轧机是生产成品金属材料的关键设备之一，轧机用交直交中压变频驱动系统是涉及到冶金企业核心制造能力的关键装备，在对功率半导体器件、大功率变流、高性能传动控制、轧机主传动系统集成等关键技术研究基础上，实现国产化的大功率交直交中压变频轧机驱动装备（5~40MVA，3300V）的工程化与产业化技术研究，主要关键核心技术包括：(1)系统集成技术与工程应用推广；(2)大功率变流装置研制；(3)高性能传动控制；(4)驱动系统与工艺控制功能融合等。系统电网侧功率因数保持为 1.0；静态调速误差≤0.01%，动态速降 0.25%s（100%转矩阶跃）。

本发明公开了一种压入硬度预测材料单轴本构关系的方法，在具有压头加载单元、变形检出单元和数据处理单元构成的压入硬度检测系统中，压头加载单元采用不同外形压头压入被测材料，变形检出单元检测出被测材料相应的变形并输入到数据处理单元以获得预测材料的本构参数E、σy、n，通过简单的压入硬度预测材料单轴本构关系，以实现材料和在役结构件的单轴本构关系的便携测量。

本发明公开了一种高压直流 MMC 在基频调制下的均压方法； 包括步骤 S1 在第 i 个基波周期的起始时刻，采集 N 个子模块的电容电 压；并在 N 个子模块中选出 x 个电容电压较大的第一子模块以及 y 个 电容电压较小的第二子模块，剩余的子模块为第三子模块；步骤 S2 通过第一驱动信号控制第一子模块在当前基波周期的终止时刻的电容电 压小于起始时刻的电容电压；通过第二驱动信号控制第二子模块在当 前基波周期的终止时刻的电容电压大于起始时刻的电容电压；通过第 三驱动信号控制第三子模块在当前基波周期的终

本发明提供一种电容分压器的误差校验方法，通过测量其比差 和角差实现对该电容分压器的误差校验，其特征在于，该方法具体步 骤为：将被测高电压由标准电压互感器变为适于数据采集的第一低电 压（U1）；将被测的电容分压器（4）所分出的电压转换为适合于数据 采集的第二低电压（U2）；将所述第一低电压（U1）和第二低电压（U2） 同时送入信号处理电路进行模拟和数字信号处理，获得比差和角差， 即可完成误差校验。本发明还公开一种误差校验系统以及其在电子式 互感器中的应用。本发明的方法和系统可以对电容分压器的比差和角

本发明涉及一种基于极坐标参数化的航空摄影测量光束法平差的方法,包括以下步骤：1）通过航空拍摄测量区域得到一系列图像,提取并匹配测量区域所有图像的特征点；2）基于极坐标参数化表达特征点；3）建立基于极坐标参数化的光束法平差的观测方程基于极坐标参数化的观测方程进行区域网平差。

本项目是一种首创的基于固体电化学原理的氧泵。该氧泵具有两大功能：一、测定金属氧化动力学；二、可以在1～10-25 atm范围获得任意的氧分压。测定金属氧化动力学时，氧泵通过将金属氧化过程消耗的氧量经过电化学过程转化为电荷量来获取氧化动力学曲线。由ZrO2固体电解质管、隔断阀和石英管构成一个封闭体系，在ZrO2固体电解质管内外壁上沉积或涂覆铂电极构成电化学氧泵，将氧化样品与固体电解质电化学氧泵分别处于不同的温度，实现氧化温度和氧压可调，将氧泵电流积分与氧化时间做图可获得氧化动力学曲线，可用于金属及合金氧化动力学测定，包括产生挥发性氧化物的体系的动力学测定，以及其它吸收氧过程的动力学测定。本发明方法的结构简单，操作简便，测试数据精度高，运行费用低，控制和数据处理计算机化。本仪器可以替代电子热天平，为高新科技产品。 氧泵还可以在不同的温度，在1～10-25 atm范围获得任意的氧分压，可广泛用于科研和生产。 国际首创，成果列入1998年4月美国出版的“High-temperature Research in Progress：1997”，采用本技术的研究结果多次在 Oxidation of Metals 上发表。获得发明专利，发明专利号：98101027.X 氧泵还可以在不同的温度，在1～10-25 atm范围获得任意的氧分压。 本发明的氧泵操作简便，控制和测试数据精度高，运行费用低，控制和数据处理计算机化，为高新科技产品。可以根据实际需要提供特定的技术与产品。

