利用大规模集成硅基纳米光量子芯片技术，实现对高维度光量子纠缠体系的高精度和普适化量子调控和量子测量。 （图一）基于硅纳米光波导的大规模集成光量子芯片(可实现对高维量子纠缠体系的高精度、可编程、且任意通用量子操控和量子测量)       集成光学量子芯片技术，基于量子力学基本物理原理，使用半导体微纳加工工艺实现单片集成光波导量子器件（包括单光子源、量子操控和测量光路，以及单光子探测器等），可以实现对量子信息的载体单光子进行处理、计算、传输和存储等。集成光学量子芯片具有集成度高、稳定性高、性能好、体积小、制造成本低等诸多优点。因此，该技术被普遍认为是一种实现光量子信息应用的有效技术手段。      利用硅基纳米光波导技术实现的光量子芯片具有诸多独特优点，例如与传统微电子加工工艺兼容、可集成度高、非线性效用强、以及工作波长与光纤量子通信兼容等。然而，迄今为止光量子芯片的复杂度仅限于小规模的演示，如集成少数马赫-曾德干涉仪对光子态进行简单操控。因此，我们迫切需要扩大集成量子光路的复杂性和功能性，增强其量子信息处理技术的能力，从而推进量子信息技术的应用。       相干且精确地控制复杂量子器件和多维纠缠系统是量子信息科学和技术领域的一项难点。相对于目前普遍采用的二维体系量子技术，高维体系量子技术具有信息容量大、计算效率高、以及抗噪声性强等诸多优点。最近，多维度量子纠缠系统已分别在光子、超导、离子和量子点等物理体系中实现。利用光子的不同自由度，如轨道角动量模式、时域和频域模式等，可以有效编码和处理多维光量子态。然而，实现高保真度、可编程、及任意通用的高维度量子态操控和量子测量，依然面临很多困难和挑战。       针对上述问题，英国布里斯托尔大学、北京大学、丹麦技术大学、德国马普研究所、西班牙光学研究所和波兰科学院的科研人员密切合作，并取得了突破性进展。研究团队提出并实现了一种新型的多路径加载高维量子态方式，即每个光子以量子叠加态的形式同时存在于多条光波导路径，从而实现了一个高达15×15的高维量子纠缠系统。通过可控地激发16个参量四波混频单光子源阵列，可以制备具有任意复系数的高维度量子纠缠态。通过单片集成通用型线性光路，可对高维量子纠缠态进行任意操控和任意测量。因此，该多路径高维量子方案具有任意通用性。与此同时，团队充分利用集成光路的高稳定性和高可控性，实现了高保真度的高维量子纠缠态，如4、8和12维度纠缠态的量子态层析结果分别为96、87% 和 81%保真度，远超其他方式制备的高维量子纠缠态性能。       更重要的是，团队通过硅基纳米光子集成技术，实现了目前集成度最复杂的光量子芯片（图一所示），单片集成550多个光量子元器件，包括16个全同的参量四波混频单光子源阵列、93个光学移相器、122个光束分束器、256个波导交叉结构以及64个光栅耦合器，从而达到对高维量子纠缠体系的高精度、可编程、且任意通用量子操控和量子测量。       研究进一步利用该高维光量子芯片技术，验证高维度量子纠缠系统的强量子纠缠关联特性，包括普适化贝尔不等式和EPR导引不等式等，证明量子物理和经典物理定律的重要区别。例如，对4维度量子纠缠态，实验观察得到了2.867±0.014的贝尔参数，不仅成功违背经典物理定律61.9个标准差，而且超过普通二维纠缠体系的最大可到达值的2.8个标准差。研究还首次实现高维量子系统的贝尔自检测和量子随机放大等新功能，例如，对3维度最大纠缠态和部分纠缠态的自检测保真度约为76%，对14维以下纠缠态均实现了量子随机放大功能。

一、创新点： 1.创新1-高低压兼容工艺技术：世界首个P-sub/P-Epi高低压兼容浮置沉底工艺平台 2.创新2-抗瞬时电冲击电路技术：国际最高品质因子600V等级浮栅控制芯片 3.创新3-低损耗功率器件技术：超低开关损耗阶梯栅氧600V超结功率器件 4.创新4-高功率密度互联技术：国内首款微型智能功率驱动芯片及600V单片智能功率驱动芯片。 二、产出情况： 被Amazon、Philips、Samsung、美的等100多家国内外公司采用，项目新增销售27.2亿元，新增利润4.9亿元，新增创汇3115.5万美元，解决了我国智能功率驱动芯片的“卡脖子”问题。 1.智能生活家电领域累计销售超16亿颗，市场占有率全国第一（超过40%） 2.首次实现国产智能功率驱动芯片应用于高铁空调控制器 3.唯一一款应用于智能电表的国产功率芯片，解决了我国智能电表系统的战略安全问题 4.在新能源交通工具领域出货量超30亿颗 成功应用于亚马逊无人仓储机器人，首批供货超过1万套。

