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芯片封装用抗静电复合材料
ABS塑料是丙烯腈(A)、丁二烯(B)、苯乙烯(S)三种单体的三元共聚物,三种单体相对含量可任意变化,制成各种树脂。ABS塑料是一种原料易得、综合性能良好、价格便宜、用途广泛的“坚韧、质硬、刚性”材料。在机械、电气、纺织、汽车、飞机、轮船等制造工业及化工中获得了广泛的应用。但是普通ABS塑料容易产生静电,严重限制了ABS塑料在精密材料、计算机材料等领域的应用。 研究团队面向半导体工业芯片封装中抗静电需求,制备具有优良导电性能和机械强度的ABS/石墨烯复合抗静电材料,大大拓展了ABS的应用领域。相关研究洪文晶教授曾获教育部自然科学奖一等奖。 技术成熟度 研究团队充分利用石墨烯的导电性,用原位聚合的方法,制备出石墨烯/ABS抗静电复合材料。通过双电测四探针测试仪测试出电导率在1×10-5S.cm-1~1×10-6S.cm-1,具有良好的导电性能。力学性能测试满足产品要求。本技术的技术路线已完全走通,正进一步对生产工艺和成分配比进行优化。 投产条件和预期经济效益 以ABS树脂为原材料,添加石墨烯作为导电剂。利用石墨烯良好的导电性,通过原位聚合的方法将石墨烯与ABS均匀的混合,制备出良好的导电性材料。产品面向精密电子元件的封装和防护,随着我国精密设备和半导体产业的发展,本产品将有广阔的市场空间。
厦门大学 2021-01-12
大功率 LED 封装及热管理技术
成果的背景及主要用途: 对于大功率白光 LED(半导体发光二极管),由于其工作电流大和工作电压高,在其工作过程中会产生很多热量,在现有的封装技术下,不能提供足够的散热能力来维持极限条件下的可靠运行,大功率 LED 连接成为瓶颈,而解决这一问题的根本方法在于改善芯片级互连材料的散热能力。 技术原理与工艺流程简介: 采用纳米银焊膏的低温烧结技术,利用其纳米银低熔点的性能,使烧结温度降低到 280℃,而烧结后银连接具有高熔点(960℃)、高导电和高导热性能,非常适合高温功率电子器件的长期可靠性运行。以大功率 1W LED 芯片封装为例,测试表明对于三种热界面材料银浆(silverepoxy),锡银铜焊膏(solder paste),和钠米银焊膏(silver paste),由于钠米银焊膏的高导热性,在大电流下发光效率提高 7~10%,说明散热效率提高,有效地降低了结温。目前课题组已完成 25W 的 LED 模块封装。 技术水平及专利与获奖情况: 获发明专利“以纳米银焊膏低温烧结封装连接大功率 LED 的方法”,发明专利 ZL200610014157.5,授权日:2008.11.19。 应用前景分析及效益预测: 此项技术可以用于大功率 LED 芯片的封装,具有广阔的市场前景,进一步可以推广到大功率半导体激光器的封装中。 应用领域:电子封装 技术转化条件: 本项目组在电子器件的热管理方面也具有丰富的经验,可进行电子封装的热分析及热管理设计。 合作方式及条件:根据具体情况面议
天津大学 2021-04-11
封装型压电陶瓷致动器(博实)
产品详细介绍封装型压电陶瓷优点:   方便安装固定:移动端方便与外部结构连接,移动端有四种选择:内螺纹、外螺纹、球头和平头。    保护陶瓷:因为陶瓷是易损元件,外力的夹持或者撞击都可能导致压电陶瓷的损坏,机械封装式压电陶瓷的机械外封可以对内部的叠堆压电陶瓷起到很好的保护作用。    提高功率:通常情况下,压电陶瓷都需在它的功率范围内使用,因为陶瓷在高频振动的过程中会产生一定的热量,陶瓷的温度会随之升高,超过温度80℃,陶瓷则可能会因为热量不能及时散出而损坏,但如果选择散热好的机械外封材料,并可以通过在陶瓷外部加散热片的方式,使陶瓷的使用功率大大提高。    可承受轴向拉力:叠堆陶瓷不能够承受轴向拉力,而机械封装式压电陶瓷由于内部加有预载力,可以承受一定的拉力,适合于高频振动使用,或者需要推拉力的应用。   稳定性高:因为叠堆陶瓷既不能承受侧向力也不能承受弯曲力,所以在使用的过程中,要求受力的接触面足够的平整,且受力方向在陶瓷的中心。当压电陶瓷的长与直径比值过大时,机械封装式压电陶瓷稳定性高于叠堆型压电陶瓷,可以有效的减少侧向力的产生,特别是使用球头连接方式可以消除轴向耦合,大大提高陶瓷的稳定性和使用寿命。    抗干扰:封装陶瓷的外壳是无磁不锈钢材料,可以防止外界电场的干扰。 
