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超高压汞灯光源驱动器
成熟度:技术突破 一种安全、可靠、光强稳定的数字化超高压汞灯曝光光源控制器,驱动功率高达3kW,功率调整步长小于5W,光强稳定性误差不高于0.3%@30min,汞灯触发成功率高于90%。 意向开展成果转化的前提条件:中试放大及产业化工艺开发资金支持
东北师范大学
2025-05-16
一种高
功率
射频
板条 CO2 激光器电极非均匀水冷网格结构
本发明公开了高功率板条 CO2 激光器平板电极的一种冷却水流 道结构。采用在电极内部加工水冷槽作为冷却水的流道的技术方案, 将水流道设计为非均匀网格,改进了现有 U 形、S 形和蛇形流道结构, 具有网格结构非均匀、散热效率高、散热均匀性好特点。本发明是在 大量工程实践的基础上,提出的冷却水流道结构设计的最优方案,可 推广用于大部分高发热金属器件的散热。
华中科技大学
2021-04-14
柔性储能
器件
及传感
器件
利于层状纳米材料比表面积大的特点,在碳基柔性衬底上制备了高性能柔性 超级电容器,及葡萄糖传感器。超级电容器的能量密度最大为50.2Whkg-1,功 率密度为8002 W kg-1 at 17.6 Wh kg-1,充电1分钟能点亮两只绿色LED灯3 到5分钟。性能处于国际先进水平,成果先后发表于JALC0M , 714(2017) 63-70; 763 (2018) 926-934 等。
重庆大学
2021-04-11
面向大
功率
开关电源
器件
的铁硅粉芯关键生产工艺开发
:铁硅粉芯是一种新型复合软磁材料,主要用于 替代传统开了气隙的硅钢、铁氧体及非晶等材料,作为电感器 和电抗器的磁芯,用于对直流叠加要求较高的大功率光伏逆变 器、风电变流器、电动汽车充电机、变频空调、有源滤波器、 UPS 电源等新能源与节能电力电子系统。 铁硅粉芯在器件中的作用是实现电磁能量转换,其与绕制 线圈一起组成的各种磁性器件在电力电子系统中起到功率因数 校正和滤波
合肥工业大学
2021-04-14
RFID
射频
识别系统
RFID即射频识别,是一种非接触式的自动识别技术,它通过射频信号自动识别目标对象,可快速地进行物品追踪和数据交换。识别工作无须人工干预,可工作于各种环境。RFID技术可同时识别多个对象,操作快捷方便。 本项目以电力井为对象,开发了手持式及桌面型RFID电缆信息化系统。项目开发的手持式RFID电缆信息化系统,由手持式读写器、UHF超高频射频卡及其读写软件组成,适用于电力井现场采集及电缆信息维护;项目开发的桌面型RFID电缆信息化系统,由桌面型读写器、UHF超高频射频卡及其读写软件组成,适用于办公室中对电力井电缆信息化管理工作。系统可处理中英文字符信息,手持式系统通过GPRS技术可实现远程数据维护。
集美大学
2021-04-29
射频
介质材料及应用
超宽射频介质材料,包括微波陶瓷、玻璃、复合介质材料、微波毫米波复合介质基板、宽频模块集成用LTCC低温共烧封装材料,及其相应的射频器件、组件。
南京工业大学
2021-01-12
针对下一代
功率
半导体GaN
器件
的高频栅驱动电路设计技术
上限低,可反向导通,dv/dt扰动和di/dt扰动等。该项成果设计出适用于N型常关GaN器件的半桥栅驱动电路,通过分离充放电路径避免栅驱动电压振铃现象的发生和dV/dt现象对栅驱动电路的干扰;同时利用高端栅极钳位技术,在自举充电路径中对BOOT电容进行钳位,防止对上开关管的损坏。 半桥GaN栅驱动电路主要指标为: ? 独立的高侧和低侧TTL逻辑输入 ? 1.2A/5A 峰值上拉和下拉电流 ? 高端浮动电压轨到100V ? 0.6Ω/2.1Ω 下拉和上拉电阻 ? 快速的延迟时间 (28ns typ) ? 非常优越的延时匹配(1.5ns typ)
电子科技大学
2021-04-10
针对下一代
功率
半导体GaN
器件
的高频栅驱动电路设计技术
该项成果设计出适用于N型常关GaN器件的半桥栅驱动电路,通过分离充放电路径避免栅驱动电压振铃现象的发生和dV/dt现象对栅驱动电路的干扰;同时利用高端栅极钳位技术,在自举充电路径中对BOOT电容进行钳位,防止对上开关管的损坏。
