套在低温杜瓦外，且均位于磁屏 蔽铁芯内。高导磁铁芯优选由铁粉芯或磁粉芯制成。本发明可以减少 超导线材的用量以及降低低温杜瓦制作的技术复杂度，并且还可以有

刘奇航及其合作者以最近由中科院物理所领衔的研究团队发现的ZnCu3(OH)6BrF为例，采用修正后的单体平均场密度泛函理论方法，对这一体系的本征和掺杂行为进行了详尽的模拟。研究发现，ZnCu3(OH)6BrF掺杂后，掺入的电子并没有成为期待的“自由载流子”，而是局域在一个铜原子周围，引起了局域形变。这种电子与束缚它的晶格畸变的复合体称为极化子（如图一所示）。本征材料的带隙中形成新的电子态。因此，电子掺杂后，ZnCu3(OH)6BrF并没有实现半导体到导体的转变。相比之下，具有类似CuO4局部环境的铜氧化物高温超导体的母体材料Nd2CuO4显现除了不同的随掺杂浓度变化的导电性。研究发现，低掺杂浓度时，铜原子附近形成较为扩展的极化子，因此在高掺杂浓度时，这些极化子之间的跃迁可以使系统导电性大大增加，实现半导体到导体的转变，与实验观测很好地吻合。 该研究圆满地解释了最近实验上观测到的Kagome晶格的锌铜羟基卤化物在掺杂后并不导电的现象，指出要在量子自旋液体实现超导，仅仅找到量子自旋液体体系是远远不够的，还必须实现有效掺杂，注入一定浓度的“自由载流子”，为耕耘在该领域的实验工作者提出了新的挑战和实验方向。

西安科技大学自2007年开始就对电子封装材料制备技术开始研究，目前已经开发出AlN/Al、SiC/Al系列电子封装材料制备技术。涉及原位合成、无压浸渗、热压烧结等多种制备方法。本项成果为一种原位合成AlN/Al电子封装材料技术，目前此项技术已获批国家发明专利1项。