一、用途、特点:  　　本产品适用于86系列微电子机原理课程，综合了各学校讲课及实验教师的意见、增加了系统的开放能力和灵活性。为提高学生独立思维和动手能力，对计算机硬件要求较高的专业，提供了开放的实验平台并新增加了微机控制实验，使这门课程的实验更加深入完整。为适合基础教学的需要，增添了数字电路、模拟电子技术实验线路。这一崭新的系统实现了专业基础课（模拟、数字电路）、专业课(微机原理)、课程设计和毕业设计(微机应用)的三合一，真正做到了一机多用，大大节省实验室，节省管理人员，节省奖金。配合本设备，我们特为教师提供了微机原理课、微机应用课的教师实验指导书，书中对这部分实验都写有实验目的，实验电路以及汇编语言和C语言的参考程序清单(提供程序软盘)，供教师参考，减轻了教师备课和辅导实验的工作量。该设备是学校一步到位，上规模、上档次的理想选择。 二、结构与配备 1、实验台结构: 一桌为二座，桌面中央设置通用电路插板，元件盒在其上接插成实验电路完成实验。 桌的左右各有一个柜，柜中存放元器件、贮存板及电脑， 中间上层放置键盘、下层抽屉存放工具、万用表、导线等。桌面尺寸:160X7Ocm。 2、学生实验台: A、电源 1、电源输入:工作电压220V5%(50Hz)，输入时指示灯亮。  2、电源输出：有保险丝和漏电保护开关二级保护功能。  A组:低压交流电压3-24V分七档可调，输出电流1.5A，电流表指示。  B组:二组互相独立的0-30V连续可调直流稳压电源，输出电流2A，具有短路保护功能。 C组:低压直流稳压电源，电压+5V，电流0.5A，有表指示。  D组:单相市电输出，供用户自备仪器使用。 B·函数发生器 1波形:输出正弦波、三角波、方波。  2频率范围:5Hz-55OKHz，有频率表指示。  3·七段译码器及对应译码显示数码管。  4·微机接口部分:一块PC总线扩展、8279键盘、六位数码显示板和连接电缆。还设有I/0地址译码电路8255、8253、ADC0809、DAC0832等。 5·微机应用部分:设有声传感器、继电器及喇叭、直流电机、步进电机驱动控制电路。 6·辅助电路:40脚、20脚、16脚、14脚集成插座，逻辑电平开关、LED显示、时钟（MHz、2MH2）、方波信号和逻辑笔等。  7·外测交直流二用电流表:精度0.5级，三位半数字式显示，测量范围:0～1000mA。  8·外测交直流二用电压表:精度0.5级，三位半数字式显示，测量范围:0～999V。 3、示教台:1台示教台，分别控制12台学生的电源，通用电路板演示屏立在实验台上，尺寸150X7Ocm，用于讲解、演示。 4、器材配备: 12台实验台、12张学生实验操作桌、l台主控演示台、13只MF500万用表、13只数字万用表、39只指针式1.5级支流电流表，25套电烙铁及烙铁架,13套实验所需的电阻、电位器、电感线圈、变压器、二级极大管、三极管、场效应管、集成可控硅、逻辑电平开关、逻辑电平指示等元件盒。13套声传感器、直流电机、步进电机等。13套剥线钳、螺丝刀、尖嘴钳等工具。 5·用户自备器材:双踪示波器(型号不限)，功率表、滑线变阻器、毫伏表 三、实验项目: 一、数电、模电实验   1、模拟部分实验 1·二极管的正、反相特性　　　　 2·晶体三极管的输入、输出特性　 3·晶体管共射极单管放大器　　　 4·两级阻客搞合放大电路　　　　 5·负反馈对放大器性能的影响　　 6·场效应管放大器　　　　　　　 7·差动放大电路　　　　　　　　 8·运算放大器指标测试　　　　　 9·集成运算放大器的基本应用(多种模拟运算电路)　 10·集成运算放大器非线性应用（多种波形发生器）　 11· 变压器耦合推挽功率放大器 12·OTL功率放大器 13· 集成功率放大器 14·单相桥式整流电路 15·串联型晶体管直流稳压电源(设计性实验) 16·集成直流穗压电源 17·单结晶体管特性 18·单结晶体管触发电路 19·晶闸管简单测试 20·晶闸管可控整流电路 利用上述20项实验元器件还可完成下面实验项目 l·电压负反馈偏置电路　　　　　　 2·分压式电流负反债偏置电路　　　 3·用二极管穗定工作点　　　　　　 4·共基极放大电路　　　　　　　  5·共集电极放大电路　　　　　　  6·共源极基本放大电路  7·场效应管共漏极电路 8·场效应管共栅极电路 9·单管阻客放大电路 10·变压器耦合放大电路 11·甲类功率放大电路 