1. 高压IGBT器件封装绝缘测试系统 针对高压IGBT器件内部承受的正极性重复方波电压以及高温工况，研制了针对高压IGBT器件、芯片及封装绝缘材料绝缘特性的测试系统（如图1所示），可实现电压波形参数、温度和气压的灵活调控，用于研究电压类型（交、直流、重复方波电压）、波形参数、气体种类、气体压力等因素对绝缘特性，具备放电脉冲电流测量、局部放电测量、放电光信号测量、漏电流测量及紫外光子测量等功能（如图2所示），平台相关参数：频率：DC~20kHz，电压：0~20kV，上升沿/下降沿：150ns可调，占空比：1%~99%，温度：25℃~150℃，气压：真空~3个大气压。  2.压接型IGBT器件并联均流实验系统 针对高压大功率压接型IGBT器件内部的芯片间电流均衡问题，研制了针对压接型IGBT器件的多芯片并联均流实验系统（如图3所示），平台具有灵活调节IGBT芯片布局，栅极布线，温度和压力分布的能力，可开展芯片参数、寄生参数以及压力和温度等多物理量对压接型IGBT器件在开通/关断过程芯片-封装支路瞬态电流分布影响规律的研究，以及瞬态电流不均衡调控方法的研究；平台相关参数：电压：0~6.5kV，电流：0~3kA，温度：25℃~150℃，压力：0~50kN。   图3 压接型IGBT多芯片并联均流实验 3.高压大功率IGBT器件可靠性实验系统 随着高压大功率 IGBT 器件容量的进一步提升，对其可靠性考核装备在测量精度、测试效率等方面提出了挑战。针对柔性直流输电用高压大功率 IGBT 器件的测试需求，自主研制了 90 kW /3 000 A 功率循环测试装备和100V/200°C高温栅偏测试装备（如图4所示）。功率循环测试装备可针对柔性直流输电中压接型和焊接式两种不同封装形式的IGBT开展功率循环测试，最多可实现12个IGBT器件的同时测试。电流等级、波形参数、压力均独立可调，功率循环周期为秒级，极限测试能力可达 300 ms，最高压力达220 kN，虚拟结温测量精度达±1°C，导通压降测量精度达±2mV。高温栅偏测试装备可实现漏电流和阈值电压的实时在线监测，最多可实现32个IGBT器件的同时测试。 4. 压接器件内部并联多芯片电流及结温测量方法及实现 高压大功率压接型IGBT器件内部芯片瞬态电流及结温测量是器件多物理量均衡调控及状态监测的基本手段，针对器件内部密闭封装以及密集分布邻近支路引起的干扰问题，提出了PCB罗氏线圈互电感的等效计算方法，实现了任意形状PCB罗氏线圈绕线结构设计，设计了针对器件电流测量的方形PCB罗氏线圈（如图5所示），实现临近芯片电流造成的测量误差小于1%；针对器件内部多芯片并联芯片结温测量，提出了压接型IGBT器件结温分布测量的时序温敏电参数法，通过各芯片栅极的时序单独控制（如图6所示），在各周期分别进行单颗IGBT芯片结温的测量，进而等效获得一个周期内各IGBT芯片的结温分布。在此基础上，完成了集成于高压大功率器件内部的多芯片并联电流测试PCB罗氏线圈以及时序温敏电参数测量驱动板的设计（如图7所示）。 5. 自主研制高压大功率电力电子器件 面向电力系统用高压大功率电力电子器件自主研制的需求，开展了芯片建模与筛选、芯片并联电流均衡调控、封装绝缘特性及电场建模以及器件多物理场调控等方面工作，相关成果支撑了国家电网公司全球能源互联网研究院有限公司3.3kV/1500A、3.3kV/3000A以及4.5kV/3000A硅基IGBT器件的自主研制，并通过柔直换流阀用器件的应用验证实验，同时也支撑了世界首个18kV 压接型SiC IGBT器件的自主研制。

本实用新型涉及一种深海集成一体式蓄能器保压采样器机构。本实用新型包括采样阀、截气阀、活塞、O型密封圈、液压堵头、挡头、节流口、蓄能腔和采样腔，采样腔两侧都装有采样阀，采样腔腔壁上开有一周节流口，节流口正对外壁处通过液压堵头实现密封，蓄能腔通过一侧的截气阀往里预冲高压氮气，上端有活塞，活塞上端安置挡头限制位移。本实用新型中的蓄能器与采样筒采用一体式结构，结构紧凑，体积小，蓄能器能够对采样筒进行压力补偿，从而达到有效的保压效果。

本实用新型涉及电源技术，具体涉及一种高效率 DC-DC 升压及反压变换器，包括控制电路、驱动 电路、电压吸收网络、开关电路、高频变压器、整流滤波电路、采样电路、过流保护电路以及反馈稳压 电路；控制电路依次连接驱动电路、电压吸收网络、开关电路、高频变压器和整流滤波电路，采样电路 分别连接整流滤波电路、过流保护电路，过流保护电路连接反馈稳压电路，反馈稳压电路连接至控制电 路。该变换器可为数字功放供电，应用于采用太阳能供电的广播以及车载音响系统中功放

本发明公开了一种轮毂轴承旋压面的自动化漏磁检测探头，其 包括漏磁检测磁化器和检测探头部件，该漏磁检测磁化器包括 U 型磁 轭和极靴导套，U 型磁轭的两侧板上缠绕有磁化线圈，极靴导套安装 在 U 型磁轭两侧板的顶部，其轴对称位置处开设有通槽，通槽两侧面 形成两磁极平面;该检测探头部件嵌装在两磁极平面之间，其包括探 头芯和用于安装探头芯的探靴，探头芯为板状结构，其上对称开设有 两个与轮毂轴承旋压面配合的弧面凹槽，弧面凹槽内嵌装有用于对所 述轮毂轴承旋压面