本项目是用 28 纳米 FPGA 器件实现了一枚《万兆网络多核处理器》SOC 芯 片。该芯片目标客户是路由器、交换机、防火墙网络设备整机厂商和网络技术 科研、监管机构。该芯片用于拓展网络带宽到 10Gbps，支持 Open Flow 协议， 兼容 IPV4/IPV6 协议，是 SDN 控制器的基础载体，NFV 的运行平台。该芯片是 互联网产业的核心器件、重要的战略物资，国内空白，国家急需。该项目的产 业化包含 SOC 芯片推广，FPGA→ASIC 转化、网络设备整机生产 3 部分。适合 创办的企业为 Fabless 模式集成电路芯片设计为主和网络装备整机生产为辅的电 43 子信息类股份制高科技企业。

已有样品/n针对各种生物医用仪器对心电、脑电、肌电、神经电等电生理信号采集与分析的需求，研制出了一系列专用集成电路芯片。其中包括：1、一款适合大多数生理信号的通用前端集成电路，完成从电生理传感器输出市场预期：市场需求量：芯片300万颗/年，传感器3000万-5000万颗/年；可应用系统：小型化便携式电生理检测设备、移动健康产品、穿戴式健康产品。的原始信号到CMOS或TTL等标准数字电平信号之间的转换，这款前端电路的功能包括跟随、前放、A/D、滤波等基本功能。2、多款专用的信号处理后端集

组织芯片技术可广泛应用于肿瘤生物学、分子流行病学、生物试研制、生物工程制药、中药有效成分筛选等领域。因此，各科研院校、医院、生物制药企业等都将会是成为其潜在的市场，有很大的需求量。按照保守估计，目前国内市场对组织芯片制备器具的年需求量在500-1000套之间；对组织芯片分析系统的年需求量在50-100套；对病理实时远程控制会诊系统的年需求量在50-100套

成果简介本项目在国家973计划、863计划等研究成果基础上，跟踪国际趋势，形成9**nm 大功率单发光条半导体激光器，输出功率大于12W，寿命1万小时。主要优势：（1 ）填补国内空白。（2 ）易于光纤耦合。（3 ）多种波长可选。应用简介所处研发阶段：中试阶段适合应用领域：直接光加工、

本发明提出这样一种阳极键合工艺方法：将 MEMS 陀螺仪器件层沉积到临时高分子衬底上，完成金属电极沉积和 MEMS 结构刻蚀之后，将临时高分子衬底用化学机械抛光的方法去除。去除之后，将玻璃基体和玻璃盖帽分别紧贴 MEMS 结构的两侧，加电加热后一次完成双面阳极键合。这种工艺方法与传统的两次阳极键合分两步进行相比，更加节省成本，而且避免了第二次阳极键合对第一次阳极键合强度削弱这个固有缺点，使得产品可靠性提高。

本发明公开了一种基于电控液晶平面微透镜的波前控制芯片。芯片包括面阵电控液晶平面微透镜，其包括液晶材料层，依次设置在液晶材料层上表面的第一液晶初始取向层、图形化电极层、第一基片和第一增透膜，以及依次设置在液晶材料层下表面的第二液晶初始取向层、公共电极层、第二基片和第二增透膜；公共电极层由一层匀质导电膜构成；图形化电极层由 m×n 元阵列分布的子电极构成，每个子电极均由绕圆周呈十字叉型均匀分布的四个条状导电膜构成，单个

本发明公开了一种倒装 LED 芯片在线检测的收光方法，该收光 测试方法包括如下步骤:待测试芯片被移动至积分球收光口的上方; 设置于积分球下方的积分球升降装置向上运动，使所积分球的收光口 对准所述待测试的倒装 LED 芯片的发光侧，并且使设置于积分球收光 口处的板片贴紧装载待测试倒装 LED 芯片的盘片。按照本发明设计的 收光测试组件，能够成功地解决倒装 LED 芯片电机和发光面不同侧的 问题，具有高的收光精度，尤其与倒装

本发明公开了一种倒装 LED 芯片在线检测的收光测试组件，该 收光测试组件包括积分球组件和光学测试组件，其中积分球组件包括 积分球模块、积分球夹具、积分球升降装置;其中积分球模块包括积 分球、积分球 90°转接头，积分球的开口设置有石英玻璃，其设置方 式是采用石英玻璃夹具套设在积分球的收光口处，其中石英玻璃夹具呈圆筒状，其内侧在略高于收光口的上方设置有凸台，用于放置固定 石英玻璃。按照本发明设计的收光测试组件，能够成功地解决倒装 LED 芯片测试探针