12·串联电流负反馈电路 13·串联电压负反馈电路 14·并联电压负反馈电路 15·串联型晶体管直流稳压电源(设计性实验) 16·共基共射极放大电路 17·自举射极输出电路  18·NPN一PNP直接耦合放大电路 19·用负反馈消除自激根箔 20·晶体管开关作用 21·变压器反馈式振荡电路 22·电容三点式振荡电路 23·电感三点式振荡电路 24·差动放大电路的基本形式 25·长尾式差动放大电路 26·双电源长尾式差动放大电路 27·运放用作交流比例放大 28·反相输入保护措施 29·同相输入保护措施 30·电源极性错接的保护 31·RC高通电路 32·利用三极管来保护器件 33·差动输入运算电路 34·快速积分电路 35·模拟一阶微分方程电路 36·模拟二阶微分方程电路 37·基本对数运算电路 38·实用微分电路 39·反对数放大基本电路 40·简单的过零比较电路       41·利用二级管作为上限检测幅度选择电路 42·下限幅度选择电路 43·RC无源网络的低通滤波电路 44·同相输入一阶低通滤波电路 45·反相输入一阶低通滤波电路 46·简单的二阶RC滤波电路 47·典型二阶RC有源低通滤波电路 48.典型二阶高通有源滤波电路 49·基本带通滤波电路 50·典型带通滤波电路 51·矩型波振荡电路 52·宽度可调的矩形波发生器 53·幅频可调的锯齿波发生器 54·单相半波整流电路 55·单相全波整流电路 56·电容滤波电路 57·电容滤波带电阻负载 58·RC滤波电路 59·基本LC滤波电路 60·二倍压整流电路 61·三倍压整流电路 62·基本稳压电路 63．基本调整管稳压电路 64·具有放大环节的稳压电路 65·单相半波可控硅整流 66·电子调压电路 67·电子催眠器一一趣味性实验一 68·电子门铃电路一一趣味性实验二 69·电子报警电路一一趣味性实验三 15·并联电流负反馈电路 2、数字部分实验 l·TTL集成迈林门的参数测试 2．CMOS逻辑门的参数测试 3．TTL集成电极开路门与三态输出门的应用 4·与、非·或、与非门电路实验 5·半加器电路实验 6·全加器电路实验 7．RS触发器实验 8．D触发器实验 9．JK触发器实验 IO·T触发器实验 11．JK型触发器转换成D触发器 12·D型触发器转换成JK触发器 l3。计数器实验 14·MSI移位寄存器及其应用 15·译码器及其变换方式 16·MSI数据选择器及逻辑设计 17·微分型单稳态电路  18·环形多谐振薄器  19·利用门电路构成编码器，分配器、选择器 20·组合电路的设计之一一一编码转换  21．组合电路的设计之二一一显示电路 22·同步时序电路的设计 23·计算机时序电路的设计 24·集成定时器测试及应用 25·CMOS集成A/D、D/A转换电路实验 26·二极管非门·或非门电路 27·三极管非门、与非门、或非门电路 28·异步十进制减法计数器 29·异步十进制加法计数器 30·综合能力培训实验一一电子秒表   2、微机接口实验 A、微机接口实验(微机原理课) 1·Ｉ/0地址译码实验  2·简单并行接口实验  3·可编程并行口实验(一)(二)  4·串行通讯实验（8251、8250）  5·A/D、D/A转换实验  6·可编程定时器\计数器实验 7·七段译显示实验  8·中断实验和DMA通讯实验 B、趣味性实验及控制实验（微机应用课） 1·竞赛抡答器实验 2·数字录音机实验  3·电子琴实验(加选件)  4·交通灯控制实验  5·继电器控制实验  6·步进电机控制实验 9·键盘、显示控制实验  7·直流小电机控制实验 8·集成电路测试实验9.827 9·键盘、显示控制实验 四、实验台主要技术指标: ●.电源及参数 输入电源:三相四线电源，输入时指示灯亮 电源输出 有保险丝和漏电保护开关二级保护功能。 A组:单、三相可调交流电源，提供三相0~430V连续可调的交流电源，同时可得至0～250V单相可调电源(配有一台1.5KVA的三相自调调压器，配有三只指针式交流电压表，指示调压器输出电压。 B组:低压交流电压3－24V分七档可调，最大输出电流1.5A，电流表指示。 C组:低压直流稳压电源，电压5V，电流0.5A，电流表指示。 D组:双路稳流稳压电源，二路输出电压均为0～30V，由多图电位器连续调节，输出最大电流为1.5A，每路电源输出有0.5级数字电流表、电压表指示。电压穗压度