电子科技大学
2021-04-10
一种
射频
识别标签
一种射频识别标签,包括封装体和位于封装体内的射频电路,所述封装体内轴向开有至少一个导流孔,导流孔的一端开孔小于另外一端,导流孔远离轴线的侧壁形成导流斜面,这些导流斜面以封装体轴线为中心对称分布。通过控制导流斜面的斜率而控制射频识别标签投掷到油井管道盐水中时的下落速度,且所述射频识别标签在盐水中下落时不易旋转,运动更加平稳。
华中科技大学
2021-01-12
有机无线
射频
识别标签(ORFID)
本项目着重研发一系列不同工作频率与不同储存信息量有机射频识别(ORFID)标签或有机射频卡为主,研究各种有机集成器件,为大面积集成柔性电子产品产业化奠定了有机电子方面的理论基础。本研究采用不同有机导电材料及制作工艺使有机薄膜晶体管(OTFT)集成于塑料基底上,制备出RFID塑料芯片。工作采用一套新的完整的技术方案,包括结合应用需要进行有机RFID标签的结构,电路设计,在柔性衬底上进行芯片集成电路的制作(通过掩模板及光刻工艺制备高性能的低聚合物RFID标签集成电路,喷墨打印方式制备便宜的高分子等有机RFID标签集成塑料芯片两种路线),印刷天线,及选择合适的测试系统进行应验标签和分析标签工作机制等部分。制备出工作频率为125kHz、13.56MHz 及储存信息量为1字节及8字节的有机RFID标签。其中晶体管的性能达到开关比在104以上,迁移率0.4~0.7cm2/Vs,电路工作电压在15V左右。本项目是国内首批研发有机RFID标签的实验室研究工作,从而给国内有机RFID技术的研发工作建立一个良好的平台,弥补国内在有机RFID标签领域的空白。 主要应用范围: 从长远发展看,有机RFID有可能成为将来主导各行业信息处理的关键技术之一。有机RFID标签作为一个低成本的选择,并不会代替常用、标准的无机RFID标签,而是开辟另一个新的市场,到时在RFID市场,有机半导体将与Si片技术相互补。有机RFID技术除了具有半导体RFID技术的优点以外,还具有便宜、厚度可以非常薄等特点,可以制成柔性电子标签,使用时可以随意粘贴,不受软硬度及厚度等限制,将来可以广泛应用于工业自动化、商业自动化、交通运输控制管理、军事物流等众多领域。 有机半导体的生产工艺将彻底改变了以往的Si集成电路生产流程,省去了复杂及昂贵的CMOS工艺过程(扩散、光刻、刻蚀、离子注入、薄膜生长、抛光等步骤),便宜并且环保。因为有机电子学能够实现大规模应用很关键的一点就是其能通过印刷工艺来实现有机电子器件的低成本。同样有机RFID标签的研究中,各国研究者的目的是想通过有机半导体材料制备有机集成电路,最终可以通过印刷的方式来得到有机RFID标签产品。这意味着有机RFID标签的到来将带动印刷行业领域的进展。采用打印制备RFID标签的工艺将碳基材料的微细颗粒喷射到芯片的基底上,不到几分钟就可以制造出芯片成品,且塑料芯片可以单片制造,其成本甚至不到0.1美分。而目前如果要建造一座生产Si芯片的工厂,其资金可能要高达百亿美金以上,然而同样的资金却可以建造超过100个生产塑料芯片的工厂。不论从前端厂房及材料成本,到后端的应用与生产成本,有机RFID技术的生产都极具优势。 目前世界各国都认为有机RFID市场前景巨大。至于技术的发展,目前全球都还在探索阶段。各国家、地区和机构纷纷加大研发力度,尤其各国已经有专门的公司进行相关项目的投资。比如,美国Organic ID、IBM和德国PolyIC等公司。而中国的大部分企业一直处于观望的状态,虽然目前已经开始尝试无机RFID在一些领域的应用示范,但在技术基础方面远远落后于欧美各国,加之标准待确立和产业基础薄弱,诸多因素制约着RFID技术在中国这个世界最具潜力的消费市场难以大规模运行。如果有机RFID的研究及应用方面迟迟不肯投资,在未来新崛起的有机RFID产业里又必将落后于欧美、日韩和新加坡等国。只有在快要占领市场的有机RFID技术方面尽早投入,将来才可能分得一杯羹。 制备出基本器件后,随着研发不断深入发展,将制备存储量和响应不断提高的器件。
北京交通大学
2021-04-13
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