哈尔滨工业大学博实精密测控有限责任公司 2021-08-23
二硼化镁超导线材的制备及应用
该项目采用连续管线成型及填充技术,将纳米掺杂和连续管线成型(CTFF)加工工艺结合在一起。/line应用领域:超导磁体;超导电机;超导储能器;超导限流器等强电领域及国防军工。
东南大学 2021-04-10
有关FeSe超导体的中子散射的研究
FeSe超导体是铁基超导家族中结构最简单的材料。无论是在超导态还是正常态(四方-正交的结构相变温度之下),FeSe中的低能量自旋激发是完全c方向极化的,即没有ab面内的分量。这一奇特的自旋激发各向异性表明:一是FeSe中自旋轨道相互作用很强;二是FeSe中的自旋轨道相互作用会显著地影响电子库珀对的形成。
北京大学 2021-04-11
一种超导磁体磁场分布测量装置
本发明公开了一种超导磁体磁场分布测量装置。其中,大齿轮 的中心开孔,通过轴承安装在工作台上;第一支架固定在工作台上, 小齿轮的两端分别通过轴承与工作台和第一支架固定;第一手轮与小 齿轮连接;导轨固定在大齿轮上,滑块安装在导轨上;第二支架固定 在滑块上;螺杆穿过驱动板与驱动板通过螺纹连接,螺杆垂直于工作 台,其两端分别通过轴承与滑块和第二支架固定;固定杆穿过大齿轮 的中心开孔和工作台,垂直于工作台,其一端固定在驱动板上;高斯 计安装在固定杆的另一端;通过转动第一手轮和移动滑块,能使固定 杆的移动轨迹遍
华中科技大学 2021-04-14
高温超导体电阻转变温度测量仪
1.测量R-T主机一台(主要完成温度的测量和电阻测量,以及为样品提供电流的恒流源) 2.测量X-T用主机一台(主要完成温度的测量和显示,磁化率的测量和显示) 3.测量实验台架一套(测量零电阻和磁化率共用) 4.测温传感器(PT100) 5.低温杜瓦(内径φ120×80)
长春市长城教学仪器有限公司 2021-02-01
一种钼酸锂纳米棒电子封装材料
简介:本发明公开了一种钼酸锂纳米棒电子封装材料,属于电子封装材料技术领域。本发明钼酸锂纳米棒电子封装材料的质量百分比组成如下:钼酸锂纳米棒65‑80%、聚乙烯醇8‑12%、脂肪醇聚氧乙烯醚羧酸钠0.05‑0.5%、异丙醇铝4‑8%、微晶石蜡4‑8%、水3‑7%,钼酸锂纳米棒的直径为50‑100nm、长度为1‑3μm。本发明提供的钼酸锂纳米棒电子封装材料具有绝缘性好、耐老化及耐腐蚀性能优良、导热系数高、热膨胀系数小、易加工、制备过程简单及制备温度低的特点,在电子封装材料领域具有良好的应用前景。  
安徽工业大学 2021-04-11
一种微流控芯片的封装方法
本发明公开了一种微流控芯片的封装方法,用于对具有微通道 结构的微米级基片和与基片相固定连接的盖片进行封装得到微流控芯 片,包括下述步骤,S1 根据微流控芯片上的图案制备基片与盖片;S2 根据微流控芯片上的图案制备与其图案相同的自蔓延多层膜;S3 分别 将进行表面处理后的所述基片和所述盖片层叠在所述自蔓延多层膜两 侧面以形成封装结构;S4 对所述封装结构施加压力并引燃所述自蔓延 多层膜,燃烧引起材料融化实现所述基片和所
华中科技大学 2021-04-14
一种用于 RFID 标签封装的热压头
一种用于 RFID 标签封装的热压头,自上而下地包括热压端组件(10)、隔热组件(20)、导向组件(30)、凸轮微调组件(40)、动力组件(50)、安装组件(60),其中,凸轮微调组件(40)包括导向销(43)和套接在导向销(43)上的凸轮(42),旋转导向销(43)带动凸轮(42)转动时,可使凸轮(42)高度调整,从而使热压头高度得到微调。本发明提供的采用凸轮结构调节高度的热压头,彻底解决了现有技术采用弹簧装置调整热压头高度存在的压力与高度调节相矛盾的技术问题,能够快速、精确地调节热压头高度,特别
华中科技大学 2021-04-14
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