产品详细介绍

本发明公开了一种基于六维力传感器和双目视觉的机器人打磨装置及打磨方法，打磨装置包括机械臂、传感器固定座、六维力传感器、工业相机、柔性连接件、电机固定座、打磨电机和双轴加速度传感器；六维力传感器通过传感器固定座与机械臂的末端关节固定连接；六维力传感器通过柔性连接件与电机固定座柔性连接，打磨电机安装在电机固定座上；工业相机对称设在柔性连接件的两侧；双轴加速度传感器分别设在机械臂的末端关节和打磨电机上。打磨方法包括步骤1，深度点云图生成；步骤2，打磨时机控制；步骤3，PI控制打磨和步骤4，机械臂位置补偿。本发明简单稳定，易于控制，打磨效果好，效率高；同时，还能补偿打磨过程中的位置偏移，提高加工质量。

通过超高真空分子束外延技术，在SrTiO3衬底上成功制备出宏观尺度的单原胞层（厚度小于1纳米）高温超导体FeSe与FeTe0.5Se0.5单晶薄膜，其超导转变温度大约在60 K左右，并通过原位扫描隧道显微镜和隧道谱技术对其中的超导配对机制进行了深入研究。 原位扫描隧道显微镜观测表明沉积的Fe原子处于薄膜上层的Te/Se原子间隙处。由于沉积密度极低，Fe原子以孤立吸附原子形式存在，且吸附位附近无近邻Fe原子团簇。系统的原位超高真空（~10-10 mbar）扫描隧道谱实验发现，对特定的吸附原子/单层FeSe（FeTe0.5Se0.5）耦合强度[数量占比约13% (15%)]，Fe吸附原子上可观测到尖锐的零能电导峰（图1）。该电导峰紧密分布在吸附原子附近，衰减长度~3 A，且远离吸附原子时不劈裂。变温实验表明，零能电导峰在远低于超导转变温度时即消失，可初步排除Kondo效应、常规杂质散射态等解释（图2A和图2B）。进一步的控制实验和分析显示，零能电导峰半高宽严格由温度和仪器展宽限制、在近邻双Fe原子情形不劈裂、服从马约拉纳标度方程，这些结果均与马约拉纳零能模的唯象学特征吻合（图2C-图2G）。对沉积于单层FeSe薄膜与FeTe0.5Se0.5薄膜上的Fe吸附原子，结果基本相同。相比于单层FeSe，统计结果表明单层FeTe0.5Se0.5上Fe吸附原子中观测到零能束缚态的几率更高且信号更强。波士顿学院汪自强教授和合作者曾在理论上提出，无外加磁场时，强自旋-轨道耦合s波超导体间隙磁杂质可产生量子反常磁通涡旋。理论上如果单层FeSe和FeTe0.5Se0.5由于空间反演对称破缺而具有较强的Rashba自旋-轨道耦合, Fe原子的磁矩局域破坏时间反演对称，可以使量子反常涡旋“承载”马约拉纳零能模。对单层FeSe和FeTe0.5Se0.5有些理论也预测存在拓扑非平庸相。在二维拓扑超导体中，马约拉纳零能模也会产生于Fe原子诱导的量子反常涡旋中的束缚态。因此，实验中观测到的零能电导峰可归因于Fe吸附原子引起的局域量子反常涡旋。更深入、具体的理解还有待于进一步的实验和理论探索。这一工作将探索马约拉纳零能模的超导材料从三维拓展到二维、从低温超导拓展到超过40 K超导转变温度的高温超导体系，同时无需外加磁场，观测到的零能束缚态原则上可操纵、“存活”温度明显提升。这些优势为未来实现可应用的拓扑量子比特提供了可能的方案。

本发明属于光催化技术领域，具体为一种制备高催化活性天然沸石负载一维TiO2纳米线复合材料的方法和相关工艺参数。该制备方法为溶胶凝胶/水热合成法。首先，以钛酸丁酯(Ti(OC4H9)4)为前驱体，二乙醇胺为络合剂，无水乙醇为溶剂，配制TiO2溶胶；然后，采用浸渍法，在经酸处理的天然沸石上负载TiO2溶胶，干燥、煅烧；最后，将负载TiO2的沸石放置NaOH水溶液中，在一定温度下进行水热反应；所得产物用去离子水洗涤并置于稀HCl溶液中浸渍一定时间；再将所得产物洗涤、烘干、煅烧，即可得到天然沸石负载一维纳米

高质量钼系硫族化合物单层材料的CVD生长一直受限于难以控制的化学动力学条件，其中最为重要的是对于Mo蒸汽释放的合理调控。近日，课题组在传统的MoO 3

本发明公开了一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器及制备工 艺，光探测器包括从上之下依次排列的电极结构、多个层状二硫化钼 薄膜以及衬底；电极结构为电极、主支、分支三部分，相邻主支之间 和相邻分支之间的间距为二硫化钼薄膜的平均大小，起到并联二硫化 钼薄膜、增大光敏面积的作用。二硫化钼薄膜的生长采用化学气相沉 积(CVD)的方法，硅片作为衬底，MoO3 粉末作为钼源，硫粉作为硫源， 通过控制钼源与衬底之间的间距、硫蒸气进入反应的时间和反应温度， 制备得到大面积的层状二硫化钼薄膜。使用该方法制备层状二硫化钼

本发明公开了一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器及制备工 艺，光探测器包括从上之下依次排列的电极结构、多个层状二硫化钼 薄膜以及衬底；电极结构为电极、主支、分支三部分，相邻主支之间 和相邻分支之间的间距为二硫化钼薄膜的平均大小，起到并联二硫化 钼薄膜、增大光敏面积的作用。二硫化钼薄膜的生长采用化学气相沉 积(CVD)的方法，硅片作为衬底，MoO3 粉末作为钼源，硫粉作为硫源， 通过控制钼源与衬底之间的间距、硫蒸气进入反应的时间和反应温度， 制备得到大面积的层状二硫化钼薄膜。使用该方法制备层状二硫化钼